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《溫度對(duì)Ga摻雜ZnS納米結(jié)構(gòu)的形貌及光致發(fā)光性能的影響-論文.pdf》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫。
1、第43卷第1期人工晶體學(xué)報(bào)Vo1．43No．12014年1月JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALSJanuary，2014日皿度對(duì)Ga摻雜ZnS納米結(jié)構(gòu)的形貌及光致發(fā)光性能的影響王坤鵬，，章海霞，翟光關(guān)，姜武，翟化松，許并社(1．太原理工大學(xué)新材料界面科學(xué)與工程教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，太原030024；2．山西省新材料工程技術(shù)研究中心，太原030024；3．太原理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，太原030024)摘要：分別以zn粉和s粉為原材料，Ga為摻雜劑，Au納米顆粒為催化劑，采用低溫化學(xué)氣相沉積法(CVD)，在si(100)襯底上制備了G
2、a摻雜的ZnS納米結(jié)構(gòu)。利用x射線衍射儀(XRD)、能量彌散X-ray譜(EDS)、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)和光致發(fā)光光譜(PL)等測(cè)試手段對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)、成分、形貌和發(fā)光性能進(jìn)行了分析。結(jié)果表明：隨著溫度的升高(450—550oC)，Ga摻雜ZnS納米結(jié)構(gòu)的形貌發(fā)生了從蠕蟲狀納米線到光滑納米線再到納米棒的演變，所制備的Ga摻雜的ZnS納米結(jié)構(gòu)均為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，分別在波長(zhǎng)為336rim和675nm處存在一個(gè)較強(qiáng)的近帶邊紫外發(fā)射峰和一個(gè)Ga摻雜引起的微弱紅光峰，而其它發(fā)光峰均是缺陷引起的。此外，本文還對(duì)Ga摻雜ZnS納米結(jié)構(gòu)的形成過程進(jìn)行了探
3、討，并提出了可能的形成機(jī)理。關(guān)鍵詞：ZnS納米結(jié)構(gòu)；Ga摻雜；光致發(fā)光；化學(xué)氣相沉積法；生長(zhǎng)機(jī)理中圖分類號(hào)：O614文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：1000-985X(2014)01-0031-07EfectsofTemperatureonMorphologyandPhotoluminescentPropertiesofGa-dopedZnSNanostructuresWANGKun-peng·’，ZHANGHai．xia，，ZHAIGuang—mei，，JIANGWu，ZHAIHua．song。，XUBing—she’(1．KeyLaboratoryo
4、fInterfaceScienceandEngineeringinAdvancedMaterials，MinistryofEducation，TaiyuanUniversityofTechnology，Taiyuan030024，China；2．ShanxiResearchCentreofAdvancedMaterialsScienceandTechnology，Taiyuan030024，China；3．CollegeofMaterialsScienceandTechnology，TaiyuanUniversityofTechnology，Ta
5、iyuan030024，China)(Received8September2013，accepted6October2013)Abstract：Ga—dopedZnSflanostructureswerepreparedonSi(100)substratebylow-temperaturechemicalvapordeposition(CVD)，usingSpowderandZnpowderasrawmaterial，GaasdopantandAunanoparticlesascatalyst．Thestructure，composition，m
6、orphologyandluminescentpropertiesofZnSsampleswereanalyzedbyX-raydiffraction(XRD)，energydispersiveX—rayspectroscopy(EDS)，fieldemissionscanningelectronmicroscopy(SEM)andphotoluminescence(PL)spectroscopy，respectively．Theresultsindicatethatwiththeincreaseofthetemperature，themorph
7、ologiesofGa—dopedZnSevolvedfromwolTn—likenanowirestosmoothnanowiresandthentonanorods．Allsampleswerehexagonalwurtzite，andshowedalargernear-band—edgeUVemissionpeakof336nmandaweakredlightemissionpeakof675nm，whileallotheremissionpeakswerecausedbydefectsofGadoping．Furthermore，the收
8、稿日期：2013-09-08；修訂日期：2013—10-06基金項(xiàng)目：國(guó)家自然科學(xué)基金(51002102)；山西省科技創(chuàng)新重點(diǎn)團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目(
