光電技術(shù)第3講.ppt

《光電技術(shù)第3講.ppt》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫(kù)。

1、光電技術(shù)第三講某些物質(zhì)吸收光子的能量產(chǎn)生本征吸收或雜質(zhì)吸收，從而改變物質(zhì)電導(dǎo)率的現(xiàn)象，稱為物質(zhì)的光電導(dǎo)效應(yīng)。利用具有光電導(dǎo)效應(yīng)的材料（本征半導(dǎo)體硅、鍺等，雜質(zhì)半導(dǎo)體、硫化鎘、硒化鎘、氧化鉛等）可以制成電導(dǎo)率隨入射光度量變化的器件，稱為光電導(dǎo)器件或光敏電阻。光敏電阻具有體積小、堅(jiān)固耐用、價(jià)格低廉、光譜響應(yīng)范圍寬等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于微弱輻射信號(hào)的探測(cè)領(lǐng)域。光電導(dǎo)器件光敏電阻的原理與結(jié)構(gòu)光敏電阻的基本原理光敏電阻的原理圖和符號(hào)如圖所示。在均勻具有光電導(dǎo)效應(yīng)的半導(dǎo)體材料的兩端加上電極，便構(gòu)成光敏電阻。當(dāng)光敏電阻的

2、兩端加上適當(dāng)?shù)钠秒妷汉?，便有電流流過(guò)，用檢流計(jì)可以檢測(cè)到該電流。改變照射到光敏電阻上的光度量（如照度），發(fā)現(xiàn)流過(guò)光敏電阻的電流發(fā)生變化，說(shuō)明光敏電阻的阻值隨照度變化。分類：兩大類，本征型半導(dǎo)體光敏電阻和雜質(zhì)型半導(dǎo)體光敏電阻。本征型半導(dǎo)體的電子要從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶需要克服較大的禁帶寬度，要吸較大的光子通量，才會(huì)形成自由電子空穴對(duì)。因此，本征型光敏電阻所能探測(cè)的光波長(zhǎng)短于雜質(zhì)型光敏電阻。雜質(zhì)型光敏電阻一般用于長(zhǎng)波光的探測(cè)，例如紅外波段、甚至遠(yuǎn)紅外波段輻射探測(cè)。光敏電阻的基本結(jié)構(gòu)光敏電阻在微弱輻射作用下，光電

3、導(dǎo)靈敏度與光敏電阻兩極間的距離的平方成反比。強(qiáng)輻射作用下，靈敏度與兩電極間的二分之三次方成反比。因此靈敏度與兩電極間的距離有較大的關(guān)系。為提高靈敏度，應(yīng)盡量縮短光敏電阻兩電極間的距離。此為光敏電阻結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基本原則。三種結(jié)構(gòu)的光敏電阻。梳狀電極蛇形光敏面的刻線式光敏材料加電極典型的光敏電阻CdS光敏電阻該電阻是最常見(jiàn)的光敏電阻，其光譜響應(yīng)特性接近人眼的光譜光視效率V(λ)，可見(jiàn)其在可見(jiàn)光波段范圍內(nèi)的靈敏度最高，因此被廣泛應(yīng)用于燈光自動(dòng)控制，以及照相機(jī)的自動(dòng)測(cè)光等方面。CdS光敏電阻制備方法：蒸發(fā)、燒結(jié)或

4、粘接一般會(huì)將CdS與CdSe配合使用?；蛟贑dS中加入Cu或Cl，使其同時(shí)具有本征和雜質(zhì)半導(dǎo)體器件的特性。使光敏電阻的探測(cè)范圍向紅外波段延伸，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)也延長(zhǎng)。CdS光敏電阻的峰值響應(yīng)波長(zhǎng)為0.52um，CdSe光敏電阻的峰值響應(yīng)波長(zhǎng)為0.72um，通過(guò)調(diào)整S和Se的配比，使光敏電阻的峰值響應(yīng)變化，達(dá)到與人眼相近的波長(zhǎng)。CdS光敏電阻一般制成蛇形光敏面結(jié)構(gòu)。下表一列出了該光敏電阻的特性參數(shù)。PbS光敏電阻是近紅外波段最靈敏的光電導(dǎo)器件。采用蒸發(fā)或化學(xué)沉積方法制備，多制成厚度為um量級(jí)的多晶或單晶膜。P

5、bS的峰值響應(yīng)波長(zhǎng)在2um，常用于火災(zāi)等探測(cè)。PbS的響應(yīng)范圍及比探測(cè)率等特性與工作溫度有關(guān)，隨著工作溫度的降低，其峰值響應(yīng)波長(zhǎng)和長(zhǎng)波限向長(zhǎng)波方向移動(dòng)，且比探測(cè)率增加。室溫下：1-3.5um,峰值波長(zhǎng)為2.4um195K時(shí)，1-4um,峰值波長(zhǎng)達(dá)到2.8umInSb光敏電阻波長(zhǎng)范圍為3-5um的主要探測(cè)器件之一，單晶材料制備，工藝成熟，切片，磨片，拋光后，腐蝕減薄。大面積器件適合制作成陣列室溫下長(zhǎng)波限可達(dá)7.5um，峰值波長(zhǎng)在6um77K時(shí)，長(zhǎng)波限縮短至5.5um，峰值波長(zhǎng)也移至5um。恰為大氣窗口。H

6、g1-xCdxTe系列光電導(dǎo)探測(cè)器件該系探測(cè)器件是目前所有紅外探測(cè)器件中性能最優(yōu)良且最有前途的探測(cè)器件，尤其是對(duì)于4-8um的大氣窗口探測(cè)更為重要。該材料是由HgTe和CdTe兩種材料制備的，其中x標(biāo)明Cd元素含量的成分多少。不同的含量可以得到不同的禁帶寬度，從而制造出不同波長(zhǎng)響應(yīng)的探測(cè)器件。光敏電阻的基本特性光敏電阻為多數(shù)電子導(dǎo)電的光電敏感器件，其特性與其他光電器件的差別表現(xiàn)在它的基本特性參數(shù)上。光敏電阻的基本特性參數(shù)包括光電特性，伏安特性，溫度特性，時(shí)間響應(yīng)，噪聲特性等。光電特性暗電導(dǎo)：光敏電阻在黑

7、暗室溫條件下，由于熱激發(fā)產(chǎn)生載流子使其具有一定的電導(dǎo)。暗電導(dǎo)一般很小光電導(dǎo)：當(dāng)有光照射光敏面上時(shí)，電導(dǎo)將變大，稱為光電導(dǎo)光敏電阻的光電特性:電導(dǎo)隨光照量變化越大的光敏電阻，其靈敏度越高，這個(gè)特性稱為光敏電阻的光電特性除兩種極端光照條件:弱和強(qiáng)外，還有一般照射條件下，電導(dǎo)隨光照變化的情況?？捎迷诤愣妷合铝鬟^(guò)光敏電阻的電流與作用其上的光照度E的關(guān)系曲線來(lái)描述。由線性漸變?yōu)榉蔷€性。恒壓下，光電流為：弱輻射條件下，r=1，強(qiáng)輻射時(shí)r=0.5，r為光電轉(zhuǎn)換因子。伏安特性光敏電阻的本質(zhì)是電阻，符合歐姆定律，因此具

8、有與普通電阻相似的伏安特性，但是它電阻值是隨入射光量的變而變化的。測(cè)出不同光照條件下加在光敏電阻兩端電壓U與流過(guò)其電流I的關(guān)系曲線，稱為光敏電阻的伏安特性曲線。虛線為允許功耗線或額定功耗線，使用時(shí)，設(shè)計(jì)光敏電阻的變換電路時(shí)，使光敏電阻工作在虛線范圍內(nèi)。溫度特性光敏電阻為多數(shù)載流子導(dǎo)電的光電器件。溫度特性復(fù)雜。溫度特性與光電導(dǎo)材料有密切關(guān)系。不同材料的光敏電阻有不同的溫度特性。圖中為CdS和CdSe光敏電阻在不同照度下的溫度特性曲線。以室溫的