硫氰酸銀鉀復(fù)合薄膜的制備及其電存儲特性.pdf

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1、物理化學(xué)學(xué)報(WuliHuaxueXuebao)230ActaPhys.一Chim.Sin.,2010,26(1):230-236January【Article】www.whxb.pku.edu.cn硫氰酸銀鉀復(fù)合薄膜的制備及其電存儲特性季欣董元偉徐偉(復(fù)大學(xué)材料科學(xué)系,上海200433)摘要:采用真空熱蒸鍍法在銀電極上蒸鍍硫氰酸鉀薄膜,并通過界面反應(yīng)在銀電極表面上形成AgK2(SCN)復(fù)合薄膜.采用可見光譜、x射線光電子能譜(xes)、激光拉曼光譜和x射線多晶衍射譜(XRD)對薄膜進(jìn)行表征.研究發(fā)現(xiàn),A1/AgK2(SCN)fAg器件具有穩(wěn)

2、定的可逆電雙穩(wěn)特性,高、低電阻狀態(tài)的電阻比高達(dá)l0,并能實現(xiàn)連續(xù)“寫一讀一擦一讀”操作.器件的可逆擦寫特性歸因于外電場作用下AgKdSCN)。復(fù)合介質(zhì)層內(nèi)導(dǎo)電通道的形成一斷裂;電流一電壓曲線擬合顯示,低電阻狀態(tài)符合歐姆傳輸,而高電阻狀態(tài)表現(xiàn)出空間電荷限制電流傳輸模式.在導(dǎo)電通道斷裂的過程中,電離作用和焦耳熱效應(yīng)會共同起作用.關(guān)鍵詞:電化學(xué)電離;電雙穩(wěn)態(tài);導(dǎo)電通道;界面反應(yīng);真空熱蒸發(fā);焦耳熱效應(yīng)中圖分類號:0646;0484.4PreparationandElectricalMemoryCharacteristicsofPotassiumTh

3、iocyanateArgentiteCompositeFilmsJIXinD0NGYuan.WeiXUWei(DepartmentofMaterialsScience,F(xiàn)udanUniversity,Shanghai200433,P.R.China)Abstract:ThevacuumthermalevaporationofKSCNontothesurfaceofaAgelectroderesultsinaAgK2(SCN)3compositefilmthroughaninterracialreactionbetweentheAgandKSC

4、Nfilms.Visiblespectroscopy,X·rayphotoelectronspectroscopy(XPS),Ramanspectroscopy,andX—raydiffraction(XRD)wereusedtoinvestigatethefilm.TheA1/AgK2(SCN)JAgdeviceexhibitedreversibleelectricalbistabilitywitharesistanceratioof106anditwassuccessivelyoperatedina“write—read—erase—re

5、ad”mode.ThereversiblewritinganderasingperformanceofthedeviceisattributedtotheformationandruptureofconductingchannelsthroughtheAgK2(SCN)3compositelayer.Byfittingthecurrent-voltagecurves,thelow—andhigh—resistancestatesareshowntofollowohmicconductionandspacechargelimitedcurent

6、conduction,respectively.WesuggestthattheannihilationofconductingchannelsiscausedbytheelectrochemicalionizationtogetherwiththeJouleheatingeffect.KeyWords:Electrochemicalionization;Electricalbistablestates;Conductingchannel;InterfacereactionVacuumthermalevaporation;Jouleheati

7、ngeffect近年來,可逆電雙穩(wěn)存儲特性由于其潛在的應(yīng)的研究進(jìn)展迅速.與無機(jī)薄膜器件相比,“金屬,有機(jī)用價值引起了廣泛的關(guān)注.雖然可逆電雙穩(wěn)器件層/金屬”結(jié)構(gòu)的有機(jī)功能器件能夠用較為簡單的真的工作機(jī)理,尤其是基于導(dǎo)電通道形成一斷裂的具體空蒸鍍方法制備成膜[2o2”,工藝簡單,價格低廉,因此機(jī)制還存在爭議f11,但是對各種薄膜電雙穩(wěn)特性人們曾一度集中研究基于有機(jī)小分子和聚合物材Received:July19,2009;Revised:November2,2009;PublishedonWeb:December8,2009.Correspond

8、ingauthor.Email:wexu@fudan.edu.cn;Tel:+86.21—65642871.TheprojeelwassuppoaedbytheNa

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