半導(dǎo)體器件物理試題.doc

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1、1.P-N結(jié)雪崩擊穿、隧道擊穿和熱擊穿的原理2.簡(jiǎn)述晶體管開關(guān)的原理3.簡(jiǎn)述晶體管4個(gè)頻率參數(shù)的定義并討論它們之間的大小關(guān)系4.簡(jiǎn)述弗侖克耳缺陷和肖特基缺陷的特點(diǎn)、共同點(diǎn)和關(guān)系5.以NPN型晶體管為例，試論述晶體管在不同工作模式下基區(qū)少數(shù)載流子分布特征及與晶體管輸出特性間的關(guān)系6.請(qǐng)闡述MOSFET的基本結(jié)構(gòu)并結(jié)合示意圖說明在不同外置電壓情況下其工作狀態(tài)和輸出特性7.敘述非平衡載流子的產(chǎn)生和復(fù)合過程，并描述影響非平衡載流子壽命的因素8.論述在外加直流電壓下P-N結(jié)勢(shì)壘的變化、載流子運(yùn)動(dòng)以及能帶特征9.試敘述P-N結(jié)的形成過程以及

2、P-N結(jié)外加電壓時(shí)其單向?qū)щ娞卣?0.何謂截止頻率、特征頻率及振蕩頻率，請(qǐng)敘述共發(fā)射極短路電流放大系數(shù)與頻率間的關(guān)系11.請(qǐng)敘述晶體管四種工作模式并分析不同模式下基區(qū)少數(shù)載流子的分布特征12.請(qǐng)畫出P型半導(dǎo)體理想MOS的C-V曲線，并敘述曲線在不同外加電信號(hào)作用下的曲線特征及原因13.影響MOS的C-V特性的因素有哪些？它們是如何影響C-V曲線的14.MOS中硅-二氧化硅，二氧化硅層中有哪些影響器件性能的不利因素15.介紹MIS結(jié)構(gòu)及其特點(diǎn)，并結(jié)合能帶變化論述理想MIS結(jié)構(gòu)在加不同偏壓時(shí)半導(dǎo)體表面特征16.晶體管具備放大能力須具

3、備哪些條件17.飽和開關(guān)電路和非飽和開關(guān)電路的區(qū)別（各自有缺點(diǎn)）是什么18.簡(jiǎn)述勢(shì)壘區(qū)正負(fù)空間電荷區(qū)的寬度和該區(qū)雜質(zhì)濃度的關(guān)系19.結(jié)合能帶圖簡(jiǎn)述絕緣體、半導(dǎo)體及導(dǎo)體的導(dǎo)電能力20.說明晶體管具有電信號(hào)放大能力的條件并畫出不同情況下晶體管的輸入輸出曲線并描述其特征21.請(qǐng)畫圖并敘述晶體管電流放大系數(shù)與頻率間的關(guān)系22.請(qǐng)畫出MOSFET器件工作中的輸出特性及轉(zhuǎn)移特性曲線并描述其特征23.請(qǐng)敘述雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理及區(qū)別24.畫出CMOS倒相器的工作圖并敘述其工作原理25.提高雙極型晶體管功率增益的途徑有哪些26.

4、請(qǐng)描述雙極型晶體管大電流特性下的三個(gè)效應(yīng)27.畫出共基極組態(tài)下的晶體管輸入及輸出特性曲線