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《片式電阻端電極SnNiAgAl2O3膜系膜基結合力研究.pdf》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內容在工程資料-天天文庫。
1、片式電阻端電極Sn／Ni／Ag／AliO。膜系膜基結合力研究ResearchonadhesionstrengthofresistorelectrodeSn／Ni／Ag／A1203coatingfilm2011年4月合肥工業(yè)大學主席：柯翱麓彳數(shù)大量數(shù)梭一．．鐫以彳俐導師：彳幣忡有農友趴天剜孜綆似張救本學位論文作者完全了解金膽王些盍堂有關保留、使用學位論文的規(guī)定，有權保留并向國家有關部門或機構送交論文的復印件和磁盤，允許論文被查閱或借閱。本人授權僉月巴工些太堂可以將學位論文的全部或部分論文內容編入有關數(shù)據庫進行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復制手段保存、匯編學位
2、論文。(保密的學位論文在解密后適用本授權書)學位論文者簽名：彳鑄勉簽字日期：2川年夕月加學位論文作者畢業(yè)后去向：工作單位：通訊地址：導師簽名：仟嘩簽字日期：2011年牛月彳日電話：郵編：片式電阻端電極Sn／Ni／Ag／A1203膜系膜基結合力研究摘要電子信息技術的高速發(fā)展對元件技術不斷提出新的要求，片式電阻器目前廣泛應用并大量取代傳統(tǒng)電阻。制作金屬薄膜片式電阻的重要工序之一是端電極，通常其底層電極為銀或Ag-Pd材料，中間電極層為Ni，外部電極層為Sn。制備電極的通常工藝是底層電極漿料經涂敷、干燥、燒結形成銀電極，通過物理氣相沉積和電鍍完成中間電極層和外部電極
3、層。本文在A1。O。陶瓷基片上首先通過蒸發(fā)的方式形成Ag電極薄膜層，然后再依次進行磁控濺射鎳電極和錫電極。研制金屬薄膜片式電阻的過程中就發(fā)現(xiàn)，在制備端電極中間層Ni后，再制備外電極Sn時，中間層電極薄膜出現(xiàn)了與底電極銀剝落的技術問題。本文從理論上闡述并分析薄膜結合力的原理，以及具體影響薄膜結合力的各方面因素。在進行磁控濺射實驗時，對包括濺射壓強、退火溫度，濺射功率等因素進行分析比較。分別單獨制備Ni及Sn薄膜，在四種不同濺射壓強下得到不同的結果，通過原子力顯微鏡對表面形貌進行對比分析，選定適合的濺射壓強。隨后，對Ni薄膜進行三種不同溫度下的退火，由表面形貌判斷
4、出最適合鎳薄膜的退火溫度。在確定合適的濺射壓強及退火溫度后，再對不同濺射功率下的樣品進行比較。使用半導體特性測試儀及四探針測試儀對樣品在不同濺射功率下的電學特性進行分析，使用X射線衍射儀進行物相分析。最后通過劃痕儀對樣品進行劃痕測試，檢驗工藝參數(shù)對片式電阻端電極膜系的影響。關鍵詞：片式電阻端電極薄膜結合力磁控濺射工藝參數(shù)2storelectrodemTherapiddevelopmentofelectronicinformationtechnologymakecontinuousdemandsofthedevicetechnology'chipresistor
5、sarenOWwidelyusedinmanyfieldsandmostlyreplacedtraditionalresistors．Duringtheproductionofmetalthinfilmchipresistors，makingelectrodeisoneofthemostimportantprocedure．ThebottomelectrodematerialisusuallysilverorAg—Pd，themiddlelayerofelectrodeismadeofnickel，externalelectrodelayerisatinlay
6、er．Theusualprocessofthepreparationoftheelectrodeisfirstlyfinishsilverelectrodebycoating，drying，sinteringsilverpaste，thencompletethemiddleelectrodelayerandexternalelectrodelayerbyphysicalvapordepositionandelectroplating．Inthispaper,wefirstlyformthinlayerofsilverelectrodeonaluminaoxid
7、eceramicsubstratebyevaporation，andthenfollowedbythemagnetronsputteringofnickelelectrodesandtinelectrodes．Duringthedevelopmentofmetalfilmchipresistor,wediscoveredthat，afterpreparingthemiddlelayerofnickelelectrodeside，andthenpreparedtinoutsidetheelectrode，themiddlelayerandbottomelectr
8、odefilmelectrodeapp
