資源描述:
《半導(dǎo)體制造技術(shù)-半導(dǎo)體天地》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫(kù)。
1、-------------------------------------------------------精選財(cái)經(jīng)經(jīng)濟(jì)類資料----------------------------------------------半導(dǎo)體制造技術(shù)-半導(dǎo)體天地半導(dǎo)體論壇 1.擴(kuò)散工藝的性能指標(biāo)有哪些啊 主要是方塊電阻和結(jié)深,這兩個(gè)指標(biāo)達(dá)到了,其他的方面也就滿足要求了 多晶硅的方塊電阻和結(jié)深對(duì)于生產(chǎn)線來(lái)說(shuō),主要監(jiān)控片內(nèi)和片間的均勻性和方塊大小,結(jié)深測(cè)試是破壞性的僅有在開(kāi)發(fā)階段進(jìn)行驗(yàn)證--------------------------------------------
2、---最新財(cái)經(jīng)經(jīng)濟(jì)資料----------------感謝閱讀-----------------------------------~126~-------------------------------------------------------精選財(cái)經(jīng)經(jīng)濟(jì)類資料----------------------------------------------半導(dǎo)體制造技術(shù)-半導(dǎo)體天地半導(dǎo)體論壇 1.擴(kuò)散工藝的性能指標(biāo)有哪些啊 主要是方塊電阻和結(jié)深,這兩個(gè)指標(biāo)達(dá)到了,其他的方面也就滿足要求了 多晶硅的方塊電阻和結(jié)深對(duì)于生產(chǎn)線來(lái)說(shuō),主要監(jiān)控片內(nèi)和片間的均勻
3、性和方塊大小,結(jié)深測(cè)試是破壞性的僅有在開(kāi)發(fā)階段進(jìn)行驗(yàn)證-----------------------------------------------最新財(cái)經(jīng)經(jīng)濟(jì)資料----------------感謝閱讀-----------------------------------~126~-------------------------------------------------------精選財(cái)經(jīng)經(jīng)濟(jì)類資料----------------------------------------------半導(dǎo)體制造技術(shù)-半導(dǎo)體天地半導(dǎo)體論壇 1.擴(kuò)散工藝的性能指標(biāo)
4、有哪些啊 主要是方塊電阻和結(jié)深,這兩個(gè)指標(biāo)達(dá)到了,其他的方面也就滿足要求了 多晶硅的方塊電阻和結(jié)深對(duì)于生產(chǎn)線來(lái)說(shuō),主要監(jiān)控片內(nèi)和片間的均勻性和方塊大小,結(jié)深測(cè)試是破壞性的僅有在開(kāi)發(fā)階段進(jìn)行驗(yàn)證-----------------------------------------------最新財(cái)經(jīng)經(jīng)濟(jì)資料----------------感謝閱讀-----------------------------------~126~-------------------------------------------------------精選財(cái)經(jīng)經(jīng)濟(jì)類資料------
5、----------------------------------------半導(dǎo)體制造技術(shù)-半導(dǎo)體天地半導(dǎo)體論壇 1.擴(kuò)散工藝的性能指標(biāo)有哪些啊 主要是方塊電阻和結(jié)深,這兩個(gè)指標(biāo)達(dá)到了,其他的方面也就滿足要求了 多晶硅的方塊電阻和結(jié)深對(duì)于生產(chǎn)線來(lái)說(shuō),主要監(jiān)控片內(nèi)和片間的均勻性和方塊大小,結(jié)深測(cè)試是破壞性的僅有在開(kāi)發(fā)階段進(jìn)行驗(yàn)證-----------------------------------------------最新財(cái)經(jīng)經(jīng)濟(jì)資料----------------感謝閱讀-----------------------------------~126
6、~-------------------------------------------------------精選財(cái)經(jīng)經(jīng)濟(jì)類資料----------------------------------------------半導(dǎo)體制造技術(shù)-半導(dǎo)體天地半導(dǎo)體論壇 1.擴(kuò)散工藝的性能指標(biāo)有哪些啊 主要是方塊電阻和結(jié)深,這兩個(gè)指標(biāo)達(dá)到了,其他的方面也就滿足要求了 多晶硅的方塊電阻和結(jié)深對(duì)于生產(chǎn)線來(lái)說(shuō),主要監(jiān)控片內(nèi)和片間的均勻性和方塊大小,結(jié)深測(cè)試是破壞性的僅有在開(kāi)發(fā)階段進(jìn)行驗(yàn)證-------------------------------------------
7、----最新財(cái)經(jīng)經(jīng)濟(jì)資料----------------感謝閱讀-----------------------------------~126~-------------------------------------------------------精選財(cái)經(jīng)經(jīng)濟(jì)類資料----------------------------------------------半導(dǎo)體制造技術(shù)-半導(dǎo)體天地半導(dǎo)體論壇 1.擴(kuò)散工藝的性能指標(biāo)有哪些啊 主要是方塊電阻和結(jié)深,這兩個(gè)指標(biāo)達(dá)到了,其他的方面也就滿足要求了 多晶硅的方塊電阻和結(jié)深對(duì)于生產(chǎn)線來(lái)說(shuō),主要監(jiān)控片內(nèi)和片間的均
8、勻性和方塊大小,結(jié)深測(cè)試是破壞性的僅有