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《計(jì)算機(jī)組成原理(存儲(chǔ)器)》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線(xiàn)閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫(kù)。
1、計(jì)算機(jī)組成原理主講:顏俊華存儲(chǔ)子系統(tǒng)存儲(chǔ)子系統(tǒng)主要知識(shí)點(diǎn):1.掌握存儲(chǔ)器的分類(lèi)、存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)2.掌握存儲(chǔ)單元、存儲(chǔ)容量、地址線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)的關(guān)系3.掌握用半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片組成主存儲(chǔ)器的方法4.了解輔助存儲(chǔ)器的工作原理5.掌握Cache和虛擬存儲(chǔ)器的工作原理重點(diǎn):半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)、各類(lèi)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)、主存儲(chǔ)器的組織方法(與CPU的連接方法),cache,虛擬存儲(chǔ)器難點(diǎn):主存儲(chǔ)器的組織方法,Cache、虛擬存儲(chǔ)器的工作原理存儲(chǔ)系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu)三級(jí)存儲(chǔ)體系存儲(chǔ)系統(tǒng):容量大、速度快、成本低CPUCache主存外存對(duì)某類(lèi)存儲(chǔ)器而言,這些要求往往是相互矛盾的,如容量大,速度不能很快;速度快
2、,成本不可能低;因此,在一個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)常采用幾種不同的存儲(chǔ)器,構(gòu)成多級(jí)存儲(chǔ)體系,滿(mǎn)足系統(tǒng)的要求。主存儲(chǔ)器(內(nèi)存)輔助存儲(chǔ)器(外存)高速緩沖存儲(chǔ)器Cache存儲(chǔ)系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu)主要存放CPU當(dāng)前使用的程序和數(shù)據(jù)。速度快容量有限存放大量的后備程序和數(shù)據(jù)。速度較慢容量大存放CPU在當(dāng)前一小段時(shí)間內(nèi)多次使用的程序和數(shù)據(jù)。速度很快容量小物理存儲(chǔ)器和虛擬存儲(chǔ)器主存-外存層次:增大容量CPU主存外存:為虛擬存儲(chǔ)器提供條件虛擬存儲(chǔ)器:將主存空間與部分外存空間組成邏輯地址空間用戶(hù)使用邏輯地址空間編程,操作系統(tǒng)進(jìn)行有關(guān)程序調(diào)度、存儲(chǔ)空間分配、地址轉(zhuǎn)換等工作存儲(chǔ)系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器分類(lèi)按存儲(chǔ)機(jī)制分類(lèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器靜態(tài)存
3、儲(chǔ)器:利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器存儲(chǔ)信息動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器:依靠電容存儲(chǔ)電荷存儲(chǔ)信息磁表面存儲(chǔ)器:利用磁層上不同方向的磁化區(qū)域表示信息,容量大,非破壞性讀出,長(zhǎng)期保存信息,速度慢。光盤(pán)存儲(chǔ)器利用光斑的有無(wú)表示信息存儲(chǔ)器分類(lèi)按存取方式分類(lèi)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取:可按地址訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器中的任一單元,訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間與地址單元無(wú)關(guān)RAM:MROM:可讀可寫(xiě)ROM:只讀不寫(xiě)PROM:用戶(hù)不能編程用戶(hù)可一次編程EPROM:用戶(hù)可多次編程EEPROM:用戶(hù)可多次編程SRAM:DRAM:存儲(chǔ)器分類(lèi)順序存取存儲(chǔ)器(SAM)訪(fǎng)問(wèn)時(shí)按讀/寫(xiě)部件順序查找目標(biāo)地址,訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間與數(shù)據(jù)位置有關(guān)等待操作平均等待時(shí)間讀/寫(xiě)操作兩步操作速度指標(biāo)(ms)
4、數(shù)據(jù)傳輸率(字節(jié)/秒)存取周期或讀/寫(xiě)周期(ns)速度指標(biāo):時(shí)鐘周期的若干倍作主存、高速緩存。存儲(chǔ)器分類(lèi)直接存取存儲(chǔ)器(DM)訪(fǎng)問(wèn)時(shí)讀/寫(xiě)部件先直接指向一個(gè)小區(qū)域,再在該區(qū)域內(nèi)順序查找。訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間與數(shù)據(jù)位置有關(guān)三步操作定位(尋道)操作等待(旋轉(zhuǎn))操作讀/寫(xiě)操作速度指標(biāo)平均定位(平均尋道)時(shí)間平均等待(平均旋轉(zhuǎn))時(shí)間數(shù)據(jù)傳輸率(位/秒)存儲(chǔ)器分類(lèi)相聯(lián)存儲(chǔ)器:是一種特殊存儲(chǔ)器,是基于數(shù)據(jù)內(nèi)容進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)的存儲(chǔ)設(shè)備。寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)CAM能自動(dòng)選擇一個(gè)未用空單元進(jìn)行存儲(chǔ)。讀取數(shù)據(jù)時(shí)CAM用所給數(shù)據(jù)同時(shí)對(duì)所有存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較標(biāo)記符合條件的數(shù)據(jù)。比較是同時(shí)進(jìn)行的,所以讀取速度比基于地址進(jìn)行讀寫(xiě)的速度快
5、。主存儲(chǔ)器分類(lèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器ROM隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器RAM掩膜ROM可編程ROM(PROM)可擦除ROM(EPPROM)電擦除ROM(E2PROM)靜態(tài)RAM(SRAM)動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM:可讀可寫(xiě)、斷電丟失只讀存儲(chǔ)器ROM:正常情況下只讀、斷電不丟失隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM(radomaccessmemry,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)要求元件有如下記憶特性:有兩種穩(wěn)定狀態(tài);在外部信號(hào)的激勵(lì)下,兩種穩(wěn)定狀態(tài)能進(jìn)行無(wú)限次相互轉(zhuǎn)換;在外部信號(hào)激勵(lì)下,能讀出兩種穩(wěn)定狀態(tài);可靠地存儲(chǔ)。半導(dǎo)體RAM元件可以分為兩大類(lèi):SRAM:是利用開(kāi)關(guān)特性進(jìn)行記憶,只要電源有電,它總能保持兩個(gè)穩(wěn)定
6、狀態(tài)中的一個(gè)狀態(tài)。DRAM:除要電源有電外,還必須動(dòng)態(tài)地每隔一定的時(shí)間間隔對(duì)它進(jìn)行一次刷新,否則信息就會(huì)丟失。只讀存儲(chǔ)器掩模型只讀存儲(chǔ)器MROM可編程只讀存儲(chǔ)器PROM可重編程只讀存儲(chǔ)器EPROM電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM閃速存儲(chǔ)器flash1.掩模型只讀存儲(chǔ)器MROM以有無(wú)元器件表示0和1,MROM芯片出廠時(shí),已經(jīng)寫(xiě)入信息,不能改寫(xiě)用于需要量大且不需要改寫(xiě)的場(chǎng)合只讀存儲(chǔ)器2.可編程只讀存儲(chǔ)器PROMPROM芯片出廠時(shí),內(nèi)容為全1,用戶(hù)可用專(zhuān)用PROM寫(xiě)入器將信息寫(xiě)入,一旦寫(xiě)入不能改寫(xiě)(即只能寫(xiě)入一次),所以又稱(chēng)一次型可編程只讀存儲(chǔ)器。W0W1b0b1b2熔絲型PROM只讀存儲(chǔ)器
7、3.EPROM:可擦除可編程ROMUVEPROM(ultravioleterasableprogrammableROM)紫外線(xiàn)擦除(有一石英窗口,改寫(xiě)時(shí)要將其置于一定波長(zhǎng)的紫外線(xiàn)燈下,照射一定時(shí)間全部擦除,時(shí)間長(zhǎng)大約10~25分鐘)EPROM存在兩個(gè)問(wèn)題:A.用紫外線(xiàn)燈的擦除時(shí)間長(zhǎng).B.只能整片擦除,不能改寫(xiě)個(gè)別單元或個(gè)別位只讀存儲(chǔ)器4.電可擦除只讀存儲(chǔ)器EEPROM(electronicallyEPROM)可在聯(lián)機(jī)情況下,通過(guò)專(zhuān)用