資源描述：
《半導(dǎo)體物理與器件-復(fù)習(xí).doc》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。
1、第一章(1)越靠近內(nèi)殼層的電子,共有化運(yùn)動(dòng)弱,能帶窄(2)各分裂能級(jí)間能量相差小,看做準(zhǔn)連續(xù)(3)有些能帶被電子占滿(滿帶),有些被部分占滿(半滿帶),未被電子占據(jù)的是空帶價(jià)帶:0K條件下被電子填充能量最高的能帶導(dǎo)帶:0K條件下未被電子填充能量最低的能帶禁帶:導(dǎo)帶低與價(jià)帶頂之間能帶帶隙:導(dǎo)帶底與價(jià)帶頂之間的能量差**電子具有波粒二象性自由粒子的E-k關(guān)系為拋物線kE0P=hλ每一個(gè)能帶中k有N個(gè)取值,所以對(duì)應(yīng)的能級(jí)是準(zhǔn)連續(xù)的,每個(gè)能帶中有N個(gè)能級(jí)可以容納2N個(gè)電子**半導(dǎo)體E(k)與k的關(guān)系因?yàn)閷?dǎo)帶底部E(k)有極小值，所以導(dǎo)帶底電子的
2、有效質(zhì)量為正值,因?yàn)閮r(jià)帶頂頂部E(k)有極大值，所以價(jià)帶頂電子的有效質(zhì)量為負(fù)值,能帶越窄,有效質(zhì)量越大(內(nèi)層電子),能帶越寬,有效質(zhì)量越小(外層電子)**半導(dǎo)體中電子的加速度自由電子直接帶隙半導(dǎo)體：導(dǎo)帶低和價(jià)帶頂對(duì)應(yīng)的電子波矢相同間接帶隙半導(dǎo)體：導(dǎo)帶低和價(jià)帶頂對(duì)應(yīng)的電子波矢不相同第二章雜質(zhì)電離:電子脫離雜質(zhì)原子的束縛成為導(dǎo)電電子的過程施主雜質(zhì):釋放電子而產(chǎn)生導(dǎo)電電子并形成正點(diǎn)中心施主能級(jí):被施主雜質(zhì)束縛的電子的能量狀態(tài)ED,靠近導(dǎo)帶施主雜質(zhì)電離能：導(dǎo)帶底EC與施主能級(jí)ED的能量之差DED=EC-ED就是施主雜質(zhì)的電離能。施主雜質(zhì)未電離時(shí)
3、是中性的，電離后成為正電中心受主雜質(zhì):能夠接受電子而在價(jià)帶中產(chǎn)生空穴,并形成負(fù)電中心的雜質(zhì)受主能級(jí)EA:被受主雜質(zhì)束縛的空穴的能量狀態(tài),靠近價(jià)帶受主雜質(zhì)電離能：價(jià)帶頂EV與受主能級(jí)EA的能量之差DEA=EV-EA就是受主雜質(zhì)的電離能。受主雜質(zhì)未電離時(shí)是中性的，電離后成為負(fù)電中心施主:向半導(dǎo)體中提供導(dǎo)電的電子,并成為帶正電的離子受主:向半導(dǎo)體中提供導(dǎo)電的空穴,并形成帶負(fù)電的離子**雜質(zhì)的補(bǔ)償作用雜質(zhì)的補(bǔ)償作用:在半導(dǎo)體中,若同時(shí)存在施主和受主雜質(zhì),施主受主雜質(zhì)之間有相互抵消作用(NA>>ND,NA<4、*硅鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)施主能級(jí)距離導(dǎo)帶底較遠(yuǎn),受主能級(jí)距離價(jià)帶頂較遠(yuǎn),這種能級(jí)稱為深能級(jí),相應(yīng)雜質(zhì)稱為深能級(jí)雜質(zhì)本征半導(dǎo)體:沒有摻雜的半導(dǎo)體,其內(nèi)部電子與空穴成對(duì)出現(xiàn)非本征半導(dǎo)體:半導(dǎo)體材料內(nèi)部由于雜質(zhì)或缺陷使得電子或空穴任意一方增加
