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《年產萬單晶硅拋光片、萬硅外延片項目環(huán)境影響報告書》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內容在教育資源-天天文庫。
1、銀笛（揚州）微電子有限公司建設項目環(huán)境影響報告書銀笛（揚州）微電子有限公司年產300萬單晶硅拋光片、60萬硅外延片項目環(huán)境影響報告書（簡本）銀笛（揚州）微電子有限公司2006年9月45銀笛（揚州）微電子有限公司建設項目環(huán)境影響報告書目錄1總論11.1任務由來11.2評價目的11.3編制依據(jù)21.4評價原則41.5評價重點51.6評價因子51.7評價等級51.8評價范圍61.9評價工作技術路線72建設項目周圍地區(qū)環(huán)境概況82.1自然環(huán)境概況82.2社會環(huán)境狀況132.3經(jīng)濟開發(fā)區(qū)總體規(guī)劃132.4開發(fā)區(qū)
2、環(huán)境功能區(qū)劃182.5評價標準182.6建設項目環(huán)境保護目標203工程分析223.1本項目概況223.2生產工藝流程及原輔料能源消耗273.3主要生產、公用及貯運設備353.4公用工程353.5污染源分析374污染防治措施504.1大氣污染防治措施評述504.2水污染防治措施評述524.3噪聲污染防治措施評述564.4固體（廢液）污染防治措施評述564.5非正常排放防范措施574.6綠化574.7排污口規(guī)范化設置594.8環(huán)保投資及“三同時”595清潔生產與循環(huán)經(jīng)濟分析625.1產業(yè)政策相符性分析62
3、5.2清潔生產625.3循環(huán)經(jīng)濟6445銀笛（揚州）微電子有限公司建設項目環(huán)境影響報告書6環(huán)境質量現(xiàn)狀評價656.1大氣環(huán)境質量現(xiàn)狀監(jiān)測與評價656.2地表水環(huán)境質量現(xiàn)狀監(jiān)測及評價677環(huán)境影響預測及評價727.1大氣環(huán)境影響預測及評價727.2地表水環(huán)境影響分析857.3聲環(huán)境影響分析857.4固廢環(huán)境影響分析878施工期環(huán)境影響分析與防治888.1施工期環(huán)境影響分析888.2施工期環(huán)境影響防治899總量控制分析929.1總量控制要求929.2總量控制原則929.3總量控制因子929.4總量控制指標
4、929.5總量平衡方案9310環(huán)境風險評價9410.1風險評價等級的確定9410.2風險識別9510.3源項分析9610.4事故防范9710.5結論10111項目廠址可行性分析10211.1項目選址與規(guī)劃相容性10211.2項目選址與評價區(qū)域的環(huán)境質量現(xiàn)狀的相容性分析10211.3本項目實施后對周圍環(huán)境的影響10312公眾參與10412.1建設項目環(huán)評公眾參與公示10412.2公眾意見問卷調查10413環(huán)境經(jīng)濟損益分析10913.1經(jīng)濟效益分析10913.2社會效益分析10913.3環(huán)境效益分析109
5、45銀笛（揚州）微電子有限公司建設項目環(huán)境影響報告書14環(huán)境管理與監(jiān)控計劃11114.1環(huán)境管理11114.2環(huán)境監(jiān)控計劃11214.3排污口規(guī)范化設置11315結論與建議11515.1結論11515.2建議11945銀笛（揚州）微電子有限公司建設項目環(huán)境影響報告書1總論1.1任務由來新加坡銀笛科技（控股）私人股份有限公司，經(jīng)過多年的攻關，攻克了功率場控器件用高阻厚外延和亞微米、深亞微米CMOS器件薄層外延制造技術，該成果得到了國家相關部委及高科技產品認定中心的認定。新加坡銀笛科技（控股）私人股份有限
6、公司已在上海金橋出口加工區(qū)投資建設了外延片的生產基地，由于現(xiàn)目前國內半導體材料市場嚴重供不應求，為了滿足國內外半導體市場的需求，決定在江蘇省儀征經(jīng)濟開發(fā)區(qū)投資設立銀笛（揚州）微電子有限公司，年產300萬硅拋光片、60萬硅外延片，主要生產4~12英寸的硅拋光片以及6~8英寸的硅外延片。本項目的建設有利于加速集成電路芯片主要材料的國產化進程。按照《中華人民共和國環(huán)境保護法》、《中華人民共和國環(huán)境影響評價法》和《建設項目環(huán)境保護管理條例》的有關規(guī)定，應當在工程項目可行性研究階段對該項目進行環(huán)境影響評價。為此
7、，銀笛（揚州）微電子有限公司于2006年8月委托蘇州工業(yè)園區(qū)新東方環(huán)境保護科學研究所承擔該項目環(huán)境影響報告書的編制工作。我單位接受委托后，即認真研究該項目的有關資料，并踏勘現(xiàn)場的社會、自然環(huán)境狀況，調查、收集有關工程現(xiàn)有狀況及擬建項目資料，通過對項目所在區(qū)域的環(huán)境特征和本項目的工程特征進行深入分析，編寫了環(huán)境影響報告書。通過環(huán)境影響評價，了解建設項目周圍的環(huán)境狀況，預測建成后對周圍水氣聲環(huán)境的影響程度和范圍，并提出防治污染措施，減緩建設項目對周圍環(huán)境的影響，為建成后的環(huán)境管理提供科學依據(jù)。45銀笛（揚
8、州）微電子有限公司建設項目環(huán)境影響報告書1主要環(huán)境保護目標表2-1環(huán)境保護目標環(huán)境要素環(huán)境保護對象方位距離（m）規(guī)模環(huán)境功能大氣環(huán)境蒲新村（待拆遷）南100100戶二類區(qū)水環(huán)境長江南2000—Ⅲ類水體儀征與儀化水源取水口東1200050萬噸/天揚州水廠取水口西8000聲環(huán)境廠界周圍廠界3類區(qū)45銀笛（揚州）微電子有限公司建設項目環(huán)境影響報告書1本項目概況1.1.1本項目名稱、建設地點、建設性質、投資總額、環(huán)保投資項目名稱：銀笛（揚州）微電子有限公司年產3
