AZO種子層朝向對ZnO納米棒形貌和發(fā)光特性的影響-論文.pdf

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1、光電子·激光第23卷第6期2012年6月JournalofOptoelectronics·LaserVo1．23No．6June2012AZO種子層朝向對ZnO納米棒形貌和發(fā)光特性的影響林算治，林麗梅，林建平，瞿燕，賴發(fā)春(1_福建師范大學物理與光電信息科技學院，福建福州350007，2．寧德師范學院物理與電氣工程系，福建寧德352100)摘要：在水平管式爐中，采用熱蒸發(fā)鋅粉的方法，在鍍有摻鋁氧化鋅(Az0)薄膜的石英基片上制備了大量高密度的ZnO納米棒，AZO膜面分別正對和背對鋅源。利用掃描電子顯微鏡、x射線衍射儀以及

2、熒光光譜儀分析AZ0膜面朝向對ZnO納米棒的形貌、微結構及光學性能的影響。結果表明，不同朝向的AZ0膜面上所生長的納米棒具有相似的形貌和微結構。保溫時間10min樣品的氧空位的缺陷態(tài)發(fā)光為綠光，強度較強；保溫時間15min樣品的納米棒長度較長、相對垂直襯底，其近帶邊發(fā)光較強，氧間隙的缺陷態(tài)發(fā)光較弱。正對鋅源襯底上且保溫時間15min樣品的近帶邊發(fā)光最強，且缺陷態(tài)發(fā)光最弱。關鍵詞：ZnO納米棒；熱蒸發(fā)；襯底朝向；形貌；光致發(fā)光中圖分類號：0472+．3文獻標識碼：A文章編號：1005—0086(2012)06—1103—0

3、6EffectofthedirectionofAZOseedlayeronmorphologiesandlu—minescencepropertiesofZnOnanorodsLINSuan-zhi，LINLi-mei，LINJian-ping，QUYan1，LAIFa-chun1(1．SchoolofPhysicsandOptoelectronicsTechnology，F(xiàn)ujianNormalUniversity，F(xiàn)uzhou350007，China；2．DepartmentofPhysicsandElectricE

4、ngineering，NingdeUniversity，Ningde352100，China)Abstract：HighdensityZnOnanorodshavebeensynthesizedonM-dopedZnO(AZO)filmwhichwasdepositedonquartzsubstratesbymagnetronsputtering，bythermallyevaporatingZnpowderwithoutusinganymetalcatalyst．TheAZOfilmswereintentionallyp

5、ositionedintWOdirectionsoffaceandbacktothezincsource．Morphology，structureandopticalpropertiesofthesampleswereinvestigatedbyscan—ningelectronmicroscopy(SEM)，X-raydiffraction(XI)andfluorescencespectroscopy．TheresultsshowthattheZnOnanorodsonthesubstrateswithdifferen

6、tdirectionshavesimilarmorphologyandstructure．Photoluminescencespectrademonstratethatthesampleswith10mingrowingtimehaveastrongergreenemissionwhichisattributedtooxygenvacancies．Forthesampleswith15mingrowingtime，thenanorodsarelongerandmorevertical，andhaveastrongerne

7、arbandedgeemissionandawea—keroxygeninterva1emission．ThesamplegrownonAZOfilmfacingtothezincsourcesandwith15mingrowingtimehasthestrongestnearbandedgeemissionandtheweakestdeeplevelenergyemission．Keywords：ZnOnanorod；thermalevaporation；directionofsubstrate；morphology；

8、photoluminescence探測器、氣體傳感器、染料敏化太陽能電池嘲、場效1引言應晶體管、紫外可見激光器。制備一維ZnO納米材一維ZnO納米材料具有奇特的電子傳輸特性、光學料的方法很多，主要有水熱法嘲、溶膠凝膠法、金屬有特性和表面效應，可用于構造多種光電子器件，如紫外機氣相沉積法、脈沖激光沉積。和熱蒸發(fā)法m等。