電子技術(shù)發(fā)展與展望

電子技術(shù)發(fā)展與展望

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1、電子技術(shù)的發(fā)展與展望通信0908班王格林(09211202)孫玲瑤(09211200)可以毫不夸張的說,人們現(xiàn)在生活在電子世界中。電子技術(shù)無處不在:近至計算機、手機、數(shù)碼相機、音樂播放器、彩電、音響等生活常用品,遠至工業(yè)、航天、軍事等領(lǐng)域都可看到電子技術(shù)的身影。電子技術(shù)是十九世紀末,二十世紀初開始發(fā)展起來的新興技術(shù),它在二十世紀的迅速發(fā)展大大推動了航空技術(shù)、遙測傳感技術(shù)、通訊技術(shù)、計算機技術(shù)以及網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的迅速發(fā)展,因此它成為近代科學(xué)技術(shù)發(fā)展的一個重要標(biāo)志。一、電子技術(shù)定義:電子技術(shù)是根據(jù)電子學(xué)的原理,運用電子器件設(shè)計和制造某種特定功能的電路以解決實際問題的科學(xué),包括信息電子技

2、術(shù)和電力電子技術(shù)兩大分支。信息電子技術(shù)包括Analog(模擬)電子技術(shù)和Digital(數(shù)字)電子技術(shù)。電子技術(shù)是對電子信號進行處理的技術(shù),處理的方式主要有:信號的發(fā)生、放大、濾波、轉(zhuǎn)換。二、電子技術(shù)經(jīng)歷時代現(xiàn)代電力電子技術(shù)的發(fā)展方向,是從以低頻技術(shù)處理問題為主的傳統(tǒng)電力電子學(xué),向以高頻技術(shù)處理問題為主的現(xiàn)代電力電子學(xué)方向轉(zhuǎn)變。從1950年起,電子技術(shù)經(jīng)歷了晶體管時代,集成電路時代,超大規(guī)模集成電路時代,直至現(xiàn)代經(jīng)歷了微電子技術(shù)時代,納米技術(shù),EDA技術(shù),嵌入式技術(shù)等。1、發(fā)展初期(電子管,晶體管時代)起源于20世紀初,20世紀三十年代達到了鼎盛時期。第一代電子技術(shù)的核心是電

3、子管。1904年,弗萊明制成了第一只電子二極管用于檢測電波,標(biāo)志著電子時代的到來。過了不久,美國的德福雷斯特(LeedeForest)在燈絲和極板之間加人了柵極,從而發(fā)明了三極管,并于1906年申請了專利。比起二極管,三極管有更高的敏感度,而且集檢波、放大和振蕩三種功能于一體。1925年,蘇格蘭的貝爾德公開展示了他制造的電視,成功地傳送了人的面部活動,分辨率為30線,重復(fù)頻率為每秒5幀。然而,電子管體積大、笨重、能耗大、壽命短的缺點,使得人們迫切需要一種新的電子元件來替代電子管。飛速發(fā)展的半導(dǎo)體物理為新時代的到來鋪平了道路。二十世紀二十年代,理論物理學(xué)家們建立了量子物理,19

4、28年普朗克應(yīng)用量子力學(xué),提出了能帶理論【能帶理論(Energybandtheory)是討論晶體(包括金屬、絕緣體和半導(dǎo)體的晶體)中電子的狀態(tài)及其運動的一種重要的近似理論。它把晶體中每個電子的運動看成是獨立的在一個等效勢場中的運動,即是單電子近似的理論;對于晶體中的價電子而言,等效勢場包括原子實的勢場、其他價電子的平均勢場和考慮電子波函數(shù)反對稱而帶來的交換作用,是一種晶體周期性的勢場】的基本思想,1931年英國物理學(xué)家威爾遜在能帶理論的基礎(chǔ)上,提出半導(dǎo)體的物理模型,1939年肖特基、莫特和達維多夫,建立了擴散理論。這些理論上的突破,為半導(dǎo)體的問世提供了理論基礎(chǔ)。1947年l2

5、月23日,貝爾實驗室的巴丁和布拉頓制成了世界上第一個晶體管——點接觸三極管,這是世界上第一只晶體三極管,它標(biāo)志著電子技術(shù)從電子管時代進入到晶體管時代邁開第一步。此后不久,貝爾實驗室的肖克利又于1948年11月提出一種更好的結(jié)型晶體管的設(shè)想。到了1954年,實用的晶體管開發(fā)成功,并由貝爾實驗室率先應(yīng)用在電子開關(guān)系統(tǒng)中。與以前的電子管相比,晶體管體積小、能耗低、壽命長、更可靠,因此,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進步,晶體管在眾多領(lǐng)域逐步取代了電子管。更重要的是,體積微小的晶體管使集成電路的出現(xiàn)有了可能。1、集成電路時代1952年,英國雷達研究所的一個著名科學(xué)家達默提出能否將晶體管等元件不通過

6、連接線而直接集成在一起從而構(gòu)成一個有特定功能的電路。之后,美國得克薩斯儀器公司的基比爾按其思路,于1958年制成了第一個集成電路的模型,1959年德州儀器公司宣布發(fā)明集成電路,從此,電子技術(shù)進入集成電路時代。同年,美國著名的仙童電子公司也宣布研究成功集成電路,該公司赫爾尼等人發(fā)明的一整套制造微型晶體管的“平面工藝”被移用到集成電路的制作中,集成電路很快就由實驗室試驗階段轉(zhuǎn)入了工業(yè)生產(chǎn)階段。1959年,德州儀器公司建成世界上第一條集成電路生產(chǎn)線。1962年,世界上第一塊集成電路正式商品問世。與分立元件的電路相比,集成電路體積重量都大大減小,同時,功耗小,更可靠,更適合大批量生產(chǎn)

7、。集成電路發(fā)明后,其發(fā)展非常迅速,其制作工藝不斷進步,規(guī)模不斷擴大。2、超大規(guī)模集成電路時代1958年,貝爾實驗室制造出金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),盡管它比雙極型晶體管晚了近十年,但由于其制造工藝簡單,為集成化提供了有利條件。隨著硅平面工藝技術(shù)的發(fā)展,MOS集成電路遵循Moore定律,即一個芯片上所集成的器件,以每隔18個月提高一倍的速度向前飛速發(fā)展(見圖1.4.1)。至今集成電路的集成度已提高了500萬倍,特征尺寸縮小200倍,單個器件成本下降100萬倍。3、近現(xiàn)代電子技術(shù)(1)

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