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《ⅳⅵ族半導(dǎo)體薄膜生長行為及金屬ⅳⅵ族半導(dǎo)體界面性質(zhì)的研究（可編輯）》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。
1、ⅣⅥ族半導(dǎo)體薄膜生長行為及金屬ⅣⅥ族半導(dǎo)體界面性質(zhì)的研究蘭蘭迭坐昱簽夔送生益塹邊區(qū)金屬么至二蘭逮坐昱簽晝亙盈邊盟究⑧論文作者簽名:羔≥抄指導(dǎo)教師簽名:答辯委員會主席:委員:委員:委員:委員:委員:答辯日期:絲孽.血止一四●Ⅲ,Ⅲ●川薹薹?●四.??????????????....,...,........................................................,....................................................,................?./⑧’:
2、●■‘一’::::浙江大學(xué)研究生學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外,論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果,也不包含為獲得逝姿盤堂或其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說明并表示謝意。學(xué)位做作者簽名.象洛厶簽字嗍刁年‘月日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解澎姿態(tài)堂有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交本論文的復(fù)印件和磁盤,允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)逝姿態(tài)堂可以將學(xué)位論文的全部或
3、部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索和傳播,可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。導(dǎo)師簽名:從慨專學(xué)位做作者簽名.身、%移簽字瞧砷年占月日?期:勺年‖月~浙江人學(xué)博十學(xué)位論文致謝致謝本論文得以順利完成得益于諸多良師益友的支持和幫助。在此請接受我最真誠的謝意首先感謝我的導(dǎo)師何丕模教授,感謝您引領(lǐng)我踏上科研之路。您自由卻不失嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹螌W(xué)處事態(tài)度,大度而自信的爽朗性格為我們營造了一個良好的工作氛圍。您對問題的專見血使我在科研道路上少走了不少彎路。沒有您的悉心指導(dǎo)本論文不可能得以順利完成。在即將畢業(yè)離校之際我想對您說的是:“能成為您的學(xué)生我感到很榮
4、幸”同時也感謝大師兄張寒潔副教授在實(shí)驗(yàn)上給予的引領(lǐng)和指導(dǎo)。感謝吳惠楨教授在整個研究工作中給予的悉心指導(dǎo)和幫助,感謝您對我科研工作上的大力支持,您淵博的專業(yè)知識、執(zhí)著鉆研的科研精神給我留下了深刻的印象。對你們的謝意只能化作一句誠摯的祝福:祝萬事如意,一生平安。本文的許多工作是在實(shí)驗(yàn)室眾多成員的無私熱心幫助下完成的,在此向他們表示衷心的感謝感謝陸贊豪師兄對本文在理論計(jì)算上的貢獻(xiàn),感謝徐以峰師兄在平時學(xué)習(xí)和實(shí)驗(yàn)過程中給予的無私幫助。感謝斯劍雷同學(xué)、徐天寧師兄為本文實(shí)驗(yàn)制備族半導(dǎo)體樣品,感謝你們在實(shí)驗(yàn)上給予的大力幫助以及在平時給予的有益討論。感謝師妹廖清在
5、實(shí)驗(yàn)過程中給予的幫助。本系的鮑世寧教授、李海洋教授和朱萍副教授也給了我很多的指導(dǎo)和幫助。對于你們的指導(dǎo)和真誠的幫助,我表示最真摯的謝意。同時也感謝張偉偉,朱家寶,錢惠琴、胡云玩等一起工作過的同學(xué)對我的幫助。最后,我還要特別感謝我的家人,你們自始至終的支持和無私的奉獻(xiàn)是我學(xué)習(xí)、工作的動力之源。謝謝你們祝你們永遠(yuǎn)健康幸福吳海飛年月于浙江大學(xué)浙江人學(xué)博學(xué)位論文摘要要摘族半導(dǎo)體,,具有窄的直接帶隙常溫下約.,對稱的能帶結(jié)構(gòu),以及由重空穴帶缺失導(dǎo)致的低俄歇復(fù)合率等本征特性,使其在中紅外波長范圍~激光器和探測器兩大領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用前景。此外,這類材料還具有高
6、的載流子遷移率,高的介電常數(shù),其帶隙溫度系數(shù)為正,帶隙壓強(qiáng)系數(shù)為負(fù)。這些特性使得族半導(dǎo)體在新型光電器件研制方面具有很好的應(yīng)用價值。由于族半導(dǎo)體器件是基于薄膜結(jié)構(gòu)的,所以薄膜的表面結(jié)構(gòu)和界面特性對于族半導(dǎo)體器件的應(yīng)用具有決定性的影響。因此對與之相關(guān)的基礎(chǔ)性問題如涉及族半導(dǎo)體器件的表面和界面特性的研究將有助于我們深入了解族半導(dǎo)體器件的工作機(jī)理,從而為.族半導(dǎo)體發(fā)光器件的設(shè)計(jì)提供有力的理論依據(jù)。本文利用掃描隧道顯微鏡、光電子能譜和低能電子衍射,等現(xiàn)代表面測試手段,對涉及族半導(dǎo)體薄膜的兩類行為一族半導(dǎo)體薄膜的生長以及族半導(dǎo)體/金屬的界面性質(zhì)進(jìn)行了系統(tǒng)研究。
7、首先,我們利用超高真空掃描隧道顯微鏡對在襯底上分子束外延生長的單晶薄膜進(jìn)行了研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明沉積的薄膜是以臺階流模式生長的,其表面形貌依賴于外延生長時鉛、硒的比率。在/的生長條件下得到的薄膜,其表面為具有單原子層平整度的螺旋錐體,這樣的薄膜不僅適合用作多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)如多量子阱結(jié)構(gòu)生長的緩沖層,而且還適合作為單晶襯底來研究與金屬間的界面形成機(jī)理。而在/約為。的生長條件下得到的薄膜,由于生長過程中過量的鉛會作為雜質(zhì)在位錯中心云集而使在面的生長速率減慢,致使薄膜表面除了單原子層生長卷線外還形成了呈倒置三棱錐結(jié)構(gòu)的型缺陷。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)與具有完全相同的薄膜生長
8、行為。在半導(dǎo)體器件中,涉及金屬/族半導(dǎo)體界面的一些基礎(chǔ)性問題如金屬與半導(dǎo)體間的相互作用的研究至關(guān)重要,它將直接影響載流子從
