電荷密度差的計(jì)算-VASP.doc

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1、[VASP]電荷密度差的計(jì)算簡(jiǎn)要介紹如何使用VASP及相關(guān)軟件來(lái)計(jì)算和處理用來(lái)分析成鍵過(guò)程的電荷密度差（chargedensitydifference）VASP軟件經(jīng)驗(yàn)電荷密度電子結(jié)構(gòu)這里主要是討論在VASP中如何得到用來(lái)分析成鍵前后電荷轉(zhuǎn)移的電荷密度差。此時(shí)電荷密度差定義為：delta_RHO=RHO_sc-RHO_atom其中RHO_sc為自洽的面電荷密度，而RHO_atom為相應(yīng)的非自洽的面電荷密度，是由理想的原子周?chē)姾煞植级褟氐玫降模礊樵与姾擅芏鹊寞B加(asuperpositionofatomicchargedensities)。不同晶面的RHO_sc可由自洽計(jì)算的CHG或CHG

2、CAR得到；而計(jì)算RHO_atom所需的CHG或CHGCAR可由下述非自洽計(jì)算得到:仍使用原來(lái)自洽計(jì)算時(shí)的四個(gè)輸入文件，但I(xiàn)NCAR中需要設(shè)置ICHARG=12和NELM=0，其他設(shè)置不變。需要特別注意的，應(yīng)保持前后兩次計(jì)算（自洽和非自洽）中的FFT-mesh一致。因?yàn)椋挥芯S數(shù)一樣，我們才能對(duì)兩個(gè)RHO作相應(yīng)的矩陣相減。不過(guò)，只要按上一段提到的設(shè)置方法做就行了，無(wú)須特別增加別的設(shè)置。數(shù)據(jù)處理：矩陣相減：使用MatLab或是自已寫(xiě)個(gè)小程序。作圖：Origin或MatLab。