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《Si及SiZnO納米線(xiàn)陣列的制備與光學(xué)性能的研究.pdf》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線(xiàn)閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫(kù)。
1、論文評(píng)閱人1：評(píng)閱人2：評(píng)閱人3：評(píng)閱入4：評(píng)閱人5：⑧論文作者簽名：指導(dǎo)教師簽名：至拯國(guó)麴援(植州電壬抖撞太堂2昱復(fù)至副麴援(逝江丕堂2廛耋丕副塾援(逝江太堂2答辯委員會(huì)主席：垂叢!搓塾援(逝塹太堂2委員1：匱籃監(jiān)塾拯(逝塹太堂2委員2：塞』塞虹嬰窒旦!逝江太堂2委員3-吳勇軍副教授(浙江大學(xué))委員4：釜籃揀副塾援(逝江太堂2委員5-廛耋丕副塾援(逝塑太堂2PreparationandopticalpropertiesofSiand．■———一Si，Zn0nanowirearrays■■■■■■■■■■
2、■■■■■■■■●■■■■■●■●■■■■■●●●■■■■■■■■■■■■■●_________-___I---●⑧Author’ssignature：d兇叢supervisor'ssignature：』哮仁ExternalReviewers：￡煦￡圣h塑g墜Q且(H塹g些Q墜旦i墊查墮垣∑曼!墨i鯉)ExaminingCommitteeChairperson：ExaminingCommitteeMembers：￡墅Q￡g魚(yú)魚(yú)墮gPi墮￡h曼塾(Zh自i墊g墮niY曼!墨i垃)P￡Q￡旦i叢Q壁gLi墜(
3、Zh自i坌ng墮niY曼￡墨i啦)一AssociateProf．YongiunWu(ZhejiangUniversity)—————一AssociateProf．ChangdongGu(ZhejiangUniversity)．．．．△墨墨Q曼i坌!曼￡￡Q￡Xii垃dQng￡i(Zb自i塹g墮墮i!曼￡曼i鯉)Dateoforaldefence：叢亟攻b窆蘭2QU㈣9洲0M6M3刪9刪8M—●ⅢY浙江大學(xué)研究生學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。除了
4、文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的研究成果，也不包含為獲得逝婆盔蘭或其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書(shū)而使用過(guò)的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說(shuō)明并表示謝意。學(xué)位論文作者簽名：叫迢簽字日期：歷，／年歹月／乒日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書(shū)本學(xué)位論文作者完全了解構(gòu)送交本論文的復(fù)印件和磁盤(pán)，浙江大學(xué)有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門(mén)或機(jī)允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)浙江大學(xué)可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索和傳播，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段
5、保存、匯編學(xué)位論文。(保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)書(shū))學(xué)位論文作者簽名：鄉(xiāng)l忽導(dǎo)師簽名：簽字日期：如ff年7月／≯日簽字日期：∞卜．?少1月勿瞄t／年斫--“后礦摘要硅材料作為一種神奇的材料，在微電子器件中得到廣泛的應(yīng)用，極大地推動(dòng)了信息技術(shù)的迅速發(fā)展。隨著硅電子器件有源區(qū)的特征尺寸縮小到納米量級(jí)，人們對(duì)于研究硅納米材料產(chǎn)生了極大的興趣。其中一維硅納米材料，由于具有優(yōu)良的電學(xué)性能、光學(xué)性能以及與硅微電子工藝的兼容性，得到了極大的重視。另外，多孔硅具有室溫光致發(fā)光特點(diǎn)的發(fā)現(xiàn)，引起了研究人員對(duì)于硅納米材料
6、發(fā)光機(jī)理以及硅基光電器件的研究興趣。本文在此基礎(chǔ)上研究如何大規(guī)模，低成本制備硅納米線(xiàn)陣列，并研究其光學(xué)性質(zhì)。通過(guò)調(diào)控制備條件，獲得了發(fā)光與否可控的硅納米線(xiàn)陣列。研究了其發(fā)光機(jī)理，通過(guò)將其發(fā)光與局域等離子共振相結(jié)合，獲得了硅納米線(xiàn)陣列的發(fā)光增強(qiáng)。另外，我們利用不同方法制備得到了氧化鋅納米棒陣列以及納米線(xiàn)，通過(guò)將氧化鋅與硅納米線(xiàn)陣列相結(jié)合，我們獲得了Si／ZnO核殼結(jié)構(gòu)。主要工作如下：1．采用金屬輔助化學(xué)腐蝕的方法，通過(guò)改變反應(yīng)襯底、反應(yīng)溶液濃度以及反應(yīng)時(shí)間等，獲得了制備硅納米線(xiàn)陣列的最佳反應(yīng)參數(shù)。并可通過(guò)改
7、變反應(yīng)條件制備多孔硅納米線(xiàn)陣列。2．通過(guò)透射電鏡、掃描電鏡以及熒光光譜等測(cè)試，分析硅納米線(xiàn)發(fā)光的原因。并對(duì)其發(fā)光機(jī)理做了進(jìn)一步分析，提出發(fā)光機(jī)理的模型。3．利用還原檸檬酸鈉的方法制備金納米顆粒，并將其局域等離子共振特性與硅納米線(xiàn)的發(fā)光結(jié)合起來(lái)，使得硅納米線(xiàn)陣列的發(fā)光增強(qiáng)達(dá)10倍。4．分別利用水熱法及氣相沉積法制備得到氧化鋅納米棒陣列以及納米線(xiàn)。在低溫下，兩種樣品的熒光光譜在3．34eV附近均有一寬包。通過(guò)結(jié)合變激發(fā)強(qiáng)度熒光光譜以及表面鈍化等分析，我們確定了其發(fā)光來(lái)源于自由電子到中性受主的復(fù)合。另外，我們利
8、用MOCVD法在硅納米陣列上包覆了氧化鋅殼層，獲得了Si／ZnO核殼結(jié)構(gòu)納米線(xiàn)陣列。關(guān)鍵詞：硅納米線(xiàn)陣列、光學(xué)性能、表面等離子激元增強(qiáng)。AbstractSiliconisawonderfulmaterialformodemelectronicdevices．Asafundamentalmaterialusedinmicro-electronics，itspeedsupthedevelopmentofinformationtec
