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《暗電流,反向電流,漏電流的區(qū)別.doc》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫(kù)。
1、暗電流，反向電流，漏電流的區(qū)別首先，什么是暗電流？看定義：在沒(méi)有光照的條件下，給PN結(jié)加反偏電壓（N區(qū)接正，P區(qū)接負(fù)），此時(shí)會(huì)有反向的電流產(chǎn)生，這就是所謂的暗電流，對(duì)單純的二極管來(lái)說(shuō)，暗電流其實(shí)就是反向飽和電流，但是對(duì)太陽(yáng)能電池而言，暗電流不僅僅包括反向飽和電流，還包括薄層漏電流和體漏電流??所謂反向飽和電流，是指給PN結(jié)加一反偏電壓時(shí)，外加的電壓使得PN結(jié)的耗盡層變寬，結(jié)電場(chǎng)（即內(nèi)建電場(chǎng)）變大，電子的電勢(shì)能增加，P區(qū)和N區(qū)的多數(shù)載流子（P區(qū)多子維空穴，N區(qū)多子為電子）就很難越過(guò)勢(shì)壘，因此擴(kuò)散電流趨近于零，但是由于結(jié)電場(chǎng)的增加，使得N區(qū)和P區(qū)中的少數(shù)載
2、流子更容易產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng)，因此在這種情況下，PN結(jié)內(nèi)的電流由起支配作用的漂移電流決定。漂移電流的方向與擴(kuò)散電流的方向相反，表現(xiàn)在外電路上有一個(gè)留入N區(qū)的反向電流，它是由少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)形成的。由于少數(shù)載流子是由本征激發(fā)而產(chǎn)生的，在溫度一定的情況下，熱激發(fā)產(chǎn)生的少子數(shù)量是一定的，電流趨于恒定。??漏電流：我們都知道，太陽(yáng)能電池片可以分3層，即薄層（即N區(qū)），耗盡層（即PN結(jié)），體區(qū)（即P區(qū)），對(duì)電池片而言，始終是有一些有害的雜質(zhì)和缺陷的，有些是硅片本身就有的，也有的是我們的工藝中形成的，這些有害的雜質(zhì)和缺陷可以起到復(fù)合中心的作用，可以虜獲空穴和電子，使
3、它們復(fù)合，復(fù)合的過(guò)程始終伴隨著載流子的定向移動(dòng)，必然會(huì)有微小的電流產(chǎn)生，這些電流對(duì)測(cè)試所得的暗電流的值是有貢獻(xiàn)的，由薄層貢獻(xiàn)的部分稱之為薄層漏電流，由體區(qū)貢獻(xiàn)的部分稱之為體漏電流。??測(cè)試漏電流的目的：（1）防止擊穿??如果電池片做成組件時(shí)，電池片的正負(fù)極被接反，或者組件被加上反偏電壓時(shí)，由于電池片的暗電流過(guò)大，電流疊加后會(huì)迅速的將電池片擊穿，不過(guò)這樣的情況很少發(fā)生，所以測(cè)試暗電流在這方面作用不是很大。（2）監(jiān)控工藝??當(dāng)電池片工藝流程結(jié)束后，可以通過(guò)測(cè)試暗電流來(lái)觀察可能出現(xiàn)的工藝的問(wèn)題，前面說(shuō)過(guò)，暗電流是由反向飽和電流和薄層漏電流以及體漏電流組成的，
4、分別用J1,J2,J3表示，當(dāng)我們給片子加反偏電壓時(shí)，暗電流隨電壓的升高而升高，分3個(gè)區(qū)，1區(qū)暗電流由J2起支配作用，2區(qū)由J3起支配作用，3區(qū)由J1起支配作用，3個(gè)區(qū)的分界點(diǎn)由具體的測(cè)試電壓而決定的。為什么暗電流會(huì)隨電壓升高而增大呢？大家知道當(dāng)有電壓加在片子上時(shí)，對(duì)硅片有了電注入，電注入激發(fā)出非平衡載流子，電壓越大激發(fā)的非平衡載流子越多，形成的暗電流越大，暗電流的增長(zhǎng)速度隨電壓電壓越大而變慢，直到片子被擊穿。一般我們測(cè)試暗電流的標(biāo)準(zhǔn)電壓為12V，測(cè)得的曲線和標(biāo)準(zhǔn)的曲線相比后，可以的出片子的基本情況。如在1區(qū)我們發(fā)現(xiàn)暗電流過(guò)大則對(duì)應(yīng)的薄層區(qū)出了問(wèn)題，2
5、區(qū)暗電流過(guò)大，說(shuō)明問(wèn)題出在體區(qū)，同樣3區(qū)出現(xiàn)問(wèn)題，說(shuō)明我們的結(jié)做的有問(wèn)題，擴(kuò)散，絲網(wǎng)印刷，溫度等參數(shù)都會(huì)影響暗電流，只要我們知道哪出了問(wèn)題，就可以根據(jù)這去找出問(wèn)題的原因，所以測(cè)試暗電流對(duì)工藝的研究是很有用的。
