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《GaN基LED低溫空穴注入層的MOCVD生長研究.pdf》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、第35卷第5期發(fā)光學報V01．35No．52014年5月CHINESEJOURNAL0FLUMINESCENCEMay，2014文章編號：1000-7032(2014)05-0595-05GaN基LED低溫空穴注入層的MOCVD生長研究黃華茂，游瑜婷，王洪+，楊光(華南理工大學理學院物理系廣東省光電工程技術(shù)研究開發(fā)中心，廣東廣州510640)摘要：針對GaN基LED空穴注入效率低的問題，在量子阱與電子阻擋層之間插入低溫空穴注入層(LT—HIL)，實驗研究了MOCVD生長LT．HIL時二茂鎂(cp：Mg)流量和生長溫度的影響。結(jié)果表明：隨著cp：
2、Mg流量的增加，外延薄膜晶體質(zhì)量下降，外延片表面平整度和均勻性降低；而受Mg摻雜時補償效應的影響，主波長先紅移后藍移。芯片的輸出光功率先升高后降低，正向電壓先降低后升高。相比于無LT．HIL的樣品，在20·ln工作電流下，cp，Mg流量為1．94I山mol／min時制備的芯片的輸出光功率提升20．3％，而正向電壓降低O．1v。在cp：Mg流量較大時，LT．HIL的漸變式生長溫度對外延質(zhì)量有所改善，但不是主要影響因素。關(guān)鍵詞：LED；MOCVD；低溫空穴注入層；二茂鎂；溫度中圖分類號：TN303：TN304文獻標識碼：ADOI：10．3788／f
3、gxb20143505．0595InvestigationofLowTemperatureHole-injectionLayerinGaN-basedLEDEpitaxialWaferGrownbyMOCVDHUANGHua—mao，YOUYu-ting，WANGHong+，YANGGuang(EngineeringResearchCenterforOptoelectronicsofGuangdongPr∞ince．DepartmentofPhysics，SchoolofScience，SouthChinaUniversityofTechnol
4、ogy，Guangzhou510640，China)}CorrespondingAuthor，E—mail：phhwang@scut．edu．cnAbstract：Alow—temperaturehole—injectionlayer(LT-HIL)wasinsertedbetweenmultiple—quantumwellandelectron-blockinglayerinGaN-basedthehole—in-light—emittingdiodes(LEDs)toimprovejectionefficiency．Theeffectsof
5、magnesocene(Cp2Mg)flowrateandprocesstemperatureofLT—HILinMOCVDepitaxywereinvestigated．Thesurfacereflectivityanddominantwavelengthofepi-taxialwafersweremeasuredbyphotoluminescencespectrometer，thesurfaceprofileswereobservedbymicroscope，andthelight-outputpowerandforwardvoltageo
6、ffabricatedchipsweretestedbywa·fer—levelauto-measurementsystem．AstheCp2Mgflowrateincreases，thecrystalquality，flatness，anduniformityofepilayerdecrease．DuetothecompensationeffectsinMg—dopedGaNmaterial，thedominantwavelengthshowsred—shiftatfirstandthenblue—shift，theoutputpowerof
7、thechipgoesuptothemaximumthenfallsdown，andtheforwardvoltagegoesdowntotheminimumthenrisesup．ComparedtoconventionalLEDchipswithoutLT—HIL，theoutputpowerandforwardvoltageoftheLEDchipswithCp2Mgmoralflowrateof1．94Ixmol／minareenhancedby20．3％andreducedby0．1Vundertheinjectioncurrento
8、f20mA．Itisalsoshownthatthegraduallychangingprocesstemperaturecanalsoimprove
