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《sic／sio2復合材料的制備及介電性能研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學術(shù)論文-天天文庫。
1、第37卷第1期合肥工業(yè)大學學報(自然科學版)Vo1．37No．12014年1月JOURNALOFHEFEIUNIVERSITYOFTECHNOLOGYJan．2014Doi：10．3969／j．issn．1003—5060．2014．01．009SiC／SiO2復合材料的制備及介電性能研究劉海濤，鄭治祥，王蘇敏，祖立成，呂琚，徐光青(合肥工業(yè)大學材料科學與工程學院，安徽合肥230009)摘要：文章采用介電常數(shù)低的納米Si02粉體與SiC微粉通過機械球磨的方式進行混合，制得si02包覆SiC的復合粉體，經(jīng)干壓成型，在流動的高純氬氣保護下，常壓燒結(jié)出結(jié)構(gòu)均勻、介電性能良好的SiC／SiO2復合
2、材料。通過EDS、XRD、SEM等手段進行表征，分析了原料配比、燒結(jié)溫度、密度及顯微結(jié)構(gòu)等對材料介電性能的影響。結(jié)果表明：燒結(jié)溫度低于1000℃時，隨著溫度升高，材料的燒結(jié)密度降低，介電常數(shù)降低；溫度高于1000℃時，材料的密度和介電常數(shù)隨溫度升高而增加，介電損耗則隨溫度升高一直呈遞減趨勢；當燒結(jié)溫度為1100℃時，SiC與Si()2質(zhì)量比為2：1的試樣獲得了燒結(jié)密度為1．77g／cm3、介電常數(shù)為5．40和介電損耗為0．055的較好性能。關(guān)鍵詞：復合材料；SiC／SiOz；包覆；介電常數(shù)；介電損耗中圖分類號：TB332文獻標識碼：A文章編號：1003—5060(2014)01—0038-
3、05PreparationanddielectricpropertiesofSiC／SiO2compositeLIUHai—tao，ZHENGZhi—xiang，WANGSu—rain，ZULi—cheng，II3Jun．XUGuang-qing(SchoolofMaterialsScienceandEngineering，HefeiUniversityofTechnology，Hefei230009，China)Abstract：UsinglOWdielectricconstantsilicanano-powderandSiCpowderasrawmaterials。SiO2-coa—t
4、edsiCcompositepowderswereproducedbymechanicalmilling．AfterdrypressingandpressurelesssinteringinAratmosphere，SiC／SiO2compositesweremadewhichshowahomogeneousmicrostruc—tureandgooddielectricproperties．ThecompositeswerecharacterizedbyEDS，XRDandSEMmeth—ods．Theeffectsofmassratioofrawmaterials，sinteringt
5、emperature，densityandmicrostructureonthedielectricpropertiesofthecompositeswereanalyzed．Theresultsshowedthatthedensityanddie—lectricconstantofthecompositesdecreasedwiththeincreaseofsinteringtemperatureunder1000℃．Whenthesinteringtemperaturewasabove1000℃，thedensityanddielectricconstantincreasedgradu
6、ally．Withtheincreasingtemperature，thedielectriclOSSvaluedecreasedcontinually．Thecom—positewithcombinedgoodpropertieswasobtainedwhentheSiC／Si02massratiowas2：1andthesinteringtemperaturewasI100℃．Theachievedsinteringdensitywas1．77g／em3，thedielectricCOla．-stantwas5．4andthedielectriclOSSwas0．055．Keyword
7、s：composite；SiC／SiO2；coating；dielectricconstant；dielectriclOSSSiC是目前已投入使用的陶瓷基電子封裝材不受熱破壞；②與芯片(主要與Si和GaAs)相匹料之一，作為封裝材料的一部分，基片材料應滿足配的線膨脹系數(shù)，確保芯片不因熱應力而失效；以下性能要求：①高的熱導率，保證電子元件③良好的高頻特性，即低的介電常數(shù)和低的介質(zhì)收稿日期：2013—03—29；修回日期：2
