各章內(nèi)容最后小結(jié).pdf

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1、1半導(dǎo)體二極管1．本征半導(dǎo)體在本征激發(fā)后導(dǎo)電，載流子濃度與溫度T有關(guān)。2．P型半導(dǎo)體中多子為空穴，少子為電子；N型半導(dǎo)體中多子為電子，少子為空穴。摻入雜質(zhì)后，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力會(huì)有顯著提高。3．PN結(jié)又稱空間電荷區(qū)、耗盡層、阻擋層、勢(shì)壘區(qū)，有單向?qū)щ娦裕赫螂娮韬苄?，反向電阻很大。VVT4．二極管的伏安方程是：I?Is(e?1)，其中:Is是二極管的反向飽和電流，與溫度有關(guān)；VT是溫度的電壓當(dāng)量，室溫下為0.026mV。VVT二極管正偏時(shí)，I?Ise，反偏時(shí)，I??Is5．二極管反向偏置電壓達(dá)到擊穿電壓VBR時(shí)，其PN結(jié)發(fā)生電

2、擊穿（雪崩擊穿和齊納擊穿），此時(shí)電流變化很大而電壓變化不大——由此做成穩(wěn)壓管。2晶體管1．晶體管（BJT）是雙極型電流控制器件，晶體管進(jìn)行電流放大的前提是發(fā)射結(jié)正偏置、集電結(jié)反偏置。2．晶體管的外部電流關(guān)系是IC??IE、IC??IB、IE?IC?IB3．晶體管有三個(gè)工作區(qū)域：放大區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)，晶體管通過(guò)電流控制實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的條件是工作在放大區(qū)。4．晶體管處于正常放大狀態(tài)時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏置，集電結(jié)反偏置，為滿足此條件，NPN型晶V?V?VV?V?V體管的各極電位關(guān)系應(yīng)該是CBE；PNP型晶體管的各極電位關(guān)系應(yīng)該是CBE。

3、5．當(dāng)vBE?Vth且vCE?vBE時(shí)，晶體管工作于放大區(qū)；當(dāng)vBE?Vth且vCE?vBE時(shí)，晶體管工作于截止區(qū)；當(dāng)vBE?Vth且vCE?vBE時(shí)，晶體管工作于飽和區(qū)。6．場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是單極型電壓控制器件，柵源電阻大。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)工作區(qū)域：可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊穿區(qū)，場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)電壓控制實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的條件是工作在恒流區(qū)。7．放大器的直流柵源電壓的偏置應(yīng)保證場(chǎng)效應(yīng)管能正常工作，以N溝道為例，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的vGS?0后有iD，vGS越負(fù)，iD越??；增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的vGS?VT（VT為正）后有iD，vGS越正，i

4、D越大；耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的VGS可正可負(fù)，vGS越大，iD越大，vGS?VP（VP為負(fù)）時(shí)iD?0。各種場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性所在象限如下圖所示3模擬電子系統(tǒng)的基本問(wèn)題1.電子系統(tǒng)中，任意一個(gè)電信號(hào)源可以用戴維寧等效或諾頓等效的形式來(lái)表達(dá)。2.模擬電子系統(tǒng)的基本分析方法是圖解分析法和簡(jiǎn)化模型分析法。3.簡(jiǎn)化模型分析法用于模擬電子系統(tǒng)的近似估算，使用條件是非線性器件工作于線性區(qū)，且為小信號(hào)情況工作狀態(tài)，將非線性器件進(jìn)行線性化處理后，利用疊加定理將模擬電子系統(tǒng)的交、直流通道分開(kāi)估算。直流通道的畫法：所有交流信號(hào)源置零，所有電容開(kāi)

5、路，電感短路，其余元器件保留，所有電量大寫；交流流通道的畫法：所有直流信號(hào)源置零，所有電容短路，電感開(kāi)路，其余元器件保留，所有電量小寫。4．二極管的直流模型為：理想模型?_正偏vD?0反偏iD?0恒壓降模型?_正偏v?V，硅管為0.7V，鍺管為0.2VDD反偏iD?0折線模型iD/mA?r?200?DIDVthvD?iD_oVv/VVthDD(a)特性曲線(b)電路符號(hào)正偏vD?Vth?iDrD，對(duì)硅管來(lái)說(shuō)Vth?0.5V,rD?200?反偏iD?05．二極管的微變等效模型R???r_Dd__26mVrd是靜態(tài)工作點(diǎn)Q上小信

6、號(hào)工作范圍內(nèi)的二極管動(dòng)態(tài)等效電阻：rd?ID(mA)4基本放大電路1.由晶體管放大電路的直流通道可求出靜態(tài)工作點(diǎn)；由晶體管放大電路的交流通道可畫出電路的微變等效模型。2．晶體管放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不合理時(shí)，會(huì)使電路的輸出波形發(fā)生失真：靜態(tài)工作點(diǎn)過(guò)高時(shí)為飽和失真（NPN管：表現(xiàn)為底部失真），過(guò)低時(shí)為截止失真（NPN管：表現(xiàn)為頂部失真）。3．溫度會(huì)引起晶體管的?增加、ICBO增加、輸入特性曲線左移，總的結(jié)果是使靜態(tài)工作點(diǎn)上移，容易發(fā)生飽和失真。解決的辦法是引入直流負(fù)反饋（如射極偏置電路）。4．晶體管的小信號(hào)等效模型是：26(

7、mV)其中：rbe?rbb??(1??)IEQ(mA)5．晶體管放大電路有三種基本形式：共射電路（輸入輸出反相位）、共集電路（輸入輸出同相位）、共基電路（輸入輸出同相位）。共射電路：R?LR?i靜態(tài)工作點(diǎn)：VCC?VBEQIBQ?RbICQ??IBQVCEQ?VCC?ICQRc動(dòng)態(tài)性能指標(biāo)：??RL?Av?rbevRoiAvs??AvvR?RsisR?R//rR?Ribbe，oC射極偏置電路：Rb?Rb1Rb2R?LRi?靜態(tài)工作點(diǎn)：Rb2VBQ?VCCRb1?Rb2VBQ?VBEQIEQ??ICQReVCEQ?VCC?IC

8、Q(Rc?Re)ICQIBQ??動(dòng)態(tài)性能指標(biāo)：無(wú)旁路電容Ce時(shí)：??R?LAv?rbe?(1??)ReviRi??RbRi?ii?Rb1Rb2[rbe?(1??)Re]vt?ReRo???rce(1?)icRs??rbe?RevtRo??RcRo??Rcit有旁路電容Ce時(shí)：??RL?Av