資源描述：
《無(wú)線充電發(fā)射芯片.pdf》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫(kù)。
1、規(guī)格說(shuō)明書(shū)SGD5020無(wú)線充電發(fā)射芯片版本1.0SGD5020無(wú)線充電發(fā)射芯片目錄1.概述...............................................................................................................................32.特性.........................................................................................................................
2、......33.應(yīng)用...............................................................................................................................34.引腳說(shuō)明........................................................................................................................45.功能模塊框圖.........................
3、........................................................................................56.封裝尺寸圖....................................................................................................................57.應(yīng)用電路圖...............................................................................
4、.....................................68.電氣參數(shù)........................................................................................................................79.修改記錄........................................................................................................................7Page2of
5、7SGD5020無(wú)線充電發(fā)射芯片1.概述目前此款無(wú)線充電發(fā)射芯片，集成功率驅(qū)動(dòng)，頻率控制，外圍器件非常精簡(jiǎn)，采用COMS寬電壓制程工藝，具有精度高穩(wěn)定性好特點(diǎn)。在無(wú)線感應(yīng)充電、供電管理系統(tǒng)應(yīng)用中可靠性能高和靈活。內(nèi)部集成高電壓低內(nèi)阻的功率NMOSFET，產(chǎn)品上應(yīng)用更加有優(yōu)勢(shì)和效率更高。2.特性?內(nèi)置的PWM發(fā)生器和功率級(jí)技術(shù)?寬工作電壓：3V至15V?集成60V85m?NMOSFET，確保高效率與低功耗?單片式無(wú)線功率發(fā)送器?外圍器件非常簡(jiǎn)單，只需幾個(gè)普通外圍器件?PWM頻率精度高穩(wěn)定性好3.應(yīng)用?電隔離設(shè)備?防水產(chǎn)品?美容美膚產(chǎn)品?電動(dòng)剃須刀?成人用品?魚(yú)缸?手持式儀器?數(shù)碼產(chǎn)品Page3
6、of7SGD5020無(wú)線充電發(fā)射芯片4.引腳說(shuō)明管腳序號(hào)管腳名稱功能描述1VDD芯片的電源偏置電路設(shè)置端口，外接電阻，電阻越小2INR1偏置電流越大諧振頻率控制端口，與INC端口電容決定3INR2諧振頻率諧振頻率控制端口，與INR2端口電阻決4INC定諧振頻率，計(jì)算公式為：F=1/(2.7*R*C)內(nèi)置功率管的漏端，外部連接并聯(lián)LC諧5/6SW振發(fā)射線圈7/8GND芯片的地Page4of7SGD5020無(wú)線充電發(fā)射芯片5.功能模塊框圖VDDBandGapBiasINR1SWINR2OSCDRIVERINCGND6.封裝尺寸圖SOP8Page5of7SGD5020無(wú)線充電發(fā)射芯片7.應(yīng)用電路圖
7、VCCC110U18VDDGND27INR1GND36D1INR2SW45INCSWR3R1R21N5819C4SGD50200R10K20K100PC3C2L110U10315UH1、C3電容采用耐壓100V以上的NPO電容或者滌綸電容，薄膜電容。2、L1是發(fā)射線圈，盡量采用多股線繞制以便減小諧振內(nèi)阻，根據(jù)接收端線圈尺寸去繞制對(duì)應(yīng)尺寸和形狀3、C1電容盡量靠近芯片，到芯片VIN和AGND的走線盡量短和粗4、
