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1、物理學(xué)報(bào)ActaPhys.Sin.Vo1.63,No.12(2014)123201氦原子精密光譜實(shí)驗(yàn)中的精密磁場(chǎng)設(shè)計(jì)與測(cè)量術(shù)馮高平孫羽十鄭昕胡水明(中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué),合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室,合肥230026)(2014年1月2日收到;2014年3月8日收到修改稿)在很多精密原子光譜實(shí)驗(yàn)中,雜散磁場(chǎng)或者磁場(chǎng)強(qiáng)度的不均勻所引入的系統(tǒng)誤差,是影響實(shí)驗(yàn)不確定度的主要因素之一.為保iiE~U量精度,必須實(shí)現(xiàn)精密的磁場(chǎng)控制.氦原子精細(xì)結(jié)構(gòu)的精密光譜測(cè)量可用于測(cè)定精細(xì)結(jié)構(gòu)常數(shù),同時(shí)也是檢驗(yàn)多電子原子體系量子電動(dòng)力學(xué)理論的一種重要方法.本文介紹所設(shè)計(jì)制
2、作的磁屏蔽系統(tǒng)和余弦線圈產(chǎn)生精密可控磁場(chǎng),并利用He原子光譜對(duì)所加磁場(chǎng)進(jìn)行了精密測(cè)定.磁屏蔽結(jié)構(gòu)可將外磁場(chǎng)降低到小于0.8mGs(1Gs=i0_4T),控制磁場(chǎng)在20Gs范圍內(nèi)時(shí),光譜測(cè)量區(qū)域磁場(chǎng)的不均勻性和控制誤差均小于i0mGs.在此實(shí)驗(yàn)條件下,氦原子精細(xì)結(jié)構(gòu)精密光譜測(cè)量中磁場(chǎng)所導(dǎo)致的系統(tǒng)誤差小于0.2kHz.關(guān)鍵詞:氦原子,精細(xì)結(jié)構(gòu),磁屏蔽,磁場(chǎng)測(cè)量PACS:32.30.一r,07.55.Ge,07.55.Nk,42.62.FiDOI:10.7498/aps.63.123201精細(xì)結(jié)構(gòu)最適于在原子體系中測(cè)定精細(xì)結(jié)構(gòu)常數(shù)OL1引言和檢驗(yàn)Q
3、ED理論.氦原子精細(xì)結(jié)構(gòu)躍遷的精密光譜測(cè)量實(shí)驗(yàn)中,精細(xì)結(jié)構(gòu)常數(shù)是一個(gè)基本物理常數(shù),用于表系統(tǒng)誤差的修正是需要考慮的關(guān)鍵因素.在已報(bào)征電磁相互作用的強(qiáng)度,也是量子電動(dòng)力學(xué)理論道的實(shí)驗(yàn)結(jié)果中,實(shí)驗(yàn)測(cè)量精度在0.35一1.4kHzfQED)中惟一可調(diào)節(jié)參數(shù).氦原子精細(xì)結(jié)構(gòu)的精范圍,而不同實(shí)驗(yàn)結(jié)果之間的系統(tǒng)偏差甚至達(dá)到密光譜,是基于量子電動(dòng)力學(xué)原理測(cè)定精細(xì)結(jié)構(gòu)常3.5kHz[4,841.其中,由于躍遷頻率對(duì)于磁場(chǎng)十分?jǐn)?shù)的方法之一[1-4】.該方法所得的測(cè)量結(jié)果與通過(guò)敏感,實(shí)驗(yàn)中地磁場(chǎng)等雜散磁場(chǎng)帶來(lái)的影響是測(cè)量測(cè)量電子反常磁矩【】等完全不同的方法所得結(jié)
4、果誤差的主要因素之一.為了減小磁場(chǎng)引入的系統(tǒng)誤進(jìn)行比較,在檢驗(yàn)QED理論的內(nèi)在自洽性等方面差,需要盡量降低測(cè)量區(qū)域的雜散磁場(chǎng)強(qiáng)度,技術(shù)具有重要的意義.氦原子是最簡(jiǎn)單的多電子原子,上通常采用主動(dòng)補(bǔ)償或被動(dòng)屏蔽的方法實(shí)現(xiàn).主動(dòng)其束縛態(tài)能級(jí)包含復(fù)雜的電子一電子相互作用的貢補(bǔ)償是通過(guò)添加與外場(chǎng)方向相反、大小相等的補(bǔ)償獻(xiàn),是多體物理研究的典型.氦原子研究高精密光場(chǎng),以抵消外場(chǎng)的影響;被動(dòng)屏蔽是指采用高磁導(dǎo)譜測(cè)量可為多電子束縛態(tài)原子物理和量子力學(xué)近率合金制作磁屏蔽結(jié)構(gòu),將雜散磁場(chǎng)衰減,從而降似方法提供高靈敏檢驗(yàn).低對(duì)測(cè)量的影響.磁場(chǎng)測(cè)量常以磁場(chǎng)強(qiáng)度的大小
5、4He原子精細(xì)結(jié)構(gòu)能級(jí)如圖1(a)所示.其中三作為度量標(biāo)準(zhǔn).在He精細(xì)結(jié)構(gòu)的精密測(cè)量中,一重態(tài)的基態(tài)23S1為亞穩(wěn)態(tài),壽命約7870S[6,7】;三重般需要主動(dòng)添加確定的外磁場(chǎng)對(duì)高階塞曼效應(yīng)引態(tài)第一激發(fā)態(tài)23P.,由于存在自旋和軌道相互作用,入的誤差進(jìn)行修正,因而對(duì)所加磁場(chǎng)的準(zhǔn)確測(cè)量,分裂為三個(gè)子能級(jí),相應(yīng)能級(jí)間隔分別約2.291和是實(shí)現(xiàn)精密測(cè)量的前提.同時(shí),利用原子在磁場(chǎng)中29.617GHz.理論認(rèn)為[1-3】,23P01,2—20S1躍遷的的塞曼效應(yīng),通過(guò)激光抽運(yùn)磁共振方法測(cè)定磁場(chǎng),,+國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):11304303,2122
6、5314)、中國(guó)博士后科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào)2013M541828)和中央高?;究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)(批準(zhǔn)號(hào):WK23400000421資助的課題.t通訊作者.E-mail:robert@mail.ustc.edu.ca◎2014中國(guó)物理學(xué)會(huì)ChinesePhysicalSocietyhttp://wulixb.iphy.nc.cn123201—1f物理學(xué)報(bào)ActaPhys.Sin.Vo1.63,No.12(2014)123201光譜探測(cè)區(qū)磁屏蔽設(shè)計(jì):實(shí)驗(yàn)中采用被動(dòng)屏蔽系中,若Y軸正半部分的電流方向沿Z軸正方向,Y的方法對(duì)外磁場(chǎng)進(jìn)行衰減,以減小地磁場(chǎng)和環(huán)境
7、中軸負(fù)半部分的電流方向沿Z軸負(fù)方向,則磁場(chǎng)方向雜散磁場(chǎng)對(duì)測(cè)量的影響.磁屏蔽通常是采用具有較沿X軸正方向.對(duì)應(yīng)的導(dǎo)線在Y軸正半部分圓周面高磁導(dǎo)率的薄壁殼體材料制成,根據(jù)實(shí)際需要,可上的排布如圖3fC)所示.由于單位電流產(chǎn)生的磁做成圓球狀、圓筒狀、長(zhǎng)方體等各種形狀[23-27】.影場(chǎng)與線圈的總導(dǎo)線數(shù)目成正比,因此該方法設(shè)計(jì)的響屏蔽效果的因素主要包括屏蔽體的尺寸f長(zhǎng)度線圈具有較大的調(diào)節(jié)范圍.、半徑R等),屏蔽材料的厚度t、屏蔽材料的磁導(dǎo)。率,對(duì)于多層結(jié)構(gòu)還需要考慮屏蔽體的層數(shù)n、層間間距等.在磁屏蔽系統(tǒng)的加工過(guò)程中,材料的熱處理工藝對(duì)磁導(dǎo)率以及最終
8、的屏蔽效率有重要影響【28_301.影響磁性能最大的因素主要包括退火r氣氛、退火溫度和時(shí)間、冷卻速度.非真空熔煉材料‘‘采用真空退火可以獲得更好的磁性能,而真空熔煉