概述 晶體管場(chǎng)效應(yīng)管高頻等效電路.ppt

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1、第五章放大電路的頻率響應(yīng)5.1頻率響應(yīng)概述5.2晶體管的高頻等效模型5.3場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效模型5.4多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)5.1頻率響應(yīng)概述一、研究的問題：放大電路對(duì)信號(hào)頻率的適應(yīng)程度，即信號(hào)頻率對(duì)放大倍數(shù)的影響。由于放大電路中耦合電容、旁路電容、半導(dǎo)體器件極間電容的存在，當(dāng)輸入信號(hào)頻率過低或過高時(shí)，放大倍數(shù)的數(shù)值變小，而且產(chǎn)生超前或滯后相移，即放大倍數(shù)為頻率的函數(shù)。這種函數(shù)關(guān)系稱為頻率響應(yīng)或頻率特性。在使用一個(gè)放大電路時(shí)應(yīng)了解其信號(hào)頻率的適用范圍，在設(shè)計(jì)放大電路時(shí)，應(yīng)滿足信號(hào)頻率的范圍要求。二、基本概念1.高通電路:信號(hào)頻率越高，輸出電壓越接近輸入電壓。1.高通電路：頻率響應(yīng)

2、fLf>>fL時(shí)放大倍數(shù)約為12.低通電路:信號(hào)頻率越低，輸出電壓越接近輸入電壓。2.低通電路：頻率響應(yīng)fHf<

3、分布電容、寄生電容等雜散電容的容抗減小，使動(dòng)態(tài)信號(hào)損失，放大能力下降。下限頻率上限頻率5.2晶體管的高頻等效模型5.2.1混合π模型：形狀像Π，參數(shù)量綱各不相同結(jié)構(gòu)：由體電阻、結(jié)電阻、結(jié)電容組成。rbb’：基區(qū)體電阻rb’e’：發(fā)射結(jié)電阻Cπ：發(fā)射結(jié)電容re：發(fā)射區(qū)體電阻rb’c’：集電結(jié)電阻Cμ：集電結(jié)電容rc：集電區(qū)體電阻因多子濃度高而阻值小因面積大而阻值小混合π模型：忽略小電阻,考慮集電極電流的受控關(guān)系gm為跨導(dǎo)，它是一個(gè)常數(shù)，不隨信號(hào)頻率的變化而變。與與晶體管結(jié)構(gòu)示意圖對(duì)應(yīng)的混合π模型：簡化的混合π模型：忽略大電阻的分流Cμ連接了輸入回路和輸出回路，引入了反饋，信號(hào)傳遞有兩

4、個(gè)方向，使電路的分析復(fù)雜化。單向化后的混合π模型（即使信號(hào)單向傳遞）等效變換后電流不變晶體管簡化的高頻等效模型＝？5.2.2晶體管電流放大倍數(shù)的頻率響應(yīng)短路電流放大倍數(shù)的頻率特性曲線電流放大倍數(shù)的波特圖:采用對(duì)數(shù)坐標(biāo)系采用對(duì)數(shù)坐標(biāo)系，橫軸為lgf，可開闊視野；縱軸為單位為“分貝”（dB），使得“×”→“＋”。lgf注意折線化曲線的誤差－20dB/十倍頻折線化近似畫法晶體管的頻率參數(shù)共射截止頻率共基截止頻率特征頻率集電結(jié)電容通過以上分析得出的結(jié)論：①低頻段和高頻段放大倍數(shù)的表達(dá)式；②截止頻率與時(shí)間常數(shù)的關(guān)系；③波特圖及其折線畫法；④Cπ的求法。手冊(cè)查得5.3場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效電路可與

5、晶體管高頻等效電路類比，簡化、單向化變換。很大，可忽略其電流單向化變換極間電容CgsCgdCds數(shù)值/pF1～101～100.1～1忽略d-s間等效電容討論一電路如圖。已知各電阻阻值；靜態(tài)工作點(diǎn)合適，集電極電流ICQ＝1.5mA；晶體管的rbb’=100Ω，β=100，Cob=5pF，fβ=0.5MHz。試求解該電路中晶體管高頻等效模型中的各個(gè)參數(shù)。討論一