iii族氮化物半導(dǎo)體外延層薄膜的生長與表征研究

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1、III族氮化物半導(dǎo)體外延層薄膜的生長與表征研究1070109172310154代號學(xué)號TN4公開分類號密級題中英文目III族氮化物半導(dǎo)體外延層薄膜的生長與表征研究StudyonGrowthandCharacterizationofIII-NitrideSemiconductorEpitaxialFilms作者姓名王黨會指導(dǎo)教師姓名職務(wù)郝躍教授學(xué)科門類工學(xué)學(xué)科專業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)提交論文日期二○一二年十一月西安電子科技大學(xué)博士學(xué)位論文Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體外延層薄膜的生長與表征研究作者王黨會導(dǎo)師郝躍教授學(xué)科微電子學(xué)與固體電子學(xué)中

2、國西安2012年11月StudyonGrowthandCharacterizationofⅢ-NitrideSemiconductorEpitaxialFilmsByWangDangHuiAdissertationsubmittedtoXidianUniversityInpartialfulfillmentforthedegreeofDoctorofPhilosophyinMicroelectronicsandSolid-StateElectronicsWrittenunderthedirectionofProfessorH

3、AOYueXianPRChinaNovember2012作者簡介王黨會陜西武功人出生于1976年5月1999年7月畢業(yè)于寶雞文理學(xué)院獲化學(xué)教育學(xué)士學(xué)位2007年3月畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)獲材料科學(xué)與工程碩士學(xué)位2013年6月于西安電子科技大學(xué)獲工學(xué)博士學(xué)位導(dǎo)師郝躍教授主要研究方向Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體外延層薄膜的生長與表征研究等代表性成果及經(jīng)歷已在《ChinesePhysicsB》SCIWOS0003《ScienceChinaPhysicsMechanicsAstronomy》SCIWOS0003《JournalofKoreanP

4、hysicsSociety》SCIWOS000308328900021《JournalofOptoelectronicsandAdvancedmaterials-Rapidcommunications》SCIWOS000308717800020《JournalofAlloysandCompounds》SCIWOS0003等權(quán)威刊物發(fā)表學(xué)術(shù)論文5余篇申請受理發(fā)明專利1項(xiàng)已參與完成國家自然科學(xué)基金等重大科研項(xiàng)目四項(xiàng)WangDanghuiwasborninWugongshaanxiProvinceinMay1976Hereceiv

5、edhisBSdegreefromcollegeofscienceartsinBaojiin1999HisMSdegreeinmaterialsscienceandengineeringfromXidianUniversityin2007andthePhDdegreeinmicroelectronicsolidstateelectronicsfromXidianUniversityin2013underthedirectionofProfessorHaoYueHisresearchinterestingincludesthe

6、growthandcharacrterizationofⅢ-NitridesemiconductormaterialsHehaspublished5journalpapersonJournalofAlloysandCompoundsChinesePhysicsBScienceChinaPhysicsMechanicsAstronomyJournalofKoreanPhysicsSocietyandJournalofOptoelectronicsandAdvancedmaterials-Rapidcommunicationsi

7、n2012Hehasalsoauthored1Patentswhichonehasbeengranted西安電子科技大學(xué)學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性或創(chuàng)新性聲明秉承學(xué)校嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膶W(xué)風(fēng)和優(yōu)良的科學(xué)道德本人聲明所呈交的論文是我個人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果盡我所知除了文中特別加以標(biāo)注和致謝中所羅列的內(nèi)容以外論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果也不包含為獲得西安電子科技大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中做了明確的說明并表示了謝意申請學(xué)位論文與資料若有不實(shí)之處本人承

8、擔(dān)一切的法律責(zé)任本人簽名日期西安電子科技大學(xué)關(guān)于論文使用授權(quán)的說明本人完全了解西安電子科技大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定即研究生在校攻讀學(xué)位期間論文工作的知識產(chǎn)權(quán)單位屬西安電子科技大學(xué)學(xué)校有權(quán)保留送交論文的復(fù)印件允許查閱和借閱論文學(xué)?？梢怨颊撐牡娜炕虿糠謨?nèi)容可以允許采用影印縮印或其它