材料現(xiàn)代分析方法練習題及答案.doc

《材料現(xiàn)代分析方法練習題及答案.doc》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內容在教育資源-天天文庫。

1、..材料現(xiàn)代分析方法1在電鏡中，電子束的波長主要取決于什么？答：取決于電子運動的速度和質量2什么是電磁透鏡？電子在電磁透鏡中如何運動？與光在光學系統(tǒng)中的運動有何不同？答：運用磁場對運動電荷有力的作用這一特點使使電子束聚焦的裝置稱為電磁透鏡。近軸圓錐螺旋運動。不同點：光學系統(tǒng)中光是沿直線運動的，在電磁透鏡中電子束作近軸圓錐螺旋運動。3電磁透鏡具有哪幾種像差？是怎樣產(chǎn)生的，是否可以消除？如何來消除和減少像差？答：有球差、像散、色差。球差：是磁透鏡中心區(qū)和邊沿區(qū)對電子的折射能力不同引起的。像散：像散是由于電磁透鏡的周向磁場非旋轉對

2、稱引起不同方向上的聚焦能力出現(xiàn)差別。色差：色差是由入射電子的波長或能量的非單一性造成的。球差可以消除，用小孔徑成像時，可使其明顯減??；像散只能減弱，可以通過引入一強度和方位都可以調節(jié)的矯正磁場來進行補償；色差也只能減弱，穩(wěn)定加速電壓和透鏡電流可減小色差。4什么是電磁透鏡的分辨本領？主要取決于什么？為什么電磁透鏡要采用小孔徑角成像？答：分辨本領是指成像物體（試樣）上能分辨出來的兩個物點間的最小距離；電磁透鏡的分辨率主要由衍射效應和像差來決定；用小孔徑成像原因是可以使球差明顯減小。5說明影響光學顯微鏡和電磁透鏡分辨率的關鍵因素是

3、什么？如何提高電磁透鏡的分辨率？答：關鍵因素是用來分析的光源的波長，對于光學顯微鏡光源是光束，對于電磁透鏡是電子束；減小電磁透鏡的電子光束的波長可提高分辨率。6試比較光學顯微鏡成像和透射電子微鏡成像的異同點，答：相同點：都要用到光源，都需要裝置使光源聚焦成像。異同點：光學顯微鏡的光源是可見光，聚焦用的是玻璃透鏡，而透射電子顯微鏡的分別是電子束和電磁透鏡。光學顯微鏡分辨本領低，放大倍數(shù)小，景深小，焦長短，投射顯微鏡分辨本領高，放大倍數(shù)大，景深大，焦長長。7為什么透射電鏡的樣品要求非常薄，而掃描電鏡無此要求？答：因為用透射電鏡分

4、析時，電子光束要透過樣品在底片上形成衍射圖案，樣品過厚則無法得到衍射圖案，對于掃描電鏡，對樣品無此要因為用掃描電鏡時是通過分析Word資料...電子束與固體樣品作用時產(chǎn)生的信號來研究物質，所以對樣品不要求非常薄。8什么是衍射襯度？它與質厚襯度有什么區(qū)別？答：衍射襯度主要是由于晶體試樣滿足布拉格反射條件程度差異以及結構振幅不同而形成電子圖象反差。而質厚襯度是由于試樣的質量和厚度不同，各部分對入射電子發(fā)生相互作用，產(chǎn)生的吸收與散射程度不同，而使得透射電子束的強度分布不同，形成反差。9.何謂襯度？TEM能產(chǎn)生哪幾種襯度像，是怎么產(chǎn)

5、生的，都有何用途？答：由于樣品各部分結構的不同而導致透射到熒光屏強度的不均勻分布現(xiàn)象就稱為襯度。TEM可產(chǎn)生相位襯度和振幅襯度。振幅襯度是由于入射電子通過試樣時，與試樣原子發(fā)生相互作用而發(fā)生振幅的變化，引起反差。振幅襯度主要有質厚襯度和衍射襯度兩種。由于試樣的質量和厚度不同，各部分對入射電子發(fā)生相互作用，產(chǎn)生的吸收與散射程度不同，而使得透射電子束的強度分布不同，形成反差，稱為質-厚襯度。衍射襯度主要是由于晶體試樣滿足布拉格反射條件程度差異以及結構振幅不同而形成電子圖象反差。10.畫圖說明衍襯成像原理，并說明什么是明場像，暗場

6、像和中心暗場像。只讓中心透射束穿過物鏡光欄形成的衍襯像稱為明場像。只讓某一衍射束通過物鏡光欄形成的衍襯像稱為暗場像。入射電子束相對衍射晶面傾斜角，此時衍射斑將移到透鏡的中心位置，該衍射束通過物鏡光欄形成的衍襯襯度像稱為中心暗場成像。11.制備薄膜樣品的基本要什么？具體工藝如何？雙噴減薄與離子減薄各適合于制備什么樣品？Word資料...薄膜樣品的制備必須滿足以下要求：?薄膜樣品的組織結構必須和大塊樣品相同，制備過程中，這些組織結構不發(fā)生變化。?薄膜樣品厚度必須足夠薄，只有能被電子束透過，才有可能進行觀察和分析。?薄膜樣品應有一

7、定強度和剛度，在制備，夾持和操作過程中，在一定的機械力作用下不會引起變形或損壞。?在樣品制備過程中不容許表面產(chǎn)生氧化和腐蝕。氧化和腐蝕會使樣品的透明度下降，并造成多種假象。具體工藝為用電火花線切割法初減薄，通過手工研磨或化學腐蝕進行預減薄，用雙噴電解拋光減薄和離子減薄法來最終減薄。離子減薄方法可以適用于礦物、陶瓷、半導體及多相合金等電解拋光所不能減薄的樣品。雙噴減薄可以適用于金屬與部分合金。12、設樣品中有不同取向的兩個相鄰晶粒，在強度為I0的入射電子束照射下，A晶粒的（HKL）晶面與入射束間的夾角正好等于布拉格角，形成強度

8、為IHKL的衍射束，其余晶面均不滿足布拉格方程；而B晶粒的所有晶面均與衍射條件存在較大的偏差。試繪出明場，暗場，中心暗場像條件下衍射襯度的光路圖，并分別求出明場像和暗場像條件下像平面上A晶粒和B晶粒對應區(qū)域的電子束強度？答：明場像：A晶粒為：IHKLB晶粒為：I0暗場像：A晶粒為：IHKL