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《最新3.4離子晶體 課件13（人教版選修3.教學(xué)講義ppt課件.ppt》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。
1、3.4離子晶體課件13（人教版選修3）.1、定義：陽離子和陰離子通過離子鍵結(jié)合而成的晶體。（1）結(jié)構(gòu)微粒：陰、陽離子（2）微粒間作用力：離子鍵2、離子晶體種類：強(qiáng)堿、活潑金屬氧化物、絕大多數(shù)鹽一、離子晶體離子晶體與離子鍵.離子晶體中的配位數(shù)通常小于金屬晶體而大于共價晶體..離子鍵沒有方向性和飽和性，每個離子傾向于鍵合較多的異電性離子..離子鍵的基礎(chǔ)是正負(fù)離子之間的靜電作用..不等徑圓球密堆積二、離子晶體結(jié)構(gòu)正八面體空隙（CN+=6）正離子所占空隙種類:正八面體離子堆積與晶體結(jié)構(gòu)NaCl型晶體結(jié)構(gòu)面心立方堆積結(jié)構(gòu)型式化學(xué)組成比n+/n-負(fù)離子堆積方式正
2、負(fù)離子配位數(shù)比CN+/CN-正離子所占空隙種類CsCl型1:1簡單立方堆積8:8正方體CsCl型晶體結(jié)構(gòu)離子堆積描述立方ZnS型晶體結(jié)構(gòu)離子堆積描述結(jié)構(gòu)型式化學(xué)組成比n+/n-負(fù)離子堆積方式正負(fù)離子配位數(shù)比CN+/CN-正離子所占空隙種類立方ZnS型1:1立方最密堆積4:4正四面體面心立方堆積CaF2（熒石）型晶體結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)型式化學(xué)組成比n+/n-正離子堆積方式正負(fù)離子配位數(shù)比CN+/CN-負(fù)離子所占空隙種類CaF2型1:2面心立方堆積8:4正四面體離子堆積描述（1）幾何因素晶體中正負(fù)離子的半徑比（2）電荷因素晶體中正負(fù)離子的電荷比（3）鍵性因素離子鍵
3、的純粹程度2、決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素正四面體40.225正八面體60.414正方體80.732(12)1CN+=r+/r-=離子所占空隙種類幾何因素——離子半徑比與配位數(shù)的關(guān)系CaF2的晶胞例：CaF2的晶體中，Ca2＋和F－的個數(shù)之比____，電荷數(shù)之比_____，Ca2＋配位數(shù)是_____，F(xiàn)－的配位數(shù)是_______。由正負(fù)離子的電荷比影響離子晶體的配位數(shù)的因素，稱為電荷因素。1:22:184電荷因素二、離子晶體的性質(zhì)1、離子晶體的物理特性：（1）熔沸點較高，硬度較大，難揮發(fā)，難壓縮。（2）一般易溶于水，而難溶于非極性溶劑。（3）固態(tài)不導(dǎo)電，在
4、水溶液中或者熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電。不存在單個分子。NaClCsCl熔點℃沸點℃80164514131290一般：原子晶體>離子晶體>分子晶體（有例外）（1）離子鍵的強(qiáng)弱可用晶格能的大小表示．（2）晶格能是相互遠(yuǎn)離的氣態(tài)離子形成lmo1離子晶體時釋放的能量，通常取正值。（3）晶格能越大，表示離子鍵越強(qiáng)，離子晶體熔沸點越高，硬度越大，晶體越穩(wěn)定。2、晶格能某些離子晶體的晶格能/kJ.mol-1F-Cl-Br-I-Li+Na+K+Rb+Cs+103692382178574058378671568965980774768266063175770464963060
5、4-（4）影響晶格能大小的因素：AB型離子晶體離子電荷晶格能kJ.mol-1熔點℃摩氏硬度NaF19239933.2NaCl17868012.5NaBr1747747<2.5NaI1704661<2.5MgO2379128526.5CaO2340126144.5SrO2322324303.5BaO2305410183.3離子半徑越小，離子所帶的電荷數(shù)越多，晶格能越大。簡言之,晶格能的大小與離子帶電量成正比,與離子半徑成反比。科學(xué)視野★復(fù)雜離子晶體——碳酸鹽的熱分解溫度高低規(guī)律以堿土金屬碳酸鹽為例（堿金屬碳酸鹽分解溫度甚高，在此不予討論）熱分解機(jī)理——
6、實驗數(shù)據(jù)——分析實驗數(shù)據(jù)、結(jié)合分解機(jī)理可知——★陽離子半徑越大，堿土金屬碳酸鹽的分解溫度越高★巖漿晶出規(guī)則與晶格能的關(guān)系★晶格能高的晶體熔點較高，更容易在巖漿冷卻過程中冷卻下來，從而先結(jié)晶離子半徑離子核間的平衡距離等于兩個互相接觸的球形離子的半徑之和。離子晶體的一些典型結(jié)構(gòu)CaF2（熒石）型晶體結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)型式化學(xué)組成比n+/n-負(fù)離子堆積方式正負(fù)離子配位數(shù)比CN+/CN-正離子所占空隙種類CaF2型1:2簡單立方堆積8:4立方體離子堆積描述極化效應(yīng)很小時，決定正離子配位數(shù)CN+的主要因素是正負(fù)離子半徑比r+/r-.下列示意圖表明正負(fù)離子半徑比太小導(dǎo)致正
7、離子配位數(shù)降低:對于幾種確定的CN+，理論上要求的r+/r-臨界值(最小值)如下:小結(jié)：晶體熔沸點高低的判斷⑴不同晶體類型的熔沸點比較一般：原子晶體>離子晶體>分子晶體（有例外）⑵同種晶體類型物質(zhì)的熔沸點比較①離子晶體：陰、陽離子電荷數(shù)越大，半徑越小熔沸點越高②原子晶體：原子半徑越小→鍵長越短→鍵能越大熔沸點越高③分子晶體：相對分子質(zhì)量越大，分子的極性越大熔沸點越高組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體④金屬晶體：金屬陽離子電荷數(shù)越高，半徑越小熔沸點越高第四節(jié)科學(xué)探究：速度的變化復(fù)習(xí)勻速直線運(yùn)動變速直線運(yùn)動平均速度學(xué)校即將召開秋季運(yùn)動會，初二（3）班的老師組織四位
8、參加4×100m接力跑的同學(xué)進(jìn)行訓(xùn)練，練了一會兒，同學(xué)們開始討論：小剛認(rèn)為小勇越練越慢，而小勇認(rèn)為他越跑越快
