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《天線效應(yīng)解決方案》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫(kù)。
1、自從人類進(jìn)入商品經(jīng)濟(jì)社會(huì)以來(lái)，貿(mào)易即已成為人們?nèi)粘；顒?dòng)的主要部分，并成為一國(guó)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的主動(dòng)力。國(guó)際分工的深化、大量國(guó)際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)規(guī)則的建立天線效應(yīng)解決方案 篇一：天線效應(yīng)及解決方法 干蝕刻（etch）需要使用很強(qiáng)的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)離子原漿，在蝕刻gatepoly和氧化層邊的時(shí)候，電荷可能積累在gatepoly上，并產(chǎn)生電壓足以使電流穿過(guò)gate的氧化層，雖然這種狀況通常不會(huì)破壞gate氧化層，但會(huì)降低其絕緣程度。這種降低程度于gate氧化層面積內(nèi)通過(guò)的電荷數(shù)成正比。每一poly區(qū)積累的正電荷與它的面積成正比，如
2、果一塊很小的gate氧化層連接到一塊很大的poly圖形時(shí)，就可能造成超出比例的破壞，因?yàn)榇髩K的poly區(qū)就像一個(gè)天線一樣收集電荷，所以這種效應(yīng)稱為天線效應(yīng)，天線效應(yīng)也會(huì)發(fā)生在source/drain的離子植入時(shí)。天線效應(yīng)與poly和gate氧化層的面積之比成正比（對(duì)于pmos和nmos,要分開(kāi)計(jì)算gate氧化層的面積，因?yàn)樗鼈兊膿舸╇妷翰煌?。?dāng)這個(gè)比值達(dá)到數(shù)百倍時(shí)，就可能破壞氧化層。大多數(shù)的layout中都可能有少數(shù)這樣大比值的poly圖形?！ ∠聢D為一個(gè)可能產(chǎn)生天線效應(yīng)的例子：mosM1的gate由p
3、oly連接至M2，當(dāng)M1和M2距離夠長(zhǎng)造成poly和M1gate氧化層面積之比太大，從而可能破壞M1的gate氧化層?！ ∠炀€效應(yīng)的方法主要是設(shè)法降低接到gate的 poly面積。見(jiàn)右圖，在poly接至gate增加一個(gè)metal跳線，即減小了接至gate的poly與gate氧化層的面隨著信息化和全球化的發(fā)展，國(guó)家及地區(qū)之間的貿(mào)易也已成為拉動(dòng)一國(guó)經(jīng)濟(jì)的三駕馬車之一，甚至是三駕馬車之首，奧巴馬政府成立之日起自從人類進(jìn)入商品經(jīng)濟(jì)社會(huì)以來(lái)，貿(mào)易即已成為人們?nèi)粘；顒?dòng)的主要部分，并成為一國(guó)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的主動(dòng)力。國(guó)際
4、分工的深化、大量國(guó)際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)規(guī)則的建立積之比，起到消除天線效應(yīng)的作用。 天線效應(yīng)產(chǎn)生的靜電破壞也會(huì)發(fā)生在metal蝕刻時(shí)。如果metal接到diffusion時(shí)，極少會(huì)產(chǎn)生靜電破壞，因?yàn)閐iffsion可以卸掉靜電，所以topmetal一般不用考慮天線效應(yīng)的問(wèn)題（基本上每條top metal都會(huì)接到diffusion上）。對(duì)于下層metal則不然，沒(méi)有接到diffusion的下層metal當(dāng)其接至gate時(shí)，如面積過(guò)大，就極易產(chǎn)生天線效應(yīng)。解決方 法：在下層metal上加一個(gè)topmetal的跳線，
5、如無(wú)法加topmetal跳線，可以連接一個(gè)最小size的 Nmoat/P-epi或Pmoat/nwell的二極管，原則上這個(gè)二極管不可以影響線路的正常工作 篇二：PCB中集成電路的天線效應(yīng) PCB中集成電路的天線效應(yīng)隨著信息化和全球化的發(fā)展，國(guó)家及地區(qū)之間的貿(mào)易也已成為拉動(dòng)一國(guó)經(jīng)濟(jì)的三駕馬車之一，甚至是三駕馬車之首，奧巴馬政府成立之日起自從人類進(jìn)入商品經(jīng)濟(jì)社會(huì)以來(lái)，貿(mào)易即已成為人們?nèi)粘；顒?dòng)的主要部分，并成為一國(guó)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的主動(dòng)力。國(guó)際分工的深化、大量國(guó)際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)規(guī)則的建立 如摩爾定律所述，數(shù)十年來(lái)，
6、集成電路的密度和性能迅猛增長(zhǎng)。眾所周知，這種高速增長(zhǎng)的趨勢(shì)總有一天會(huì)結(jié)束，人們只是不知道當(dāng)這一刻來(lái)臨時(shí)，集成電路的密度和性能到底能達(dá)到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展，集成電路密度不斷增加，而柵氧化層寬度不斷減少，超大規(guī)模集成電路中常見(jiàn)的多種效應(yīng)變得原來(lái)越重要并難以控制。天線效應(yīng)便是其中之一。在過(guò)去的二十年中，半導(dǎo)體技術(shù)得以迅速發(fā)展，催生出更小規(guī)格、更高封裝密度、更高速電路、更低功耗的產(chǎn)品。本文將討論天線效應(yīng)以及減少天線效應(yīng)的解決方案。 天線效應(yīng) 天線效應(yīng)或等離子導(dǎo)致柵氧損傷是指：在MOS集成電路生產(chǎn)過(guò)程中，
7、一種可潛在影響產(chǎn)品產(chǎn)量和可靠性的效應(yīng)。 目前，平版印刷工藝采用“等離子刻蝕”法（或“干法刻蝕”）制造集成電路。等離子是一種用于刻蝕的離子化/活性氣體。它可進(jìn)行超級(jí)模式控制（更鋒利邊緣/更少咬邊），并實(shí)現(xiàn)多種在傳統(tǒng)刻蝕中無(wú)法實(shí)現(xiàn)的化學(xué)反應(yīng)。但凡事都有兩面性，它還帶來(lái)一些副作用，其中之一就是充電損傷?！ 〉入x子充電損傷是指在等離子處理過(guò)程中，MOSFET中產(chǎn)生的柵氧化層的非預(yù)期高場(chǎng)應(yīng)力。在等離子刻蝕過(guò)程中，大量電荷聚集在多晶硅和金屬表面。通過(guò)電容耦合，在柵氧化層中會(huì)形成較大電場(chǎng)，導(dǎo)致產(chǎn)生可損傷氧化層并改變?cè)O(shè)
8、備閥值電壓（VT）的應(yīng)力。如下圖所示，被聚集的靜電荷被傳輸?shù)綎艠O中，通過(guò)柵氧化層，被電流隧道中和?！ ★@而易見(jiàn)，暴露在等離子面前的導(dǎo)體面積非常重要，它決定靜電荷聚集率和隧穿電流的大小。這就是所謂的“天線效應(yīng)”。柵極下的導(dǎo)體與氧化層的面積比就是天線比率。一般來(lái)講，天線比率可看做是一種電流倍增器，可放大柵氧化層隧穿電流的密度。對(duì)于給定的天線比率來(lái)說(shuō)，等粒子密度越高，隧穿電流越大。更高的隧穿電流意味著更高的損傷?！ ?dǎo)體層模式刻蝕過(guò)
