大功率變流技術(shù)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下浙江大學(xué).docx

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大功率變流技術(shù)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下浙江大學(xué)浙江大學(xué)第一章測試1.電力電子是哪三大學(xué)科的交叉融合？（）。A:電力B:控制C:電機(jī)D:電子答案:電力;控制;電子2.中壓大容量變流系統(tǒng)中，整流器與逆變器之間的儲能環(huán)節(jié)的電感Ld，大多數(shù)情況下可以使用母排的寄生電感。（）A:對B:錯答案:錯3.目前風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用場景下，常用的變換器功率等級是？（）。A:3000MWB:10MWC:100MWD:300MW答案:10MW 1.NeutralPointClamped(NPC)、CascadedH-Bridge(CHB)、FlyingCapacitor(FC)都屬于多電平電壓源變換器。（）。A:對B:錯答案:對2.中壓大容量變流系統(tǒng)中，網(wǎng)側(cè)變流器面臨的主要挑戰(zhàn)包括？（）A:如何抑制PWM斬波引起的dv/dt噪聲以及波反射效應(yīng)B:如何抑制電網(wǎng)與整流器之間，由于無源電感和無源電容引發(fā)的諧振C:如何提高網(wǎng)側(cè)的功率因數(shù)D:如何降低整流器的非線性因素引起的網(wǎng)側(cè)電流畸變答案:如何抑制電網(wǎng)與整流器之間，由于無源電感和無源電容引發(fā)的諧振;如何提高網(wǎng)側(cè)的功率因數(shù);如何降低整流器的非線性因素引起的網(wǎng)側(cè)電流畸變第二章測試3.器件串聯(lián)靜態(tài)失衡包括以下哪些原因（）。A:導(dǎo)通電阻B:漏電流C:線路寄生電感D:芯片溫度答案:漏電流;芯片溫度 1.在功率器件串聯(lián)應(yīng)用中，過壓箝位的主動均衡法無法實現(xiàn)實時動態(tài)均壓。（）A:對B:錯答案:對2.用正弦波來等效上升沿信號的帶寬，信號的等效頻率與信號上升時間滿足怎樣的關(guān)系？（）。A:f=4/trB:f=2/trC:f=0.5/trD:f=0.25/tr答案:f=0.25/tr3.壓接式封裝相比焊接式封裝的功率器件，更加適用于高壓大功率應(yīng)用場景。（）。A:對B:錯答案:對4.以下哪些屬于隔離檢測電流的儀器或配件？（）A:同軸電阻B:電流互感器C:電流探頭D:羅氏線圈答案:電流互感器;電流探頭 ;羅氏線圈第三章測試1.兩電平逆變器同一個橋臂的上下兩管既不能同時開通，也要避免長時間的同時關(guān)斷。（）A:對B:錯答案:對2.三相兩電平逆變器的正弦波調(diào)制通過改變每相載波的相位，可以抑制輸出的共模電壓。（）A:錯B:對答案:對3.正弦波調(diào)制采用過調(diào)制的方式可以提升直流電壓利用率。（）。A:錯B:對答案:對4.空間矢量調(diào)制技術(shù)中五段碼相比于七段碼？（）。A:輸出波形THD低B:開關(guān)損耗低C:輸出波形THD高D:開關(guān)損耗高答案:開關(guān)損耗低 ;輸出波形THD高1.空間矢量調(diào)制技術(shù)的開關(guān)序列一般以零矢量作為起始矢量，這是為了保證兩個開關(guān)周期間切換時沒有額外的開關(guān)動作。（）A:對B:錯答案:對第四章測試2.對于CHB拓?fù)?，采用載波層疊調(diào)制的輸出電流諧波更?。ǎ〢:錯B:對答案:對3.CHB拓?fù)涞目刂茝?fù)雜，而且隨著級聯(lián)的級數(shù)增加，其控制復(fù)雜性會成倍增加（）A:錯B:對答案:錯4.以下關(guān)于CHB拓?fù)涞闹绷髟凑f法錯誤的是（）。A:各級聯(lián)H橋的直流源電壓可以不同B:CHB拓?fù)湫枰嗦藩?dú)立的直流電源C:對于單相m電平的CHB逆變器來說，總共需要(m-1)個直流源D:直流電源多由采用移相變壓器供電的多脈沖二極管整流器得到 答案:對于單相m電平的CHB逆變器來說，總共需要(m-1)個直流源1.以下關(guān)于H橋拓?fù)湔{(diào)制方法中錯誤的是（）。A:單極性調(diào)制輸出的THD比雙極性調(diào)制的更低B:單極性調(diào)制的等效開關(guān)頻率可以是雙極性調(diào)制的兩倍C:單極性調(diào)制的開關(guān)損耗比雙極性調(diào)制的更高D:可以采用雙極性和單極性兩種調(diào)制方法答案:單極性調(diào)制的開關(guān)損耗比雙極性調(diào)制的更高2.關(guān)于載波移相調(diào)制和載波層疊調(diào)制，下列說法哪些是正確的（）。A:這兩種調(diào)制方法均為單極性的調(diào)制方法B:載波層疊調(diào)制時需要額外采用開關(guān)模式的輪詢來使各開關(guān)器件損耗保持均衡C:載波層疊調(diào)制的控制復(fù)雜比載波移相調(diào)制要高，但是其輸出THD更小一些D:兩者等效的開關(guān)頻率是相同的答案:這兩種調(diào)制方法均為單極性的調(diào)制方法;載波層疊調(diào)制時需要額外采用開關(guān)模式的輪詢來使各開關(guān)器件損耗保持均衡;載波層疊調(diào)制的控制復(fù)雜比載波移相調(diào)制要高，但是其輸出THD更小一些第五章測試3.多電平變換器的一個核心目標(biāo)是要降低器件的電壓應(yīng)力（） A:對B:錯答案:對1.多電平拓?fù)錈o法采用空間矢量調(diào)制（）A:錯B:對答案:錯2.m電平二極管箝位型拓?fù)錁?gòu)成的三相變流器所需開關(guān)數(shù)量是（）。A:6(m-2)B:6(m-1)C:3(m-1)(m-2)D:6(m-1)(m-2)答案:6(m-1)3.以下關(guān)于共直流母線型多電平變流器的敘述中錯誤的是（）。A:五電平飛跨電容拓?fù)湔{(diào)制時要用三個載波B:五電平飛跨電容拓?fù)錁?gòu)成的三相變流器的線電壓最多為九電平C:二極管箝位型多電平拓?fù)涞娜禽d波可以采用交替反相，APOD的方式D:載波層疊調(diào)制法會造成二極管箝位型多電平拓?fù)涞拈_關(guān)器件損耗不均答案:五電平飛跨電容拓?fù)湔{(diào)制時要用三個載波4.關(guān)于飛跨電容型多電平拓?fù)?，下列說法哪些是正確的（）。A:相比于同功率等級的兩電平拓?fù)?，飛跨電容型多電平拓?fù)涞腅MI比較小B:飛跨電容型多電平拓?fù)渌桦娙輸?shù)跟電平數(shù)呈平方關(guān)系C:飛跨電容型多電平拓?fù)渲械娘w跨電容可以不需要預(yù)充電電路 D:飛跨電容型多電平拓?fù)渲谐巳娖胶退碾娖揭酝猓嚯娖降耐負(fù)鋺?yīng)用較少答案:相比于同功率等級的兩電平拓?fù)?，飛跨電容型多電平拓?fù)涞腅MI比較小;飛跨電容型多電平拓?fù)渌桦娙輸?shù)跟電平數(shù)呈平方關(guān)系;飛跨電容型多電平拓?fù)渲谐巳娖胶退碾娖揭酝猓嚯娖降耐負(fù)鋺?yīng)用較少第六章測試1.從理論上講，提高拓?fù)涞碾娖綌?shù)，能夠降低輸出電壓的THD。（）A:對B:錯答案:對2.若功率器件電壓等級相同，NPC/H-Bridge拓?fù)淇梢暂敵龅碾妷阂葌鹘y(tǒng)的H橋級聯(lián)拓?fù)涓?。（）A:錯B:對答案:對3.以下對NPC/H-Bridge組合型5電平拓?fù)涿枋鲥e誤的是（）。A:相比于CHBInverter，單個模塊能輸出的功率更大B:所需的功率器件數(shù)更多C:相比于CHBInverter，單個模塊能輸出的電平更多D:相比于CHBInverter，調(diào)制時可用的冗余矢量更多答案:相比于CHBInverter，調(diào)制時可用的冗余矢量更多 1.以下對ANPC/FC拓?fù)涿枋雒枋鲥e誤的是（）。A:模塊化程度高B:與同樣電平數(shù)的ANPC相比，所用開關(guān)器件更少C:飛跨電容限制了裝置容量的提升D:由于結(jié)構(gòu)對稱，因此調(diào)制較為簡單答案:由于結(jié)構(gòu)對稱，因此調(diào)制較為簡單2.關(guān)于混合型多電平拓?fù)涞恼{(diào)制，描述正確的是（）。A:NPC/H-Bridge五電平拓?fù)?，同一橋臂的兩個上管不能同時導(dǎo)通B:ANPC/FC五電平中一半開關(guān)管和另一半開關(guān)管是互補(bǔ)導(dǎo)通的C:NPC/H-Bridge五電平拓?fù)淇梢圆捎每臻g矢量調(diào)制策略D:ANPC/FC五電平中冗余矢量比NPC/H-Bridge五電平的冗余矢量多答案:ANPC/FC五電平中一半開關(guān)管和另一半開關(guān)管是互補(bǔ)導(dǎo)通的;NPC/H-Bridge五電平拓?fù)淇梢圆捎每臻g矢量調(diào)制策略第七章測試3.模塊化多電平拓?fù)渌哂械膬?yōu)點(diǎn)有（）。A:橋臂子模塊電容電壓波動小B:避免了功率器件的直接串聯(lián)C:可靈活配置功率和電壓等級D:輸出電壓諧波含量低 答案:可靈活配置功率和電壓等級1.MMC半橋子模塊可以輸出正、負(fù)直流電壓兩種電平。（）A:對B:錯答案:錯2.當(dāng)MMC橋臂子模塊數(shù)較多時，模塊化多電平拓?fù)涑Ｓ玫恼{(diào)制方式（）。A:載波層疊調(diào)制B:空間矢量調(diào)制C:載波移相調(diào)制D:最近電平逼近調(diào)制答案:最近電平逼近調(diào)制3.通過合理分配冗余矢量的方法可以實現(xiàn)MMC橋臂子模塊電容電壓的均衡（）。A:錯B:對答案:錯4.以下哪種MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)不具有直流故障穿越功能。（）A:半橋子模塊MMC拓?fù)?HBSM)B:全橋子模塊MMC拓?fù)?FBSM)C:二極管箝位型子模塊MMC拓?fù)?CDSM)D:全橋T型三電平子模塊MMC拓?fù)?FBTSM) 答案:半橋子模塊MMC拓?fù)?HBSM)第八章測試1.電流源型逆變器的特點(diǎn)有（）。A:每一個開關(guān)管都需要反并二極管B:每一個開關(guān)管都有互補(bǔ)導(dǎo)通的開關(guān)管C:在確定的PWM調(diào)制下，三相輸出電流基本不隨負(fù)荷變化D:相比于電壓源型逆變器，輸出電壓的正弦度更高答案:在確定的PWM調(diào)制下，三相輸出電流基本不隨負(fù)荷變化;相比于電壓源型逆變器，輸出電壓的正弦度更高2.對于電流源型逆變器，其輸出電流是PWM波，在其輸出端加濾波電感，可以使得端口上的電壓接近于正弦波，電流也更接近正弦波。（）A:錯B:對答案:錯3.對于三相6開關(guān)的電流源型逆變器，同一時刻有且只能有幾個開關(guān)管同時導(dǎo)通（）。A:3B:2C:4D:1答案:2 1.對于電流源型逆變器，如果其輸出端沒有濾波電容，則電機(jī)繞組電感上的電流變化率很大，會產(chǎn)生很大的電壓，進(jìn)而將電機(jī)繞組的絕緣擊穿（）。A:錯B:對答案:對2.對于電流源型逆變器，在輸出端正確配置濾波器的情況下，其輸出端電流、電機(jī)端電流、電機(jī)端電壓分別為（）A:脈沖波、較好的正弦波、較好的正弦波B:脈沖波、脈沖波、脈沖波C:較好的正弦波、較好的正弦波、較好的正弦波D:較好的正弦波、脈沖波、脈沖波答案:脈沖波、較好的正弦波、較好的正弦波第九章測試3.二極管六脈波整流技術(shù)有哪些不足？（）。A:THD高B:功率因數(shù)低C:不具備直流電壓調(diào)節(jié)能力D:在大容量應(yīng)用場合，需要器件的直接串聯(lián)或者并聯(lián)答案:THD高;功率因數(shù)低;不具備直流電壓調(diào)節(jié)能力;在大容量應(yīng)用場合，需要器件的直接串聯(lián)或者并聯(lián) 1.相比于6脈波整流，12脈波整流THD更小，功率因數(shù)更高。（）A:錯B:對答案:對2.二極管三相六脈波整流器交流測的電抗器Ls可以防止過大的電流沖擊。（）。A:錯B:對答案:對3.晶閘管多脈波整流器可以通過控制器件開通與關(guān)斷，實現(xiàn)對輸入電流的控制。（）。A:錯B:對答案:錯4.PWM整流器交流測加一組電容，有什么作用？（）A:輔助換流B:提高功率因數(shù)C:降低開關(guān)管電壓過充D:濾波答案:輔助換流;降低開關(guān)管電壓過充;濾波