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《工作氣壓對室溫磁控濺射CIGS膜的影響-論文.pdf》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內容在應用文檔-天天文庫。
1、真空科學與技術學報第33卷第6期610CHINESEJ0URNALOFVACUUMSCIENCEANDTEC刪OLoGY2013年6月工作氣壓對室溫磁控濺射CIGS膜的影響閏勇李莎莎歐玉峰晏傳鵬劉連張勇趙勇，余洲(1．西南交通大學超導與新能源研究開發(fā)中心磁浮技術與磁浮列車教育部重點實驗室成都610031；2．新南威爾士大學材料科學與工程學院悉尼2052)GrowthandCharacterizationofCu(In，Ga)Se2FilmsbyRFMagnetronSputteringatRoomTemperatureYanYong，LiShasha，OuY
2、ufeng，YanChuanpeng，LiuUan，ZhangYong，ZhaoYongl,2,YuZhou(1．SuperconductivityandNewEnergyR&DCenter，KeylaboratoryofAdvancedTechnologyofMaterialsofMird．~tryofEducation，SouthwestJiaotongUniversity，Chengdu610031，Ch／na；2．SchoolofMaterialsScienceandEngineering，UniversityofNew勘Wales，Syd,~205
3、2，Austra／／a)AbstractTheCu(In，Ga)Se2(CIGS)thinfilmsweredepositedbyRFmagnetronsputteringofasinglequaternarytargetatroomtemperatureonglasssubstrates，withoutadditionalselenization．Theimpactsofdepositionconditions，in—cludingtheargonpressure，sputteringpower，andsubstratetemperature，ontheq
4、ualityoftheCIGSfilmswereevaluated．Themicmstmcturesoftheas-depositedCIGSfilmswerecharacterizedwithX—raydifraction，scanningelectronmi—croscopy，X-rayfluorescencespectroscopy，andenergydispersivespectroscopy．Theresultsshowthatthepressurestronglyafectsthegrowthandpropertiesofthefilms．For
5、example，thedepositionratedecreasedwithanincreaseofthepressure．At0．2Pa，thecompactanduniformCIGSfilmsweregrown；atapressurehigherthan0．2Pa，non—uniform，roughCu2．Se-phasedgrainsformed，graduallyspreadingoverthefilmsurfaceswithanincreasedpressure．Possiblemechanismsre—sponsiblefortheformat
6、ionofCu2一Sephaseweretentativelydiscussedonthebasisofdynamicstheoryoffilmgrowth．KeywordsMagnetronsputteringCIGSthinfilm，Workpressure，Surfacemorphology摘要研究了工作氣壓對磁控濺射法制備CIGS薄膜的影響，采用x射線衍射，掃描電鏡，X射線螢光光譜和X射線能最色散譜分析了膜層的組織和成分。研究發(fā)現(xiàn)，工作氣壓升高，薄膜沉積速率降低。當工作氣壓低于O．2Pa時，薄膜致密均一；高于0．2Pa表面出現(xiàn)Cu2一Se相，并隨氣壓
7、升高在膜表面的覆蓋面積增大。對氣壓影響薄膜表面形貌的機理采用成膜動力學理論進行了討論。關鍵詞磁控濺射CIGS薄膜工作氣壓表面形貌中圖分類號：0484文獻標識碼：Adoi：10．3969／j．ism．1672—7126．2013．06．19銅銦鎵硒(CIGS)是一種P型直接帶隙半導體材面積均勻性好等特點，可制備高質量的薄膜_6j。國料，具有高達6×105cmI1的光吸收系數(shù)，僅需微米際上已開展采用合金靶一步磁控濺射法制備CIGS級的厚度便可吸收99％的太陽光，是第三代太陽能薄膜的研究，但制備工藝對CIGS薄膜的影響尚不明電池的主要材料?。CIGS的制備方法有很
8、多，如濺確，需要進一步深入研究。射后硒化法，共蒸發(fā)法
