半導(dǎo)體分立器件ppt課件.ppt

《半導(dǎo)體分立器件ppt課件.ppt》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。

1、（三）.半導(dǎo)體分立器件1.常用半導(dǎo)體分立器件及其分類?半導(dǎo)體二極管(DIODE)?雙極型晶體管(TRANSISTOR)?晶閘管?場效應(yīng)晶體管(FET,FieldEffectTransistor)場效應(yīng)晶體管（Field?Effect?Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。普通二極管穩(wěn)壓二極管(ZENERDIODE)齊納二極管zenerdiodes整流二極管三極管T0-226T

2、0-3T0-220T0-23場效應(yīng)管（MOSFET)MOSFET和三極管的主要區(qū)別1：MOSFET是電壓控制器件，三極管是電流控制器件2．MOSFET輸入阻抗很大，三極管輸入阻抗比MOSFET小3．MOSFET輸出電阻比三極管小，所以驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)4．MOSFET截止頻率比三極管截止頻率高。如果這個(gè)器件的輸出參數(shù)大小和輸入的電流參數(shù)大小有關(guān)，就叫該器件是"電流控制器件"，簡稱"流控器件"；"電流控制器件"輸入的是電流信號(hào)，是低阻抗輸入，需要較大的驅(qū)動(dòng)功率。例如：雙極型晶體管(BJT)是電流控制器件、TTL電路是電流控制器件如果這個(gè)器件的輸出參數(shù)大小和輸入的

3、電壓參數(shù)大小有關(guān)，就叫該器件是"電壓控制器件"，簡稱"壓控器件"；"電壓控制器件"輸入的是電壓信號(hào)，是高阻抗輸入，只需要較小的驅(qū)動(dòng)功率；例如：場效應(yīng)晶體管(FET)是電壓控制器件、MOS電路是電壓控制器件晶閘管晶閘管?半導(dǎo)體二極管分類普通二極管：整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、恒流二極管、開關(guān)二極管等；特殊二極管：微波二極管、變?nèi)荻O管、雪崩二極管、SBD、TD、PIN、TVP管等；敏感二極管：光敏二極管、熱敏二極管、壓敏二極管、磁敏二極管；發(fā)光二極管按照結(jié)構(gòu)工藝不同，可分為點(diǎn)接觸型和面接觸型。按照制造材料不同，可分為鍺管和硅管。點(diǎn)接觸型結(jié)電容小，

4、適用于高頻電路。面接觸型可通過較大的電流，多用于頻率較低的整流電路。鍺管正向?qū)妷杭s為0.2V，反向漏電流大，溫度穩(wěn)定性較差。硅管反向漏電流小，正向?qū)妷杭s為0.7V雙極型三極管分類：按照結(jié)構(gòu)工藝分類，有PNP和NPN型。按照制造材料分類，有鍺管和硅管。按照工作頻率分類，有低頻管（3MHz以下）和高頻管（幾百M(fèi)Hz以上）。按照集電極耗散的功率分類，有小功率管（1W以下）和大功率管（幾十W以上）。?場效應(yīng)晶體管結(jié)型硅管：N溝道（外延平面型）、P溝道（雙擴(kuò)散型）、隱埋柵、V溝道（微波大功率）；結(jié)型砷化鎵管：肖特基勢(shì)壘柵（微波低噪聲、微波大功率）；硅MO

5、S耗盡型：N溝道、P溝道；硅MOS增強(qiáng)型：N溝道、P溝道。場效應(yīng)管是電壓控制器件,在數(shù)字電路中起開關(guān)作用；柵極的輸入電阻非常高，一般可達(dá)幾百M(fèi)Ω甚至幾千MΩ；場效應(yīng)管還具有噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大等優(yōu)點(diǎn)。場效應(yīng)晶體管特點(diǎn)：?晶閘管普通晶閘管：雙向晶閘管：特殊晶閘管：正反向阻斷管、逆導(dǎo)管等。2半導(dǎo)體分立器件的型號(hào)命名⑴國產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件的型號(hào)命名（表1、2、3）表1表2表3注：場效應(yīng)管、半導(dǎo)體特殊器件等的型號(hào)命名只有三、四、五部分。例如：三極管NPN型硅材料高頻小功率管產(chǎn)品序號(hào)規(guī)格號(hào)3DG6C場效應(yīng)器件產(chǎn)品序號(hào)規(guī)格號(hào)CS1B⑵日本半導(dǎo)體分立器件的型號(hào)命名。共分

6、五部分第一部分用數(shù)字表示器件的有效電極數(shù)目或類型符號(hào)0123…n-1含義光電二極管或三極管或包括上述器件的組合管二極管三極管或具有三個(gè)電極的其他器件具有四個(gè)有效電極的器件具有n個(gè)有效電極的器件第二部分注冊(cè)標(biāo)志符號(hào)S含義已經(jīng)在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)（JEIA）注冊(cè)登記的半導(dǎo)體器件第三部分用字母表示器件的使用材料極性類別符號(hào)ABCDEGHJKM含義PNP高頻晶體管PNP低頻晶體管NPN高頻晶體管NPN低頻晶體管P控制極可控硅N控制極可控硅基極單結(jié)晶體管P溝道場效應(yīng)管N溝道場效應(yīng)管雙向可控硅第四部分用數(shù)字表示登記號(hào)此器件在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)的注冊(cè)登記號(hào)，不同廠家生產(chǎn)

7、的性能相同的器件可以使用同一登記號(hào)第五部分用字母表示改進(jìn)型標(biāo)志此器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)型三極管JEIA注冊(cè)產(chǎn)品NPN高頻晶體管2SC58日本半導(dǎo)體分立元件命名舉例：JEIA登記號(hào)⑶歐洲半導(dǎo)體分立器件的型號(hào)命名第一部分用字母表示材料符號(hào)ABCDR意義鍺材料，禁帶0.6~1.0eV硅材料，禁帶1.0~1.3eV砷化鎵材料，禁帶>1.3eV銻化銦材料，禁帶<1.3eV復(fù)合材料共四部分第二部分用字母表示類型及主要特性符號(hào)ABCDEFG…意義檢波、開關(guān)、混頻二極管變?nèi)荻O管低頻小功率三極管（RTj>15℃/W）低頻大功率三極管（RTj≤15℃/W）隧道二極管高頻

8、小功率三極管（RTj>15℃/W）復(fù)合器件及其他器件…第三部分用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號(hào)符號(hào)