資源描述:
《準(zhǔn)同型相界鈦酸鉍鈉基無鉛鐵電薄膜的制備及其性能研究》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫(kù)。
1、第41卷第6期2012年12月上海師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)JournalofShanghaiNormalUniversity(NaturalSciences)Vol.41,No.6Dec.,2012準(zhǔn)同型相界鈦酸鉍鈉基無鉛鐵電薄膜的制備及其性能研究金成超,王飛飛,石旺舟*,姚其容(上海師范大學(xué)數(shù)理學(xué)院,上海200234)摘要:發(fā)展環(huán)境友好的傳感器、存貯器及換能器用鐵電與壓電薄膜是當(dāng)前的研究熱點(diǎn)之一.采用脈沖激光沉積(PLD)的方法,通過優(yōu)化制備工藝,引入La0.6Sr0.4CoO3(LSCO)作為緩沖層,在Pt/Ti/SiO2/S
2、i襯底上制備了準(zhǔn)同型相界組分摻雜微量Mn元素的Bi0.5Na0.5TiO3-BaTiO334薄膜,并對(duì)其相結(jié)構(gòu)、微觀形貌、鐵電、介電等性能進(jìn)行了研究.結(jié)果表明:該薄膜具有純鈣鈦礦結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)致密,顯示出良好的電性能,其中剩余極化可達(dá)到1.15×10-1C·m-2,1kHz下薄膜的相對(duì)介電常數(shù)約1000.關(guān)鍵詞:無鉛薄膜;中圖分類號(hào):TB34PLD;介電性;鐵電性文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A文章編號(hào):1000-5137(2012)06-0653-05引言0從20世紀(jì)80年代至今,薄膜制備技術(shù)的迅速發(fā)展,引起了人們對(duì)于鐵電壓電薄膜在存貯器、微電子機(jī)械系
3、統(tǒng)、高頻微電子等領(lǐng)域中應(yīng)用的濃厚興趣,世界各國(guó)爭(zhēng)相開展鐵電壓電薄膜的制備研究,應(yīng)用領(lǐng)域遍及通信、傳感、醫(yī)療、航天、機(jī)械、生物等眾多領(lǐng)域[1-2].其中,組分位于準(zhǔn)同型相界(MPB)附近的壓電材料以其優(yōu)越的機(jī)電響應(yīng)性能被廣泛應(yīng)用于轉(zhuǎn)換器、驅(qū)動(dòng)器、傳感器中[3].但值得注意的是,這些傳統(tǒng)的壓電體系中含有大量的鉛元素,在制備過程中極易造成環(huán)境污染,所以,開展無鉛壓電材料的研究已經(jīng)成為了當(dāng)前研究的熱點(diǎn)之一.目前的無鉛壓電體系中,主要以鈦酸鋇(BT)、鈦酸鉍鈉(BNT)以及鈮酸鉀鈉(KNN)基為代表,相比之下,BNT基壓電材料兼有比較高的壓電
4、系數(shù)、機(jī)電耦合系數(shù)和高的退極化溫度,吸引了廣泛的研究興趣.制備了多種不同的固溶體系,例如,(Bi0.5Na0.5)TiO3-BaTiO3(BNT-BT)[4],(BiNa)TiO-BaTiO-SrTiO[5]以及(Bi)NbO[6]等.Na)TiO-BaTiO-(KNa0.50.53330.50.5330.50.53與體材料相比,相應(yīng)的薄膜體系研究還相對(duì)較少.2004年,Tang等人利用sol-gel法在[7]Pt/Ti/SiO2/Si襯底上制備了<111>取向的純BNT薄膜;2008年,Wang等人采用脈沖激光沉積-1(PLD)方
5、法在Pt襯底上制備的(Bi0.5Na1-x-yKxLiy)0.5TiO3薄膜,其剩余極化達(dá)到了1.39×10C·m-2[8].為了進(jìn)一步提高電學(xué)性能,2010年,Wang等人在(LaAlO)(SrAlTaO)單晶襯底上制30.3260.35備出了外延的BNT基薄膜,剩余極化高達(dá)2.95×10-1C·m-2[9].最近,Guo等人在Si襯底上制備了BaTiO3/BNT-BT/BaTiO3多層膜結(jié)構(gòu),通過在上下電極與BNT-BT薄膜之間引入了緩沖層BaTiO3,使薄膜的性能有了顯著提高[10].但總體上來看,目前Si襯底上制備的薄膜性能
6、與對(duì)應(yīng)的體材料相比仍有收稿日期:2012-11-10基金項(xiàng)目:國(guó)家自然科學(xué)基金(51071105,11204179)作者簡(jiǎn)介:金成超(1988-),男,上海師范大學(xué)數(shù)理學(xué)院光電子材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室碩士研究生;石旺舟(1963-),男,上海師范大學(xué)數(shù)理學(xué)院光電子材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室教授.通過前期對(duì)單晶體系的研究發(fā)現(xiàn),組分在MPB附近、摻雜微量Mn元素后的BNT-BT,表現(xiàn)出優(yōu)異的壓電及機(jī)電耦合性能,其壓電系數(shù)d33高達(dá)483pC/N,基于此,本實(shí)驗(yàn)選擇摻Mn的BNT-BT陶瓷作為靶材,開展相應(yīng)的薄膜體系研究,為進(jìn)一步優(yōu)化薄膜微結(jié)構(gòu)、
7、形貌,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)其宏觀電學(xué)性能調(diào)控,[11]選用了與其結(jié)構(gòu)及晶格常數(shù)都接近的La1-xSr1-xCoO3作為緩沖層,對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)、微觀形貌、鐵電與介電等性能進(jìn)行了研究.1實(shí)驗(yàn)采用傳統(tǒng)的固相燒結(jié)法制備了La0.6Sr0.4CoO3(LSCO)和0.935Bi0.5Na0.5TiO3-0.065BaTiO3-0.005Mn(BNBMT)靶材[12].通過優(yōu)化制備工藝參數(shù),利用PLD方法在Pt/Ti/SiO/Si襯底上先后沉積LSCO2和BNBMT薄膜.制備LSCO薄膜條件為:激光能量300mJ,頻率5Hz,靶基距離5.5cm,沉積過程氧
8、壓保持30Pa,沉積溫度575℃,沉積時(shí)間45min.制備BNBMT薄膜層的工藝參數(shù)為:激光能量300mJ,頻率8Hz,靶基距離5.5cm,沉積過程氧壓保持30Pa,沉積溫度720℃,沉積時(shí)間60min.利用X射線衍射儀(D8Focu