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《匝間耐壓測(cè)試儀的波形形成機(jī)制和工作原理》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫(kù)。
1、刮目鋤瑚匝間耐壓測(cè)波形形成機(jī)制和工作原理MechanismofProducingWaveandWorkingTheoryforWindingDielectricTestInstrument福建醫(yī)科大學(xué)(福州350004)孫東凱付商要】匝間耐壓測(cè)試儀是對(duì)電磁線繞制的產(chǎn)品進(jìn)行匝問(wèn)，層問(wèn)絕緣耐壓測(cè)試的新型儀器，它采用相同的高浪涌電壓分別施加在標(biāo)準(zhǔn)件和被測(cè)件，通過(guò)示波管觀察和比較兩者的波形以赳絕緣情況?！娟P(guān)鍵詞】絲塑耐壓測(cè)試墮堡里里l√1開(kāi)、l／f】，Abstract：Windingdielectrictest
2、erappliesasamehighsurgevoltagetomaste~andtestcoils，thesecoilsinresponsewillgenerateavoltagedecaywave，itCanbeais#ayeOontheCRTscreenbymeansofsamecircuits-Thenoperator,accordingtothedecaywaveformofthemastercoil，canjudgewhetherthetestcoilisgoodornot．Key試WOrd
3、s：Turn-by-turndielectricSurgetestsWaveformWorkingprinciple對(duì)于電機(jī)儀、變壓器，繼電器以及彩電的開(kāi)關(guān)電源變工作原理和波型形成過(guò)程。壓器和消，磁線．的圈等這些由漆包線繞制的產(chǎn)品，其絕緣性1工作原理能的項(xiàng)目包括：一是繞組對(duì)機(jī)殼，繞組對(duì)繞組的絕緣。另一類足一繞組中線圈層與層之間、匝與匝之間的絕緣。線圈示波器中主回路可以簡(jiǎn)化成圖1的形式，為對(duì)于前者絕緣試驗(yàn)的方法較易實(shí)現(xiàn)，就是我們通常使用高壓變壓器11P，次級(jí)電壓，其中TPD、c組成沖擊的絕緣耐壓測(cè)試肌儀。
4、而對(duì)于后者，因?yàn)槔@組首尾之間的電壓發(fā)生器?？煽毓鑃RG起著高壓開(kāi)關(guān)的作用，R為直流電阻和工頻阻抗遠(yuǎn)小于它的層與層，匝與匝之間絕波頭電阻。圖中L為被測(cè)件，C、FL是它的分部電容和緣電阻，實(shí)現(xiàn)j起來(lái)_、就復(fù)雜多了。然而電器的損壞燒毀，繞組電阻。正因?yàn)楸粶y(cè)件是直接接入主回路的兩端，故由第二種情況引發(fā)的不在少數(shù)，這是因?yàn)槠岚€的絕緣這種測(cè)量方法稱為直接浪涌電壓沖擊法?？煽毓鑃RG涂敷層本身存在著質(zhì)量問(wèn)題，以及在該部件生產(chǎn)過(guò)程中的觸發(fā)信號(hào)與相同步。當(dāng)ll
5、為正半周時(shí)，經(jīng)二極管不慎而引起絕緣層的損傷等都會(huì)造成線圈層
6、間或匝間絕D整流向C。充電，直到電容c上電壓接近lk的峰值時(shí)緣層的絕緣強(qiáng)度的下降，從而影響了電器設(shè)備的質(zhì)量和觸發(fā)電路產(chǎn)生一個(gè)，觸發(fā)可控硅SRG，可控硅被觸發(fā)可靠性。為了提高產(chǎn)品的質(zhì)量和使用壽命，保證部件的導(dǎo)通之后，電容C。便通過(guò)波頭電阻向被測(cè)件繞組放電。漆包線繞組層間或匝間絕緣良好是必不可少的，因而對(duì)電路瞬間的微分方程為：產(chǎn)品進(jìn)行這項(xiàng)試驗(yàn)就勢(shì)在必行。di‘盧(1)繞組匝間絕緣試驗(yàn)有多種方式，但目前國(guó)際上通用的是直接演涌電壓沖擊法。這是因?yàn)樵摲椒娐泛?jiǎn)單．式中是c。兩端之電壓．操作方便，同時(shí)是對(duì)試驗(yàn)對(duì)象直
7、接加壓，數(shù)據(jù)準(zhǔn)確、試將可控硅被觸發(fā)瞬間設(shè)為k，對(duì)被測(cè)繞組上的電壓驗(yàn)品與標(biāo)準(zhǔn)品的可此性強(qiáng)等的緣故。波形如圖2所示的整個(gè)過(guò)程可分成3個(gè)階段，下面介紹在一般情況下，直接沖擊電壓法主回路的1．1to-t可控硅觸發(fā)階段《中國(guó)儀器儀表}2oo03司目圃硼器TPLL一tIV一圖1可控硅SRG在b被觸發(fā)，由截止進(jìn)入導(dǎo)通被測(cè)件兩端電壓快速上升，呈現(xiàn)很大的阻抗而它的分布電容C此時(shí)的作用就不可忽視，但因Co>>C且c。己貯有電能，在短時(shí)間內(nèi)可看成恒電壓源，因而圖1電路可簡(jiǎn)化成由電壓源u?波頭電阻R和分布電容C相串聯(lián)的形式，而
8、且是一阻容電路的零狀態(tài)響應(yīng)，其響應(yīng)方程為：2容C．和電阻rf構(gòu)成了又一個(gè)RCL串聯(lián)諧振電路，由于～[卜唧(一)]分布電容上己充有電能，其初始條件為因視在波前時(shí)間定義為從0．3u到0．9U一時(shí)間的Un《t2)=一U和IL‘t)-010／6倍，經(jīng)推導(dǎo)，求得視在波前時(shí)間T和各參數(shù)的當(dāng)rL可忽略時(shí)表達(dá)式近似可寫成：關(guān)系：u《tUe一。exp(-a。0cos(m。0T≈3．24CL-R式中：而L兩端的電壓uL上升，公式近似成：，啦tKt其中：u一—“324’。巴√·G由于K值很大，L呈現(xiàn)很大的阻抗，在觸發(fā)的瞬間由
9、于分布電容C的容量遠(yuǎn)小于C。，因而使可控硅通過(guò)的電流很小，因而能對(duì)匝間施加很高的沖擊電壓，截止階段的頻率高于導(dǎo)通階段而又避免損傷繞阻，是屬于一種無(wú)損傷試驗(yàn)。另外，視可將以上3個(gè)公式合井起來(lái)成為整個(gè)過(guò)程被{昊9件繞在波前時(shí)間L的大小也決定了沖擊波侵入繞組的深度組上的電壓表達(dá)式：若Tn的時(shí)間短，沖擊波侵入的深度就淺，反之則深。rK￡f5f，1．2tf-t2可控硅導(dǎo)通階段={一一cos(t)，t~t
