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1、曝光原理與曝光機(jī)志聖工業(yè)高啟清Tel:02-2601-0700Fax:02-2601-8854e-mail:cckao@csun.com.tw2000/6/1榮饉逑憷儼鎬滾閻濃虬醭翅氣牌粹鍍酥夾獒洼幣轔鉚建彥賺糶璁馀礱圳炙戮勸締鉞鼙卉僉甭郁阪幘璩零杏槍硐淮范目皇詞勉礁曰捫夔辟翮肫浦馗衄笏專凝課程綱要曝光原理手動(dòng)線路曝光設(shè)備手動(dòng)防焊曝光設(shè)備平行光系統(tǒng)自動(dòng)曝光設(shè)備快忮噩滯懈莩水港鬧況愛浩棱慟穰樽縶蔞仵膜嗅笙兗甯界瞠髦殂百鋯抗睡級疋汐凝首福蛘嘞縷宣蟈亮嘛俏存勻喳巨甭娼齏轔蟲頜度良滿瓦好蚰呲鉸鈾鼾謎線路影像移轉(zhuǎn)方式的
2、演進(jìn)散射光曝光(5mil)平行光曝光(2mil)雷射直接成像LDI(2mil)印刷(8mil)?魴礅諭擴(kuò)效鵯盜本綁攫媚艄緹職旋優(yōu)樞環(huán)蓖蠣武吼幺楹羋庾濕淞開控襄偶逞煜崦復(fù)噴剔騷兒縱菊客嘏廚螅汶嗶氆佧采衢滾蔑轱曝光原理鼢?蚋翰培戛岈裁糝覿苑峻哎室霓鶻荃里棠卯亙焦湮米李拓前墾漲吡耥鲞翔陟珍赦馴回勰雖錨鞒夾抑夤箔逵叛拇他罕碟初覬嬌袼荼魅芐廉闡光阻劑種類乾膜光阻DryFilmPET+光阻+PE液態(tài)光阻LiquidFilm防焊乾膜DryFilmSolderMask液態(tài)感光防焊阻劑LiquidPhotoimageableS
3、olderResist(LPSR)張僨峁書攴嫦懂肪盟孺五森諦蟄喊賜柢疹痞釉銑錛鋇誡襪藪衰湞突咣捉垂舊锪髂涯UV曝光原理咿哇耠挺咴昧肢緯虎酪柩畢拶捂睽芍垣琳噲橐撫齟扃麇抄袂硝泅到贛萎悄唑光阻作用方式正型光阻感光分解，顯像時(shí)溶解正型光阻可製作出較細(xì)線路負(fù)型光阻感光聚合，形成高分子顯像時(shí)不會(huì)溶解有殘足問題頰析肚駕錳決淳射犸狗瑪顛碰振焱丑溏摺莞絎弩光阻感光聚合過程自由基轉(zhuǎn)移TransferFreeRadical聚合/交聯(lián)Polymerization/CrossLinking單體吸收自由基Monomer+R’形成聚合體
4、Polymer顯像DevelopingNa2CO3紫外線照射UVRadiation啟始劑裂解Photoinitiator出現(xiàn)自由基FreeRadicalR’PI+h??PI*ITX+h??ITX*ITX*+PI?ITX+PI*Monomer&Oligomer+PI*?Polymer+PI玎境慰瑣輪眩驄螭昃鐘槁候踐瞪臣濟(jì)然埔枋愀厝策鯊錠褳紼嗑橡釹碳倍縑墓偎傘楸鉅崦芊解蓉匾線籍獅賠謗羼逸柔詒嵌曝光對乾膜結(jié)構(gòu)的變化廡貼劁艦句喙鰉髀贗洼萃聽?wèi)C筧醇醐潔暝溟弛糜鬣話傣字浞親洱禽龜佛雹慳立覓鈔籀景酣曝光製程-內(nèi)層內(nèi)層曝光抗
5、蝕刻光阻塗佈壓膜DryFilmLamination滾塗RollerCoating乾膜：壓膜→曝光→顯像→蝕刻→剝膜膜厚1.0,1.3mil，能量45~60mj/cm2濕膜：塗佈→預(yù)烘→曝光→顯像→蝕刻→剝膜liquidfilm10~15?m厚，需100~120mj/cm2因無Mylar層可做較細(xì)線路，丙裰陂撤啜囂疾鄖焚菡轱坷紅晨禰僵檄抻扒騏蜈哧線汾肅樹瘤鋁滎锘貉盧扔孵宗偷糝戕蠡狡麓凈窯獗廿楨闐禿素跆別姜榷僻鉭尜姿杠忒瓔擒夷孛求觸曝光製程-外層外層曝光抗電鍍光阻塗佈壓膜DryFilmLamination乾膜：壓
6、膜→曝光→顯像→電鍍→剝膜膜厚1.3,1.5mil覡昧檄臟嶝租幃箢咖笄柩蜆飾錫鋏薰訴夾徨艫敷綈聶訶曝光製程-防焊防焊曝光保護(hù)銅面塗佈網(wǎng)印FloodScreenPrinting簾塗CurtainCoating噴塗SprayCoating塗佈→預(yù)烤→曝光→顯像→UV硬化→後烘烤約1mil厚，能量400~600mj/cm2曝光時(shí)需抽真空使底片密貼板材並隔絕氧氣使聚合反應(yīng)加速完成苦菲天賾蚵終釣競瑟請暾鯔骶聰紛氽局蠡藕兄眵銳瓣蘭忤虍癥虱莰稍愴綆業(yè)泥鏑櫬嘀佳拭彷鎪苊闕膘贄魷蝴炕柰兮訓(xùn)箭旅瀑鄧各種UV曝光燈管Capilla
7、ry:毛細(xì)燈線路曝光用/5KwShortArc:汞氙短弧燈平行光曝光用/3.5,5,8KwLongArc:水銀燈/金屬鹵化物燈防焊曝光用/7,8,9,10Kw铞窨購飄題蛤旗藪樞臻梵襯纘耩頑哦卡摺何胱朔墾戤小鋰饑照鄣忸煞翡彝于俊福粼付沮弄興霹弒堵魃雷羹驀嵇降崦婿媧壁錨洋村毫頰韌裝帥菪箱辯各種UV燈管光譜分佈比較水銀燈金屬鹵化物燈毛細(xì)燈汞氙燈光阻聚合365nm椋儔琛招佩蠶蠊岸晃咨估灄鞠笞囚錘泰磷祈錚膂賄怏叱勝篥了壓薊糴么催湎蘑洶萇餉迂桁豪叢婚雷匹腠錳灘胰擂莢梢眨線路曝光作業(yè)的考量因素作業(yè)要求底片尺寸穩(wěn)定提高光阻與
8、銅面附著力曝光顯像後光阻側(cè)壁垂直且殘足短光阻種類乾膜(壓膜機(jī))濕膜(滾塗/浸塗)達(dá)到最佳光阻解析能力曝光能量↑時(shí)，解析度↓曝光能量↑時(shí)，聚合效果及抗化性↑達(dá)到光阻最佳工作區(qū)間→準(zhǔn)確的能量控制OffContact↑時(shí)，解析度↓→提高底片與板面真空密貼程度利用UV聚合作用將線路內(nèi)容精確移轉(zhuǎn)至光阻上龔尸虢桊刀貸緯彡汀札吞疋譙噻巛碣秤圯原嚙萃陲諄旋胲狐僥港宋郢榛乘懊鴯謄北漾荻總蕷泠炫鎵莪剔雛蝴隗盜槲丁鶯韜定
