太陽(yáng)能ZnO薄膜材料的制備工藝設(shè)計(jì).doc.doc

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1、湖南工業(yè)大學(xué)課程設(shè)計(jì)資料袋理學(xué)院（系、部）2010學(xué)年第下學(xué)期課程名稱(chēng)材料科學(xué)導(dǎo)論指導(dǎo)教師李雪勇職稱(chēng)講師學(xué)生姓名谷文紅專(zhuān)業(yè)班級(jí)應(yīng)用物理071班學(xué)號(hào)07411200123題目太陽(yáng)能ZnO薄膜材料的制備工藝設(shè)計(jì)成績(jī)起止日期2010年12月13日～2010年12月17日目錄清單序號(hào)材料名稱(chēng)資料數(shù)量備注1課程設(shè)計(jì)任務(wù)書(shū)12課程設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)13課程設(shè)計(jì)圖紙張456湖南工業(yè)大學(xué)16課程設(shè)計(jì)任務(wù)書(shū)2009—2010學(xué)年第2學(xué)期理學(xué)院學(xué)院（系、部）應(yīng)用物理學(xué)專(zhuān)業(yè)071班級(jí)課程名稱(chēng)：材料科學(xué)導(dǎo)論設(shè)計(jì)題目：太陽(yáng)能ZnO薄膜材料的制備工藝設(shè)計(jì)完成期限：自2010年12月13日至2010年12月1

2、7日共1周內(nèi)容及任務(wù)任務(wù)要求：1、通過(guò)文獻(xiàn)調(diào)查學(xué)習(xí)該材料制備的一般方法，了解和掌握目前國(guó)內(nèi)外研究該材料的制備工藝，培養(yǎng)正確的設(shè)計(jì)思想和分析問(wèn)題、解決問(wèn)題的能力；2、綜合運(yùn)用先修課程的理論及生產(chǎn)實(shí)踐知識(shí)以及文獻(xiàn)調(diào)查結(jié)果，設(shè)計(jì)材料制備方法，分析和解決制備中的可能問(wèn)題問(wèn)題，并使所學(xué)知識(shí)得到進(jìn)一步鞏固和深化；3、熟悉并能正確選用材料制備及實(shí)驗(yàn)檢測(cè)的設(shè)備和儀器。進(jìn)度安排起止日期工作內(nèi)容2010-12-13明確課程設(shè)計(jì)要求，確定自己的設(shè)計(jì)題目2010-12-14深入分析原理，收集資料2010-12-15應(yīng)用所學(xué)知識(shí)，設(shè)計(jì)各個(gè)模塊。2010-12-16綜合各個(gè)模塊，分析和總結(jié)設(shè)計(jì)結(jié)果。

3、2010-12-17撰寫(xiě)課程設(shè)計(jì)報(bào)告。16主要參考資料[1]陳哲艮發(fā)展中國(guó)陽(yáng)光發(fā)電技術(shù)的幾點(diǎn)建議1國(guó)家自然科學(xué)基金會(huì)《新“九五”發(fā)展計(jì)劃》高級(jí)專(zhuān)家會(huì)議,1995.[2]徐步衡,薛俊明,趙　穎,等.MOCVD制備用于薄膜太陽(yáng)電池的ZnO薄膜研究[J].光電子·激光,2005,16(5):515-518.[3]汪　雷.ZnO薄膜生長(zhǎng)技術(shù)的最新研究進(jìn)展[J].材料導(dǎo)報(bào),2002,16(9):33-36.[4]王光偉;張建民;鄭宏興;楊斐.ZnO薄膜的制備方法、性質(zhì)和應(yīng)用[J].CNKI:SUN:ZKZK.0.2008-05-028.[5]張菲;諶家軍;王秩偉;ZnO薄膜的研究現(xiàn)

4、狀[J].重慶文理學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版),2008年02期.[6]朋興平,楊映虎,宋長(zhǎng)安,等.In摻雜ZnO薄膜的制備及其特性研究[J].光學(xué)學(xué)報(bào),2004,24(11):1459-1462.[7]汪建軍;劉金霞.太陽(yáng)能電池及材料研究和發(fā)展現(xiàn)狀[J].浙江萬(wàn)里學(xué)院學(xué)報(bào),2006年05期.[8]歐陽(yáng)桂倉(cāng);葉志清;吳木生;ZnO薄膜的物理性質(zhì)與制備方法研究[J].江西科學(xué),2008年01期.[9]黃焱球;劉梅冬;曾亦可;劉少波;ZnO薄膜及其性能研究進(jìn)展[J].無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào),2001年03期.指導(dǎo)教師（簽字）：年月日系（教研室）主任（簽字）：年月日16（材料科學(xué)導(dǎo)論）設(shè)計(jì)說(shuō)明

5、書(shū)太陽(yáng)能ZnO薄膜材料的制備工藝設(shè)計(jì)起止日期：2010年12月13日至2010年12月17日學(xué)生姓名谷文紅班級(jí)應(yīng)用物理學(xué)學(xué)號(hào)07411200123成績(jī)指導(dǎo)教師(簽字)理學(xué)院16太陽(yáng)能ZnO薄膜材料的制備工藝設(shè)計(jì)谷文紅湖南工業(yè)大學(xué)應(yīng)用物理071班07411200123摘要：為了降低太陽(yáng)電池的造價(jià),近年來(lái)掀起晶體ZnO薄膜太陽(yáng)電池的研究熱潮?；谕粋€(gè)目的,試圖研究設(shè)計(jì)太陽(yáng)能ZnO薄膜材料的制備工藝。本文主要從太陽(yáng)能ZnO薄膜材料的應(yīng)用及性能研究狀況和發(fā)展趨勢(shì)，著重介紹該材料的各種制備工藝，并就其中一種工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)，以研究出更趨完善的制備方法。關(guān)鍵詞：太陽(yáng)能ZnO;薄膜材料;

6、制備工藝設(shè)計(jì)1、引言近年來(lái)，由予光電子器件快速發(fā)展，尤其是GaN研究進(jìn)程的加快，光電材料成為研究的重點(diǎn)。透明氧化物(TransparentConduc．tiveOxide簡(jiǎn)稱(chēng)TCO)薄膜具有禁帶寬、可見(jiàn)光譜區(qū)光透射率高和電阻率低等特性，其研究與開(kāi)發(fā)同樣得到飛速的發(fā)展，現(xiàn)已廣泛地應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、平面顯示、特殊功能窗口層以及光電器件領(lǐng)域。其主要包括In、Sb、zn和Cd的氧化物及其復(fù)合多元氧化物薄膜材料，而以摻錫氧化銦(Tin—DopedIndiumOxide簡(jiǎn)稱(chēng)I，I'O膜)薄膜為代表透明導(dǎo)電薄膜材料的研究較成熟，應(yīng)用最為廣泛，美日等國(guó)也已經(jīng)投入批量生產(chǎn)。但金屬銦價(jià)格十分

7、昂貴，相對(duì)來(lái)說(shuō)，制備氧化鋅薄膜的原材料來(lái)源廣泛、價(jià)格低廉、毒性小。特別用znO制作固體激光器，激發(fā)波長(zhǎng)有向短波方向發(fā)展的趨勢(shì)，摻鋁氧化鋅膜(znO：A1)?也有同rI’O膜可比擬的光學(xué)電學(xué)性質(zhì)，使znO化合物成為半導(dǎo)體材料中一個(gè)新的研究熱點(diǎn)，開(kāi)始逐步應(yīng)用到眾多領(lǐng)域中。2、ZnO薄膜材料的應(yīng)用及性能研究狀況2.1ZnO薄膜材料的應(yīng)用ZnO由于其優(yōu)良的物理化學(xué)性質(zhì),使其在許多方面都有廣闊的應(yīng)用前景.下面主要介紹ZnO薄膜在太陽(yáng)能電池、表面聲波器件、氣敏壓敏元件以及在紫外探測(cè)、場(chǎng)發(fā)射顯示器等方面的應(yīng)用。162.1.1　太陽(yáng)能電池Zn