天線效應解決方案

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1、自從人類進入商品經(jīng)濟社會以來，貿易即已成為人們日?；顒拥闹饕糠?，并成為一國經(jīng)濟增長的主動力。國際分工的深化、大量國際統(tǒng)一標準規(guī)則的建立天線效應解決方案　　篇一：天線效應及解決方法　　干蝕刻（etch）需要使用很強的電場驅動離子原漿，在蝕刻gatepoly和氧化層邊的時候，電荷可能積累在gatepoly上，并產(chǎn)生電壓足以使電流穿過gate的氧化層，雖然這種狀況通常不會破壞gate氧化層，但會降低其絕緣程度。這種降低程度于gate氧化層面積內通過的電荷數(shù)成正比。每一poly區(qū)積累的正電荷與它的面積成正比，如

2、果一塊很小的gate氧化層連接到一塊很大的poly圖形時，就可能造成超出比例的破壞，因為大塊的poly區(qū)就像一個天線一樣收集電荷，所以這種效應稱為天線效應，天線效應也會發(fā)生在source/drain的離子植入時。天線效應與poly和gate氧化層的面積之比成正比（對于pmos和nmos,要分開計算gate氧化層的面積，因為它們的擊穿電壓不同）。當這個比值達到數(shù)百倍時，就可能破壞氧化層。大多數(shù)的layout中都可能有少數(shù)這樣大比值的poly圖形?！　∠聢D為一個可能產(chǎn)生天線效應的例子：mosM1的gate由p

3、oly連接至M2，當M1和M2距離夠長造成poly和M1gate氧化層面積之比太大，從而可能破壞M1的gate氧化層。　　消除天線效應的方法主要是設法降低接到gate的　　poly面積。見右圖，在poly接至gate增加一個metal跳線，即減小了接至gate的poly與gate氧化層的面隨著信息化和全球化的發(fā)展，國家及地區(qū)之間的貿易也已成為拉動一國經(jīng)濟的三駕馬車之一，甚至是三駕馬車之首，奧巴馬政府成立之日起自從人類進入商品經(jīng)濟社會以來，貿易即已成為人們日常活動的主要部分，并成為一國經(jīng)濟增長的主動力。國際

4、分工的深化、大量國際統(tǒng)一標準規(guī)則的建立積之比，起到消除天線效應的作用。　　天線效應產(chǎn)生的靜電破壞也會發(fā)生在metal蝕刻時。如果metal接到diffusion時，極少會產(chǎn)生靜電破壞，因為diffsion可以卸掉靜電，所以topmetal一般不用考慮天線效應的問題（基本上每條top　　metal都會接到diffusion上）。對于下層metal則不然，沒有接到diffusion的下層metal當其接至gate時，如面積過大，就極易產(chǎn)生天線效應。解決方　　法：在下層metal上加一個topmetal的跳線，

5、如無法加topmetal跳線，可以連接一個最小size的　　Nmoat/P-epi或Pmoat/nwell的二極管，原則上這個二極管不可以影響線路的正常工作　　篇二：PCB中集成電路的天線效應　　PCB中集成電路的天線效應隨著信息化和全球化的發(fā)展，國家及地區(qū)之間的貿易也已成為拉動一國經(jīng)濟的三駕馬車之一，甚至是三駕馬車之首，奧巴馬政府成立之日起自從人類進入商品經(jīng)濟社會以來，貿易即已成為人們日?；顒拥闹饕糠?，并成為一國經(jīng)濟增長的主動力。國際分工的深化、大量國際統(tǒng)一標準規(guī)則的建立　　如摩爾定律所述，數(shù)十年來，

6、集成電路的密度和性能迅猛增長。眾所周知，這種高速增長的趨勢總有一天會結束，人們只是不知道當這一刻來臨時，集成電路的密度和性能到底能達到何種程度。隨著技術的發(fā)展，集成電路密度不斷增加，而柵氧化層寬度不斷減少，超大規(guī)模集成電路中常見的多種效應變得原來越重要并難以控制。天線效應便是其中之一。在過去的二十年中，半導體技術得以迅速發(fā)展，催生出更小規(guī)格、更高封裝密度、更高速電路、更低功耗的產(chǎn)品。本文將討論天線效應以及減少天線效應的解決方案?！　√炀€效應　　天線效應或等離子導致柵氧損傷是指：在MOS集成電路生產(chǎn)過程中，

7、一種可潛在影響產(chǎn)品產(chǎn)量和可靠性的效應?！　∧壳?，平版印刷工藝采用“等離子刻蝕”法（或“干法刻蝕”）制造集成電路。等離子是一種用于刻蝕的離子化/活性氣體。它可進行超級模式控制（更鋒利邊緣/更少咬邊），并實現(xiàn)多種在傳統(tǒng)刻蝕中無法實現(xiàn)的化學反應。但凡事都有兩面性，它還帶來一些副作用，其中之一就是充電損傷?！　〉入x子充電損傷是指在等離子處理過程中，MOSFET中產(chǎn)生的柵氧化層的非預期高場應力。在等離子刻蝕過程中，大量電荷聚集在多晶硅和金屬表面。通過電容耦合，在柵氧化層中會形成較大電場，導致產(chǎn)生可損傷氧化層并改變設

8、備閥值電壓（VT）的應力。如下圖所示，被聚集的靜電荷被傳輸?shù)綎艠O中，通過柵氧化層，被電流隧道中和?！　★@而易見，暴露在等離子面前的導體面積非常重要，它決定靜電荷聚集率和隧穿電流的大小。這就是所謂的“天線效應”。柵極下的導體與氧化層的面積比就是天線比率。一般來講，天線比率可看做是一種電流倍增器，可放大柵氧化層隧穿電流的密度。對于給定的天線比率來說，等粒子密度越高，隧穿電流越大。更高的隧穿電流意味著更高的損傷?！　w層模式刻蝕過