資源描述：
《雙極型晶體管.ppt》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內容在教育資源-天天文庫。
1、第三章雙極型晶體管BipolarJunctionTransistor雙極型晶體管的工作原理雙極型晶體管的靜態(tài)特性雙極型晶體管的頻率響應雙極型晶體管的開關特性異質結雙極型晶體管雙極集成電路中的晶體管可控硅器件及相關功率器件1、雙極型晶體管結構雙極型晶體管是最重要的半導體器件之一，在高速電路、模擬電路、功率放大等方面具有廣泛的應用。雙極型器件是一種電子與空穴皆參與導通過程的半導體器件，由兩個相鄰的耦合p-n結所組成，其結構可為p-n-p或n-p-n的形式。如圖為一p-n-p雙極型晶體管的透視圖，其制造過程是以p型半導體為襯底，利用熱擴散的原理在p型襯底上形成一n型區(qū)域，
2、再在此n型區(qū)域上以熱擴散形成一高濃度的p＋型區(qū)域，接著以金屬覆蓋p＋、n以及下方的p型區(qū)域形成歐姆接觸。3.1雙極型晶體管的工作原理圖(a)為理想的一維結構p-n-p雙極型晶體管，具有三段不同摻雜濃度的區(qū)域，形成兩個p-n結。濃度最高的p＋區(qū)域稱為發(fā)射區(qū)(emitter，以E表示)；中間較窄的n型區(qū)域，其雜質濃度中等，稱為基區(qū)(base，用B表示)，基區(qū)的寬度需遠小于少數(shù)載流子的擴散長度；濃度最小的p型區(qū)域稱為集電區(qū)(collector，用C表示)。圖(b)為p-n-p雙極型晶體管的電路符號，圖中亦顯示各電流成分和電壓極性，箭頭和“十”、“一”符號分別表示晶體管在一
3、般工作模式(即放大模式)下各電流的方向和電壓的極性，該模式下，射基結為正向偏壓(VEB＞0)，而集基結為反向偏壓(VCB＜0)。圖(a)是一熱平衡狀態(tài)下的理想p-n-p雙極型晶體管，即其三端點接在一起，或者三端點都接地，陰影區(qū)域分別表示兩個p-n結的耗盡區(qū)。圖(b)顯示三段摻雜區(qū)域的雜質濃度，發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠比集電區(qū)大，基區(qū)的濃度比發(fā)射區(qū)低，但高于集電區(qū)濃度。圖4.3(c)表示耗盡區(qū)的電場強度分布情況。圖(d)是晶體管的能帶圖，它只是將熱平衡狀態(tài)下的p-n結能帶直接延伸，應用到兩個相鄰的耦合p＋-n結與n-p結。2、雙極型晶體管工作在放大模式圖(a)為工作在放大模
4、式下的共基組態(tài)p-n-p型晶體管，即基極被輸入與輸出電路所共用，圖(b)與圖(c)表示偏壓狀態(tài)下電荷密度與電場強度分布的情形，與熱平衡狀態(tài)下比較，射基結的耗盡區(qū)寬度變窄，而集基結耗盡區(qū)變寬。圖(d)是晶體管工作在放大模式下的能帶圖，射基結為正向偏壓，因此空穴由p＋發(fā)射區(qū)注入基區(qū)，而電子由基區(qū)注入發(fā)射區(qū)。在理想的二極管中，耗盡區(qū)將不會有產生-復合電流，所以由發(fā)射區(qū)到基區(qū)的空穴與由基區(qū)到發(fā)射區(qū)的電子組成了發(fā)射極電流。而集基結是處在反向偏壓的狀態(tài)，因此將有一反向飽和電流流過此結。當基區(qū)寬度足夠小時，由發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的空穴便能夠擴散通過基區(qū)而到達集基結的耗盡區(qū)邊緣，并在集基
5、偏壓的作用下通過集電區(qū)。此種輸運機制便是注射載流子的“發(fā)射極”以及收集鄰近結注射過來的載流子的“集電極”名稱的由來。如果大部分入射的空穴都沒有與基區(qū)中的電子復合而到達集電極，則集電極的空穴電流將非常地接近發(fā)射極空穴電流?？梢?，由鄰近的射基結注射過來的空穴可在反向偏壓的集基結造成大電流，這就是晶體營的放大作用，而且只有當此兩結彼此足夠接近時才會發(fā)生，因此此兩結被稱為交互p-n結。相反地，如果此兩p-n結距離太遠，所有入射的空穴將在基區(qū)中與電子復合而無法到達集基區(qū)，并不會產生晶體管的放大作用，此時p-n-p的結構就只是單純兩個背對背連接的p-n二極管。下圖中顯示出一理想
6、的p-n-p晶體管在放大模式下的各電流成分。設耗盡區(qū)中無產生-復合電流，則由發(fā)射區(qū)注入的空穴將構成最大的電流成分。3、電流增益大部分的入射空穴將會到達集電極而形成Icp?；鶚O的電流有三個，即IBB、IEn以及ICn。其中IBB代表由基極所供應、與入射空穴復合的電子電流(即IBB=IEp-ICp)；IEn代表由基區(qū)注入發(fā)射區(qū)的電子電流，是不希望有的電流成分；ICn代表集電結附近因熱所產生、由集電區(qū)流往基區(qū)的電子電流。晶體管各端點的電流可由上述各個電流成分來表示晶體管中有一項重要的參數(shù)，稱為共基電流增益，定義為因此，得到第二項稱為基區(qū)輸運系數(shù)，是到達集電極的空穴電流量與
7、由發(fā)射極入射的空穴電流量的比，即所以上式等號右邊第一項稱為發(fā)射效率，是入射空穴電流與總發(fā)射極電流的比，即：其中ICn是發(fā)射極斷路時(即IE=0)集基極間的電流，記為ICBO，前兩個下標（CB）表示集、基極兩端點，第三個下標（O）表示第三端點(發(fā)射極)斷路，所以ICBO代表當發(fā)射極斷路時，集基極之間的漏電流。共基組態(tài)下的集電極電流可表示為對設計良好的晶體管，IEn遠比IEp小，且ICp與IEp非常接近，?T與?都趨近于1，因此?0也接近于1。集電極電流可用?0表示，即例1：已知在一理想晶體管中，各電流成分為：IEp=3mA、IEn=0.01mA、ICp=2.99m
