晶體硅太陽(yáng)能電池培訓(xùn)-清洗制絨課件.ppt

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1、晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線清洗制絨工序培訓(xùn)眾陽(yáng)光能目錄1、清洗制絨的作用及方法；2、清洗制絨的工藝設(shè)備及操作流程；3、主要檢測(cè)項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)；4、常見(jiàn)問(wèn)題及解決方法；5、未來(lái)工藝的發(fā)展方向；1、清洗制絨的作用及方法太陽(yáng)電池生產(chǎn)流程：清洗制絨擴(kuò)散去PSG印刷刻蝕PECVD硅片燒結(jié)電池電池生產(chǎn)線硅片生產(chǎn)線組件生產(chǎn)線清洗制絨作為太陽(yáng)電池生產(chǎn)中的第一道工序，其主要作用有兩個(gè)：損傷層1）祛除硅片表面的雜質(zhì)損傷層：損傷層是在硅片切割過(guò)程中形成的表面（10微米左右）晶格畸變，具有較高的表面復(fù)合。2）形成陷光絨面結(jié)構(gòu)：光線照射在硅片表面通過(guò)多次折射，達(dá)到減少反射率的目的。絨面制作方法：

2、目前，晶體硅太陽(yáng)電池的絨面一般的是通過(guò)化學(xué)腐蝕的方法制作完成，針對(duì)不同的硅片類型，有兩種不同的化學(xué)液體系：1、清洗制絨的作用及方法2）多晶硅絨面制作：多晶硅絨面單晶硅絨面1）單晶硅絨面制作：Si+2NaOH+H2O→Na2SiO3+2H2↑此反應(yīng)為各向異性反應(yīng)，也是形成金字塔絨面的原因3Si+4HNO3→3SiO2+4NO+2H2OSiO2+4HF→SiF4+2H2OSiF4+2HF→H2SiF6此反應(yīng)為各向同性反應(yīng)，形成蠕蟲(chóng)孔狀絨面絨面反射率：1、清洗制絨的作用及方法制絨前：硅片表面的反射率一般為20%左右；制絨后：?jiǎn)尉У姆瓷渎士山抵?0%；多晶可降至15%；

3、清洗制絨可有效提升對(duì)光線的吸收效率，提升電池性能。2.1單晶硅制絨設(shè)備設(shè)備架構(gòu)：槽式制絨設(shè)備，分為制絨槽、水洗槽、噴淋槽、酸洗槽等。設(shè)備特點(diǎn)：可根據(jù)不同清洗工藝配置相應(yīng)的清洗單元；清洗功能單元模塊化，各部分有獨(dú)立的控制單元，可隨意組合；結(jié)構(gòu)緊湊，凈化占地面積小，造型美觀、實(shí)用，操作符合人機(jī)工程原理。生產(chǎn)能力：邊長(zhǎng)125：3600pcs/h邊長(zhǎng)156：3600pcs/h2、清洗制絨的工藝設(shè)備及操作流程工藝槽體布局及工藝：操作方向水槽水槽制絨槽制絨槽2、清洗制絨的工藝設(shè)備及操作流程工藝上片水槽水槽水槽HCL槽HF槽各種藥液的作用1.異丙醇：降低硅片表面張力，減少氣泡

4、在硅片表面的吸附，使金字塔更加均勻一致。2.添加劑：-降低硅表面張力，促進(jìn)氫氣泡的釋放，是金字塔更加均勻一致。-增加溶液的粘稠度，減弱NaOH溶液對(duì)硅片的腐蝕力度，增強(qiáng)腐蝕的各向異性3.HF酸：去除硅的氧化物，使硅片更易脫水4.HCL：去除金屬離子單晶制絨遵循原則：小而均勻，布滿整個(gè)硅片表面2、清洗制絨的工藝設(shè)備及操作流程工藝單晶制絨過(guò)程中影響因素1.堿液濃度2.溶液的溫度3.制絨腐蝕時(shí)間的長(zhǎng)短4.異丙醇的濃度5.制絨槽內(nèi)硅酸鈉的累積量6.槽體密封程度、異丙醇的揮發(fā)程度單晶制絨生產(chǎn)流程:注意事項(xiàng)：1.進(jìn)入制絨車間佩戴好防酸堿手套、圍裙、口罩等；2.禁止裸手接觸硅

5、片；3.甩干后保持硅片表面干燥；4.及時(shí)將甩干后硅片送入擴(kuò)散車間，滯留時(shí)間不超過(guò)20min。2、清洗制絨的工藝設(shè)備及操作流程工藝上料位下料位2、清洗制絨的工藝設(shè)備及操作流程工藝2.2多晶制絨設(shè)備：設(shè)備架構(gòu)：鏈?zhǔn)街平q，槽體根據(jù)功能不同分為入料段、蝕刻段、水洗段、堿洗段、水洗段、酸洗段、溢流水洗段、吹干槽。所有槽體的功能控制在操作電腦中完成。產(chǎn)品特點(diǎn)：有效減少化學(xué)藥品使用量高擴(kuò)展性模塊化制程線擁有完善的過(guò)程監(jiān)控系統(tǒng)和可視化操作界面優(yōu)化流程，降低人員勞動(dòng)強(qiáng)度通過(guò)高可靠進(jìn)程降低碎片率自動(dòng)補(bǔ)充耗料實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定過(guò)程控制產(chǎn)能：125mm*125mm硅片：2500片/小時(shí)156mm

6、*156mm硅片：2400片/小時(shí)槽體布局及基本工藝：2、清洗制絨的工藝設(shè)備及操作流程工藝多晶制絨的影響因素：1.溫度對(duì)氧化反應(yīng)的影響比較大，對(duì)擴(kuò)散及溶解反應(yīng)的影響比較小。溫度升高，反應(yīng)速度常數(shù)會(huì)增大，物質(zhì)傳輸速度也增大。2.水的加入主要降低了硝酸的濃度，從而減小了酸液對(duì)硅片的氧化能力3.硫酸能提高溶液粘度，也不參加腐蝕反應(yīng)，可以穩(wěn)定反應(yīng)速度，增加腐蝕均勻性。（rena刻蝕設(shè)備加硫酸而泓意寶并不加，我們公司采用的是深圳泓意寶的設(shè)備。）2、清洗制絨的工藝設(shè)備及操作流程工藝注意事項(xiàng)：1.禁止裸手接觸硅片；2.上片時(shí)保持硅片間距30mm左右；3.制絨時(shí)帶速禁止隨意改動(dòng)

7、；4.下片時(shí)注意硅片表面是否吹干；5.制絨清洗完硅片要盡快擴(kuò)散，滯留時(shí)間不超過(guò)20Min。2、清洗制絨的工藝設(shè)備及操作流程工藝多晶制絨生產(chǎn)流程:3、主要檢測(cè)項(xiàng)目及保準(zhǔn)表面結(jié)構(gòu)：金相顯微鏡電子掃描顯微鏡單晶絨面-金字塔多晶絨面-溝槽金字塔為3微米左右蠕蟲(chóng)狀細(xì)坑為3微米左右絨面標(biāo)準(zhǔn)：反射率：3、主要檢測(cè)項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)所用儀器：標(biāo)準(zhǔn)8度角絨面積分式反射儀(D8)減薄量：反射率標(biāo)準(zhǔn)：在保持硅片減薄量的前提下，反射率越低越好，單晶不能大于10%，多晶不能大于15%減薄量標(biāo)準(zhǔn)：?jiǎn)尉?.3克左右多晶0.4克左右所用儀器：電子天平4、常見(jiàn)問(wèn)題及解決方法5、未來(lái)工藝的發(fā)展方向單晶堿腐

8、蝕的改進(jìn)技術(shù)現(xiàn)有工藝改進(jìn)