me8204 電源ic規(guī)格書

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1、40W電源管理控制ICME8204深圳市振華凌云科技有限公司產(chǎn)品設(shè)計應(yīng)用指導(dǎo)書ItemNo.:ME8204產(chǎn)品編號：Product:40W電源管理控制IC產(chǎn)品名稱：Date：2013/12/27日期：40W電源管理控制ICME8204深圳市振華凌云科技有限公司一、芯片基本介紹ME8204主要是適配器、充電器、開關(guān)電源、家電類、通訊類電源而設(shè)計的一款高性能控制芯片。主要特點：1)低待機功耗：通過低功耗間歇工作模式設(shè)計，達到小于100mW超低耗的性能。2)無噪聲工作：優(yōu)化的芯片設(shè)計可以使系統(tǒng)任何工作狀態(tài)下均可安靜地工作。3)更低啟動電流：VDD啟

2、動電流低至5uA，可有效地減少系統(tǒng)啟動電路的損耗，縮短系統(tǒng)的啟動時間。4)更低工作電流：工作電流約為1.8mA，可有效降低系統(tǒng)的損耗,提高系統(tǒng)的效率。5)內(nèi)置前沿消隱：內(nèi)置前沿消隱（LEB），可以節(jié)省一個外部的R-C網(wǎng)絡(luò)，降低系統(tǒng)成本。6)內(nèi)置良好的OCP補償：內(nèi)置了OCP補償功能，使系統(tǒng)在不需要增加成本的情況下輕易使得全電壓范圍內(nèi)系統(tǒng)的OCP曲線趨向平坦，提高系統(tǒng)的性價比。7)完善的保護功能：集成了完善的保護功能模塊。OVP，UVLO，OCP，恒定的OPP和外部可調(diào)節(jié)的OTP功能可以使系統(tǒng)設(shè)計簡潔可靠，同時滿足安規(guī)的要求。8)軟啟動功能：內(nèi)

3、置4mS軟啟動功能,可有效降低系統(tǒng)開機MOS管漏源之間電壓過沖。9)較少的外圍器件：外圍比較簡單，可有效提高系統(tǒng)的功率密度，降低系統(tǒng)的成本。10）優(yōu)良的EMI特性：內(nèi)置的頻率抖動設(shè)計可以很有效的改善系統(tǒng)的EMI特性二、管腳定義引腳名稱描述說明GND芯片地FB反饋輸入引腳。PWM占空比取決于這個引腳電壓等級和SENSE引腳輸入。RT過溫保護設(shè)置腳SENSE電流檢測輸入引腳。連接到MOSFET的電流檢測電阻器節(jié)點。VDD芯片直流電源引腳。GATE圖騰柱柵極驅(qū)動輸出的功率MOSFET。40W電源管理控制ICME8204深圳市振華凌云科技有限公司三、

4、功能框圖四、各腳的功能以及調(diào)試中注意事項：1.電源VDD腳：ME8204的啟動電流低至5uA，可有效地減少系統(tǒng)啟動電路的損耗，縮短系統(tǒng)的啟動時間。啟動電阻RIN的最大功率損耗：在下圖中，RIN的最大功率損耗可以用下面的公式計算出來，公式如下：Vdc,max：最大輸入電壓整流后的直流電壓V：芯片正常工作的電壓40W電源管理控制ICME8204深圳市振華凌云科技有限公司2.FB反饋輸入腳：了解該腳各電壓門限相對應(yīng)的系統(tǒng)工作狀態(tài)對分析和優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計非常有幫助的。0.9V-1.0V為系統(tǒng)在輕載間歇模式下的FB腳電壓值，1.0V-3.7V為系統(tǒng)正常工作

5、時FB腳電壓值(該電壓段對應(yīng)的開關(guān)頻率隨電壓增高頻率增大，最大增高到65K左右)，3.7V-4.2V為反饋環(huán)路開路，過功率保護，短路保護時FB腳電壓值。0.85V（典型值）以下GATE端輸出被關(guān)閉，F(xiàn)B短路電流典型值為0.3mA。當FB腳電壓持續(xù)88mS大于3.7V或小于0.9V時,GATE端立即關(guān)閉輸出脈沖，保護整個系統(tǒng)的安全。3.電流檢測SENSE腳：開關(guān)電流經(jīng)過一檢測電阻流進SENSE腳，進行PWM調(diào)制。另外內(nèi)置一前沿消隱電路，可以為系統(tǒng)節(jié)省一外部R-C網(wǎng)絡(luò)。如前沿噪聲超過前沿消隱時間導(dǎo)致系統(tǒng)異常時，可以考慮外加R-C網(wǎng)絡(luò)，但是R-C網(wǎng)

6、絡(luò)取值不宜過大（推薦R-C網(wǎng)絡(luò)的取值為：R≤510?，C≤220PF沒有特別的需要，不建議外接R-C網(wǎng)絡(luò)），否則電流反饋信號失真過大導(dǎo)致在啟動和輸出短路時MOS管VDS過高等異常現(xiàn)象。4.GATE驅(qū)動腳：ME8204采用圖騰結(jié)構(gòu)驅(qū)動輸出，可直接驅(qū)動MOSFET。同時芯片還內(nèi)置了一個12V的驅(qū)動輸出嵌位電路，防止由于某種原因?qū)е孪到y(tǒng)驅(qū)動輸出電壓過高使MOSFET的柵極擊穿。5.RT端應(yīng)用及軟啟動電路：RT端內(nèi)部連接了一個恒流源，該恒流源提供的電流與芯片的工作頻率成反比，在R1=100K時，恒流源提供的電流為70uA（典型值），R1=130K時，

7、恒流源提供的電流約為53.8uA（典型值）。當因某種因素導(dǎo)致系統(tǒng)內(nèi)部溫度逐漸上升時，NTC溫度補償電阻受溫度升高的影響，其阻值逐漸降低，從而使RT端的電壓逐漸下降，直到RT端的電壓降到1.V（典型值）以下并持續(xù)100uS后，芯片Gate停止驅(qū)動，電源輸出關(guān)閉，保護整個系統(tǒng)；當系統(tǒng)內(nèi)部溫度逐漸降低時，溫度補償電阻受溫度下降的影響，其阻值逐漸升高，從而使RT端的電壓逐漸上升，直到RT端的電壓上升到1.07V（典型值）并持續(xù)100uS后，芯片自動恢復(fù)輸出，系統(tǒng)恢復(fù)正常工作。由于NTC電阻的精度及生產(chǎn)過程中NTC電阻檢測點的不一致性導(dǎo)致系統(tǒng)的OTP點

8、誤差較大，推薦R1使用可調(diào)電阻，產(chǎn)品在生產(chǎn)時可通過調(diào)節(jié)該可調(diào)電阻阻值來調(diào)整系統(tǒng)的OTP的精度，滿足不同的客戶需求。9.動態(tài)響應(yīng)(DNY)的調(diào)整：從動態(tài)響應(yīng)的原理來看