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《石墨微片半導(dǎo)電復(fù)合薄膜的制備與表征.pdf》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、第42卷第10期塑料工業(yè)CHINAPLASTICSINDUSTRY·21·2014年10月PI／石墨微片半導(dǎo)電復(fù)合薄膜的制備與表征吳雪松。劉立柱，張海軍，翁凌，王誠(1．哈爾濱理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，黑龍江哈爾濱150040；2．哈爾濱理工大學(xué)工程電介質(zhì)及其應(yīng)用教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，黑龍江哈爾濱150080)摘要：通過乙醇超聲處理膨脹石墨的方法制備石墨微片，并用原位聚合法制備聚酰亞胺／石墨微片復(fù)合薄膜；探討了復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)、微觀形態(tài)；討論了石墨微片的含量對(duì)復(fù)合薄膜的體積電阻率、表面電阻率、力學(xué)性能以及熱穩(wěn)定性的影響。結(jié)果表明，石墨微片
2、能夠在聚酰亞胺基體中均勻分布，并對(duì)復(fù)合薄膜亞胺化過程沒有影響，復(fù)合薄膜亞胺化完全。復(fù)合薄膜較純膜力學(xué)性能有所下降，熱穩(wěn)定性提高，在石墨微片質(zhì)量分?jǐn)?shù)為4％時(shí)，達(dá)到滲濾閾值，體積電阻率和表面電阻率均可下降到1O數(shù)量級(jí)，達(dá)到半導(dǎo)電復(fù)合薄膜的要求。關(guān)鍵詞：聚酰亞胺；石墨微片；復(fù)合薄膜；體積電阻率；表面電阻率DOI：10．3969／j．issn．1005—5770．2014．10．006中圖分類號(hào)：TQ323．7文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：1005—5770(2014)10—0021—04SynthesisandCharacteristicsofP
3、olyimide／GraphiteMicrochipSemiconductorCompositeFilmWUXue’song，LIULi—zhu，ZHANGHai-jun，WENGLing，WANGCheng(1．CollegeofMaterialsScienceandEngineering，HarbinUniversityofScienceandTechnology，Harbin150040，China；2．KeyLaboratoryofEngineeringDielectricandItsApplication，Ministryo
4、fEducation，HarbinUniversityofScienceandTechnology，Harbin150080，China)Abstract：Thepolyimide／graphitemicrochipcompositefilmwaspreparedbyinsitupolymerization，andthegraphitemicrochipwaspreparedbyethanolsonicatingtheexpandedgraphite．Thestructureandmicro—morphologyofthecompos
5、itefilmwerecharacterized．EffectsofgraphitemicrochipamountOnthesurfaceresistivity，volumeresistivity，themechanicalpropertiesandthethermalperformancewerediscussed．Theresultsshowedthatgraphitemicrochipcanbeuni~rmlydistributedinthepolyimidematrixandtheimidizationwascomplete．
6、Mechanicalpropertiesofcompositefilmweredecreasedbutthethermalstabilitywasimproved，comparedwithpurefilm．Whenmasscontentofthegraphitemicrochipwas4wt％，percolationthresholdwasreached．Thesurfaceresistivityandthevolumeresistivityofthecompositefilmcouldbedownto10Q．whichmetther
7、equirementsofthesemiconductorcompositefilm．Keywords：Polyimide；GraphiteMicrochip；CompositeFilm；SurfaceResistivity；VolumeResistivity聚酰亞胺(PI)是一種新型特種工程塑料，具儀器的測量精度，所以要對(duì)聚酰亞胺進(jìn)行防靜電處有良好的耐熱性、介電性能、耐腐蝕性、力學(xué)性能，理，才能讓聚酰亞胺材料應(yīng)用到更廣闊的領(lǐng)并且制品尺寸穩(wěn)定性高，可以進(jìn)行多種性能改性，一域中-91。直是科學(xué)家們熱衷的改性材料之一ll叫]。聚酰亞胺目前
8、，國內(nèi)外對(duì)聚酰亞胺材料的防靜電處理主要制品在微電子行業(yè)、航空航天、電氣電纜等多個(gè)領(lǐng)域有三種：添加導(dǎo)電填料；與導(dǎo)電高分子共混；表面涂都發(fā)揮著極為重要的作用-5-6]。聚酰亞胺材料的絕覆防靜電涂料_lJ。其中添加導(dǎo)電填料為最
