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1、------------------------------------------------------------------------------------------------半導體器件物理復習(施敏)第一章1、費米能級和準費米能級費米能級：不是一個真正的能級，是衡量能級被電子占據的幾率的大小的一個標準，具有決定整個系統能量以及載流子分布的重要作用。準費米能級：是在非平衡狀態(tài)下的費米能級，對于非平衡半導體，導帶和價帶間的電子躍遷失去了熱平衡，不存在統一費米能級。就導帶和價帶中的電子講，各自基本上處于平衡態(tài)，之間處于不平衡狀態(tài)，分布函數對各自仍然是適應的，引入導帶和價帶
2、費米能級，為局部費米能級，稱為“準費米能級”。2、簡并半導體和非簡并半導體簡并半導體：費米能級接近導帶底(或價帶頂)，甚至會進入導帶(或價帶)，不能用玻爾茲曼分布，只能用費米分布非簡并半導體：半導體中摻入一定量的雜質時，使費米能級位于導帶和價帶之間3、空間電荷效應當注入到空間電荷區(qū)中的載流子濃度大于平衡載流子濃度和摻雜濃度時，則注入的載流子決定整個空間電荷和電場分布，這就是空間電荷效應。在輕摻雜半導體中，電離雜質濃度小，更容易出現空間電荷效應，發(fā)生在耗盡區(qū)外。4、異質結指的是兩種不同的半導體材料組成的結。5、量子阱和多量子阱量子阱：由兩個異質結或三層材料形成，中間有最低的????和最
3、高的????，對電子和空穴都形成勢阱，可在二維系統中限制電子和空——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------穴當量子阱由厚勢壘層彼此隔開時，它們之間沒有聯系，這種系統叫做多量子阱6、超晶格如果勢壘層很薄，相鄰阱之間的耦合很強，原來分立的能級擴展成能帶(微帶)，能帶的寬度和位置與勢阱的深度、寬度及勢壘的厚度有關，這種結構稱為超晶格。7、量子阱與超晶格的不同點a.跨越
4、勢壘空間的能級是連續(xù)的b.分立的能級展寬為微帶另一種形成量子阱和超晶格的方法是區(qū)域摻雜變化第二章1、空間電荷區(qū)的形成機制當這兩塊半導體結合形成p-n結時，由于存在載流子濃度差，導致了空穴從p區(qū)到n區(qū)，電子從n區(qū)到p區(qū)的擴散運動。對于p區(qū)，空穴離開后，留下了不可動的帶負電的電離受主，這些電離受主，沒有正電荷與之保持電中性，所以在p-n結附近p區(qū)一側出現了一個負電荷區(qū)。同理，n區(qū)一側出現了由電離施主構成的正電荷區(qū)，這些由電離受主和電離施主形成的區(qū)域叫空間電荷區(qū)。2、理想p-n結理想的電流-電壓特性所依據的4個假設：a.突變耗盡層近似b.玻爾茲曼統計近似成立c.注入的少數載流子濃度小于平衡
5、多數載流子濃度d.在耗盡層內不存在產生-復合電流3、歐姆接觸歐姆接觸定義為其接觸電阻可以忽略的金屬-半導體接觸它不產生明顯的附近阻抗，而且不會使半導體內部的平衡載流子——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------濃度發(fā)生顯著的改變，重摻雜的p-n結可以產生顯著的隧道電流，金屬和半導體接觸時，如果半導體摻雜濃度很高，則勢壘區(qū)寬度變得很薄，電子也要通過隧道效應貫穿勢壘產
6、生相當大的隧道流，甚至超過熱電子發(fā)射電流而成為電流的主要成分。當隧道電流占主導地位時，它的接觸電阻可以很小，可以用作歐姆接觸。制造歐姆接觸的技術：a.建立一個更重摻雜的表面層4、整流接觸肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導體接觸面（形成阻擋層），如同二極管具有整流特性。肖特基勢壘相較于PN接面最大的區(qū)別在于具有較低的接面電壓，以及在金屬端具有相當薄的耗盡層寬度。5、區(qū)別2、解釋MIS的C-V曲線圖高低頻的差異是因為少數載流子的積累a.低頻時，左側為空穴積累時的情形，有大的半導體微分電容，總電容接近于絕緣體電容；當負電壓降為零時，為平帶狀態(tài)；進一步提高正向電壓，耗盡區(qū)繼續(xù)擴展，可將其
7、看作是與絕緣體串聯的、位于半導體表面附近的介質層，這將導致總電容下降，電容在達到一個最小值后，隨電子反型層在表面處的形成再次上升，強反型時，電荷的增量不再位于耗盡層的邊界處，而是在半導體表面出現了反型層導致了大的電容。b.高頻時，強反型層在????≈2????處開始，一旦強反型發(fā)生。耗盡層寬度達到最大，當能帶彎曲足夠大，使得????=2????——————————————————————————————————————-------------------
