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1、三氯氫硅氫還原制備多晶硅培訓(xùn)講義主講:邱松內(nèi)蒙古神舟硅業(yè)目錄第一節(jié)半導(dǎo)體硅材料的基本概念第二節(jié)高純多晶硅生產(chǎn)的工藝簡介第三節(jié)三氯氫硅氫還原制取多晶硅工藝第四節(jié)還原爐(載體)硅芯的制備第五節(jié)還原爐啟動(擊穿)方式第六節(jié)還原爐冷卻水系統(tǒng)及熱能綜合利用第七節(jié)還原工序正常操作過程第八節(jié)還原操作過程中常見事故第九節(jié)現(xiàn)場生產(chǎn)中可能出現(xiàn)的危險,以及保證安全生產(chǎn)所具備的安全設(shè)施。第十節(jié)警報/聯(lián)動/緊急停車第一節(jié)半導(dǎo)體硅材料的基本概念一、半導(dǎo)體材料簡介半導(dǎo)體:電阻率介于109和10-4歐姆.厘米之間的物質(zhì).重要特點:1.半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電能力隨著溫度的變化會有很大的變化;2.在純凈的半導(dǎo)
2、體材料中加入一些異族元素(摻雜)可以獲得各種電阻率及其他性質(zhì)不同的半導(dǎo)體材料。3.在光和熱的作用下,能使電子激發(fā),從而使導(dǎo)電性顯著增加的熱敏性、光敏性等特點。半導(dǎo)體材料大致可分為以下幾類:1)元素半導(dǎo)體:如硅、鍺、硒、鎵等單質(zhì)元素;2)化合物半導(dǎo)體:如二元化合物砷化鎵、砷化銦、三元化合物CuAIS2、AgInSe等;3)固溶體半導(dǎo)體:如CaAs-GaP;4)玻璃半導(dǎo)體:由無機氧化物和過渡金屬離子組成的氧化物半導(dǎo)體以及非氧化物玻璃半導(dǎo)體。二、多晶硅等級按照硅含量的純度分為兩個:太陽能級硅(SG):硅含量為99.9999%(6個9)的(主要用于太陽能電池芯片的生產(chǎn)制造)。
3、電子級硅(EG):純度在99.999999999%(11個9)的多晶硅(主要用于半導(dǎo)體芯片制造)。三、與硅材料生產(chǎn)相關(guān)的一些基本概念1.半導(dǎo)體純度的表示方法1)幾個九:通常半導(dǎo)體材料的純度用幾個九來表示.2)PPm、PPb、PPt:一般以這種方式來表示半導(dǎo)體材料中某種雜質(zhì)的含量.2.工業(yè)硅、多晶硅、單晶硅1)工業(yè)硅一般指含硅量為95-99%純度的結(jié)晶硅,由于含有較多的金屬雜質(zhì),因此也叫硅鐵或金屬硅。2)多晶硅一般習(xí)慣地將還原沉積出的高純硅叫多晶硅。3)單晶硅從液體凝結(jié)成固體的過程叫結(jié)晶,在結(jié)晶過程中,我們設(shè)法控制使每個微小的晶粒都沿著相同的單一方向生長,生長出的晶體,
4、結(jié)晶方向是一致的,整個晶體的原子排列是有規(guī)則的周期性的,這樣的晶體叫著單晶硅。3.半導(dǎo)體硅材料的用途:1)用作電力整流器和可控硅整流器;2)用作硅二極管;3)生產(chǎn)晶體管及集成電路;4)生產(chǎn)太陽能電池。5)光伏發(fā)電等。4.硅的物理、化學(xué)性質(zhì)硅的物理性質(zhì):硅在自然界中主要以硅酸鹽和石英砂的形式存在,純凈的硅是一種銀灰色的固體,帶有金屬光澤、性質(zhì)硬而脆。硅的化學(xué)性質(zhì):1)硅的化學(xué)性質(zhì)與其存在狀態(tài)有關(guān),無定形硅化學(xué)性最高,多晶硅次之,單晶硅更低。2)硅的化學(xué)性質(zhì)與溫度有關(guān)。3)硅不溶于鹽酸、硫酸、硝酸和王水。5)硅能與Cu2+、Pb2、Ag+、Hg2+等金屬離子發(fā)生置換反應(yīng),
5、因此硅能從這些金屬離子的鹽溶液中置換出金屬。6)硅能溶解在熔融的鋁、金、銀、錫、鉛等金屬中,形成合金。三氯氫硅、四氯化硅、二氯二氫硅主要性能參數(shù)三氯氫硅氣體密度:6.5g/l(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài))沸點:31.5℃物料性質(zhì):常溫下純凈的三氯化硅是無色、透明、揮發(fā)性、可燃液體,有較四氯化硅更強的刺鼻氣味。其化學(xué)性質(zhì)如下:1)易水解、潮解、在空氣中強烈發(fā)煙,生成HCl和H2,HCl遇水立即轉(zhuǎn)化為鹽酸,鹽酸具有很強的腐蝕性;H2易燃易爆。2)更易揮發(fā)、更易氣化、更沸點低;3)易著火、易爆炸、著火點28℃、著火溫度220℃,燃燒時產(chǎn)生氯化氫和氫氣;四氯化硅氣體密度:7.59g/l(標(biāo)準(zhǔn)
6、狀態(tài))沸點:57.6℃物料性質(zhì):常溫下純凈的四氯化硅是無色、透明油狀液體、比重較大、有刺鼻氣味。其化學(xué)性質(zhì)如下:1)易水解、潮解、在空氣中強烈發(fā)煙,生成HCl,遇水立即轉(zhuǎn)化為鹽酸,鹽酸具有很強的腐蝕性;2)易揮發(fā)、易氣化、沸點低;3)易與氨作用生成濃霧。四氯化硅氣體密度:7.59g/l(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài))沸點:57.6℃物料性質(zhì):常溫下純凈的四氯化硅是無色、透明油狀液體、比重較大、有刺鼻氣味。其化學(xué)性質(zhì)如下:1)易水解、潮解、在空氣中強烈發(fā)煙,生成HCl,遇水立即轉(zhuǎn)化為鹽酸,鹽酸具有很強的腐蝕性;2)易揮發(fā)、易氣化、沸點低;3)易與氨作用生成濃霧。第二節(jié)高純多晶硅生產(chǎn)的工藝簡
7、介目前世界上的多晶硅生產(chǎn)工廠主要采用兩種方法制備多晶硅。一種是硅烷法:另一種是改良西門子法。一、硅烷法:其原理是在加熱的硅芯上(低于用900℃)用硅烷(SiH2)熱分解生產(chǎn)多晶硅。硅烷法制取多晶硅的熱分解反應(yīng)如下:SiH2(氣)=Si(固)+2H2氣)二、改良西門子法多晶硅生產(chǎn)的西門子工藝,其原理就是在1100℃左右的高純硅芯上用高純氫還原高純?nèi)葰涔?,生成多晶硅沉積在硅芯上。改良西門子法相對于傳統(tǒng)西門子法的優(yōu)點主要于:1.節(jié)能:由于改良西門子法采用多對棒、大直徑還原爐,可有效降低還原爐消耗的電能;2.降低物耗:改良西門子法對還原尾氣進行了有效的回收