單晶硅電池片工藝樣本.docx

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1、資料內(nèi)容僅供您學習參考，如有不當或者侵權，請聯(lián)系改正或者刪除。單晶硅電池片工藝(初稿)工藝流程圖:硅片檢驗→硅片插入片盒→去除損傷層→制絨面→淋洗→中和→三級串連階梯式清洗→烘干→擴散→周邊刻蝕→硅片插入片盒→去除氧化層→三級串連階梯式清洗→烘干→制備氮化硅→背面銀鋁漿→烘干→背面鋁漿→烘干→正面銀漿→燒結→測試分選→檢驗入庫1．單晶硅片質量檢驗標準1．1外觀檢驗1．1．1基片大小:125×125mm±0.5mm1．1．2形狀:準方片1．1．3直徑:∮150±1.0mmΦ165±1.0mm1．1．4厚度:280±

2、30μm;在所規(guī)定區(qū)域內(nèi)5個測量值的平均值。1．1．5TTV(μm)totalthicknessvariation在選定圓片區(qū)域內(nèi),最大厚度變化值≤50μm1．1．6表面缺陷:≤2個深度不大于0.05mm1．1．7破損及針孔:無可見破損和針孔1．1．8邊緣缺損:長度小于5mm,深度0.5的破損≤1個1．1．9鉅痕:＜5μm1．1．10表面狀況:表面顏色均勻一致,無殘留硅粉,無水跡1．2電特性:1．2．1晶體:無位錯直拉(CZ)單晶1．2．2晶向:(100)±3°1．2．3導電類型:P型(硼摻雜)1．2．4電阻率(

3、Ω·CM)0.5～2.0用四探針測量平均晶體電阻1．2．5少子壽命:＞15μS使用微波光電導方法,在未鈍化區(qū)域內(nèi),掃描2×2mm區(qū)域,去次測量平均值,硅錠邊緣部分紅區(qū)內(nèi)數(shù)據(jù)不包括在平均值的計算內(nèi)。資料內(nèi)容僅供您學習參考，如有不當或者侵權，請聯(lián)系改正或者刪除。1．2．6碳濃度:≤5×101．2．7氧濃度:≤1×101．3質量判斷標準:AQL2.52．硅片插入片盒:2．1工具儀器:25片片盒工作桌,凳子,真空吸附鑷子2．2原材料:125×125mm硅片2．3工藝過程:把一定高度的硅片放于工作桌上,在操作者面前,用真空

4、鑷子把硅片吸起,把硅片放于片盒的最下一層,釋放真空,硅片脫離真空吸附落于硅片盒的槽中。重復上述動作,直至把任務完成。2．4注意事項:2．4．1人是最大的污染源,不要面對硅片說話,不要用手直接拿片盒,手上有鈉離子、油類污染;2．4．2操作人員要戴口罩、手套操作;2．4．3硅片易碎,在操作過程中,工作人員要輕拿輕放,盡量減少碎片;2．4．4真空吸頭經(jīng)常見酒精擦拭,在工作過程中,保持清潔。3．硅片清洗:3．1去除損傷層:3．1．1目的:在硅片切割過程中,引起晶體表面晶格損傷,為把PN結制作在良好的晶體上,去除硅片表面的

5、損傷層。3．1．2溶液濃度的配比:NaOH:H2O=8500:34000(重量比)在實際工作中,34000克純水,添加10000克的氫氧化鈉3．1．3溶液的配制過程:根據(jù)資料查明:NaOH的融解熱,10.4千卡/摩爾8500÷40×10400＝2210000卡2210000÷34000＝65(度)結論:8500克氫氧化鈉,能夠使34000克純水溫升65度,理論計算要資料內(nèi)容僅供您學習參考，如有不當或者侵權，請聯(lián)系改正或者刪除。與實踐相結合,只要把純水從室溫升高至25℃左右憑借著氫氧化鈉的溫升就能夠達到85℃了。3

6、．1．4試劑純度:純水,18MΩ/CM氫氧化鈉,電子純3．1．5溶液溫度:85±1℃3．1．6腐蝕速率:條件:20％NaOH溶液,85℃,經(jīng)驗數(shù)據(jù)表明4μm/min(兩邊共同去除);內(nèi)圓切割鋸20μm/每邊,線鋸10μm/每邊,一般內(nèi)圓切割鋸腐蝕時間10分鐘,線鋸腐蝕時間5～6.5分鐘(根據(jù)實際情況摸索準確時間,經(jīng)驗數(shù)據(jù),每隔幾十片稱量一次)3．1．7反應機理:Si＋2NaOH＋H2O=Na2SiO3＋2H2↑2880181224在硅片表面每邊去除10μm,兩邊共去除20μmA．每片去除的重量:△g=12.5×1

7、2.5×0.0020×2.33=0.728gB．每片消耗的NaOH28:80＝0.728:XX=2.08gC．每片產(chǎn)生多少Na2SiO328:122＝0.728:XX=3.172gD．如果每配制一次NaOH溶液能夠清洗3000片,每片消耗2.08克NaOH,則消耗6.240Kg,10Kg的NaOH,只剩下3.76Kg在達到2500片時要密切注視,每花籃硅片稱量是否達到了設計要求。E．如果去除損傷層3000片則生成9.516Kg的Na2SiO3,整個花籃上浮,使花籃定位不準確嚴重影響機械手的正常運轉。3．1．8注意

8、事項與問題的討論:A．在整個去除損傷層的過程中,大量的H2氣泡有可能依附到硅片上,使硅片上浮,在片盒上必須設計一個片盒”蓋片”,或者片盒”擋棒”,防止硅片上浮;B．關于去除損傷層時間的討論:現(xiàn)在硅片越來越薄,去除損傷層的時資料內(nèi)容僅供您學習參考，如有不當或者侵權，請聯(lián)系改正或者刪除。間能夠大大縮短,要以實踐為準。在硅片表面制作絨面的過程中,也要腐蝕掉一層硅,既要PN結制作