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《nico2o4納米多孔薄膜的可控制備及超電容性能》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、叢igQ蘭壘納苤壘孔蓮崖煎互控劍壘區(qū)壑電窒性能⑧論文作者簽名：塑j簦!主l指導(dǎo)教師簽名：論文評(píng)閱人I：評(píng)閱人2：評(píng)閱人3：評(píng)閱人4：評(píng)閱人5：答辯委員會(huì)主席：委員1：委員2：委員3：委員4：委員5：娃碴一毅尋瑗新弘武哮-丁私夏函瞰疆射-孩內(nèi)霧勿l丟L均萄教授乏打’歹默勞幽糾瓤嘏獅·孩大孥箍美、圳躺赫茲艘．ControllablesynthesisofNiC0204nanoporousfilmsandI————————————————__●______-————————————．_r———，_，__———
2、———————．—————．．．—．．—．．．．．．．．____●_--_●●●_______●_●_____-theirSUQerCa巨aCltorDropenIeSAuthor’Ssignature：supemsor，ssignature：絲二!!絲二翌·伊。^、ExammingCommitteeChairperson：VUDateoforaldefence：叢墊亟2魚，2Q!蘭浙江大學(xué)研究生學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特別加以
3、標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得逝婆盤堂或其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說明并表示謝意。學(xué)位論文作者簽名：刊宦西簽字日期：加I畢年了月f卜日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解堂鎏盤堂有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交本論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)逝姿盤鱟可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索和傳播，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯
4、編學(xué)位論文。(保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)書)學(xué)位論文作者簽名．訓(xùn)弦因?qū)熀灻炞秩掌冢簹vf中年；月／中Et簽字日期：2d爭(zhēng)年3月7尹El摘要隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，目前各個(gè)領(lǐng)域都對(duì)儲(chǔ)能裝置有了新的要求，要求研究者們?nèi)ラ_發(fā)出無污染的具有高功率和高能量密度等優(yōu)點(diǎn)的能量?jī)?chǔ)存器件。其中，超級(jí)電容器是目前最受關(guān)注的儲(chǔ)能裝置之一。超級(jí)電容器因具備較大功率密度、優(yōu)異循環(huán)性能及瞬鬮充放電等優(yōu)點(diǎn)而倍受研究者關(guān)注。然而，一般來說，要使超級(jí)電容器得到持續(xù)的發(fā)展及應(yīng)用，還需要進(jìn)一步提高其能量密度和功率密度。本文的宗旨即
5、是通過納米多孔陣列化和復(fù)合化設(shè)計(jì)加快電極反應(yīng)動(dòng)力學(xué)來提高薄膜的超電容性能。本文采用水熱法、化學(xué)浴沉積法等單一或相互結(jié)合的方法成功地在泡沫鎳基底上制備了納米多孔Nic0204片．線結(jié)構(gòu)陣列薄膜及NiC0204／NiC0204片．片核殼復(fù)合納米片陣列薄膜并研究了其超電容性能。通過一步水熱法在泡沫鎳基底上制備了納米多孔NiC0204片．線結(jié)構(gòu)陣列薄膜。其形貌隨反應(yīng)進(jìn)行而改變。水熱反應(yīng)8小時(shí)后，制備的樣品呈現(xiàn)納米多孔NiC0204片．線結(jié)構(gòu)。該片．線結(jié)構(gòu)陣列的形成與反應(yīng)過程中溶液中顆粒的溶度積有關(guān)。測(cè)試結(jié)果表明
6、，NiC0204片．線結(jié)構(gòu)陣列薄膜具有優(yōu)異的電化學(xué)性能。活化前，在1Ag-1和40A曠1的電流密度下的放電比容量分別為891Fg-1和619F曠1?；罨螅撾姌O在2Ag-1的電流密度下的放電比容量可達(dá)1089Fg-l，8000周期后其放電比電容為1058Fg-1，仍有97．2％的容量保持率。片．線結(jié)構(gòu)的陣列能有效增大極片表面積，提供快離子電子通道，更好的保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定并最終提高循環(huán)性能和倍率性。通過水熱合成法和化學(xué)浴沉積法兩步結(jié)合制備了NiC0204／NiC0204片．片核殼復(fù)合納米片陣列．這種具有等級(jí)
7、多孔的核殼結(jié)構(gòu)是由納米片支撐核和多晶納米片外殼兩部分組成的。與單一NiC0204陣列比較，NiC0204／NiC0204片．片核殼復(fù)合納米片陣列具有高比容量和優(yōu)異的倍率性，在5mAem-2電流密度下，其面積比電容達(dá)2．20Fcm-2。循環(huán)4000周期后其放電面積比電容為2．17Fera-2，仍有98．6％的容量保持率．該核殼材料的協(xié)同效應(yīng)如結(jié)合力強(qiáng)化、提高活性面積等促進(jìn)了超電容性能的提高，尤其是利于大電流放電和循環(huán)壽命的提高．關(guān)鍵詞：超級(jí)電容器；納米多孔薄膜；鈷酸鎳；異質(zhì)結(jié)構(gòu)；核殼結(jié)構(gòu)浙江大學(xué)碩士學(xué)位論
8、文IIAbstractWiththecontinuousdevelopmentofscienceandtechnology,everyfieldhasnewdemandsofenergystoragedevices．Researcherswereaskedtodevelopenergystoragedeviceswithhighenergydensityandhighpowerdensity．AmongthevariousffnePgyst
