年產(chǎn)300萬(wàn)單晶硅拋光片、60萬(wàn)硅外延片項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書

年產(chǎn)300萬(wàn)單晶硅拋光片、60萬(wàn)硅外延片項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書

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1、銀笛(揚(yáng)州)微電子有限公司建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書銀笛(揚(yáng)州)微電子有限公司年產(chǎn)300萬(wàn)單晶硅拋光片、60萬(wàn)硅外延片項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書(簡(jiǎn)本)銀笛(揚(yáng)州)微電子有限公司2006年9月45銀笛(揚(yáng)州)微電子有限公司建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書目錄1總論11.1任務(wù)由來(lái)11.2評(píng)價(jià)目的11.3編制依據(jù)21.4評(píng)價(jià)原則41.5評(píng)價(jià)重點(diǎn)51.6評(píng)價(jià)因子51.7評(píng)價(jià)等級(jí)51.8評(píng)價(jià)范圍61.9評(píng)價(jià)工作技術(shù)路線72建設(shè)項(xiàng)目周圍地區(qū)環(huán)境概況82.1自然環(huán)境概況82.2社會(huì)環(huán)境狀況132.3經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)總體規(guī)劃132.4開發(fā)區(qū)環(huán)境功能區(qū)劃182.5評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)182.6建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境保護(hù)

2、目標(biāo)203工程分析223.1本項(xiàng)目概況223.2生產(chǎn)工藝流程及原輔料能源消耗273.3主要生產(chǎn)、公用及貯運(yùn)設(shè)備353.4公用工程353.5污染源分析374污染防治措施504.1大氣污染防治措施評(píng)述504.2水污染防治措施評(píng)述524.3噪聲污染防治措施評(píng)述564.4固體(廢液)污染防治措施評(píng)述564.5非正常排放防范措施574.6綠化574.7排污口規(guī)范化設(shè)置594.8環(huán)保投資及“三同時(shí)”595清潔生產(chǎn)與循環(huán)經(jīng)濟(jì)分析625.1產(chǎn)業(yè)政策相符性分析625.2清潔生產(chǎn)625.3循環(huán)經(jīng)濟(jì)6445銀笛(揚(yáng)州)微電子有限公司建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書6環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀評(píng)價(jià)656

3、.1大氣環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀監(jiān)測(cè)與評(píng)價(jià)656.2地表水環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀監(jiān)測(cè)及評(píng)價(jià)677環(huán)境影響預(yù)測(cè)及評(píng)價(jià)727.1大氣環(huán)境影響預(yù)測(cè)及評(píng)價(jià)727.2地表水環(huán)境影響分析857.3聲環(huán)境影響分析857.4固廢環(huán)境影響分析878施工期環(huán)境影響分析與防治888.1施工期環(huán)境影響分析888.2施工期環(huán)境影響防治899總量控制分析929.1總量控制要求929.2總量控制原則929.3總量控制因子929.4總量控制指標(biāo)929.5總量平衡方案9310環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)評(píng)價(jià)9410.1風(fēng)險(xiǎn)評(píng)價(jià)等級(jí)的確定9410.2風(fēng)險(xiǎn)識(shí)別9510.3源項(xiàng)分析9610.4事故防范9710.5結(jié)論10111項(xiàng)目廠址可

4、行性分析10211.1項(xiàng)目選址與規(guī)劃相容性10211.2項(xiàng)目選址與評(píng)價(jià)區(qū)域的環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀的相容性分析10211.3本項(xiàng)目實(shí)施后對(duì)周圍環(huán)境的影響10312公眾參與10412.1建設(shè)項(xiàng)目環(huán)評(píng)公眾參與公示10412.2公眾意見問(wèn)卷調(diào)查10413環(huán)境經(jīng)濟(jì)損益分析10913.1經(jīng)濟(jì)效益分析10913.2社會(huì)效益分析10913.3環(huán)境效益分析10945銀笛(揚(yáng)州)微電子有限公司建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書14環(huán)境管理與監(jiān)控計(jì)劃11114.1環(huán)境管理11114.2環(huán)境監(jiān)控計(jì)劃11214.3排污口規(guī)范化設(shè)置11315結(jié)論與建議11515.1結(jié)論11515.2建議11945銀笛(

5、揚(yáng)州)微電子有限公司建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書1總論1.1任務(wù)由來(lái)新加坡銀笛科技(控股)私人股份有限公司,經(jīng)過(guò)多年的攻關(guān),攻克了功率場(chǎng)控器件用高阻厚外延和亞微米、深亞微米CMOS器件薄層外延制造技術(shù),該成果得到了國(guó)家相關(guān)部委及高科技產(chǎn)品認(rèn)定中心的認(rèn)定。新加坡銀笛科技(控股)私人股份有限公司已在上海金橋出口加工區(qū)投資建設(shè)了外延片的生產(chǎn)基地,由于現(xiàn)目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)嚴(yán)重供不應(yīng)求,為了滿足國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體市場(chǎng)的需求,決定在江蘇省儀征經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)投資設(shè)立銀笛(揚(yáng)州)微電子有限公司,年產(chǎn)300萬(wàn)硅拋光片、60萬(wàn)硅外延片,主要生產(chǎn)4~12英寸的硅拋光片以及6~8英寸的硅外延

6、片。本項(xiàng)目的建設(shè)有利于加速集成電路芯片主要材料的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。按照《中華人民共和國(guó)環(huán)境保護(hù)法》、《中華人民共和國(guó)環(huán)境影響評(píng)價(jià)法》和《建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境保護(hù)管理?xiàng)l例》的有關(guān)規(guī)定,應(yīng)當(dāng)在工程項(xiàng)目可行性研究階段對(duì)該項(xiàng)目進(jìn)行環(huán)境影響評(píng)價(jià)。為此,銀笛(揚(yáng)州)微電子有限公司于2006年8月委托蘇州工業(yè)園區(qū)新東方環(huán)境保護(hù)科學(xué)研究所承擔(dān)該項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書的編制工作。我單位接受委托后,即認(rèn)真研究該項(xiàng)目的有關(guān)資料,并踏勘現(xiàn)場(chǎng)的社會(huì)、自然環(huán)境狀況,調(diào)查、收集有關(guān)工程現(xiàn)有狀況及擬建項(xiàng)目資料,通過(guò)對(duì)項(xiàng)目所在區(qū)域的環(huán)境特征和本項(xiàng)目的工程特征進(jìn)行深入分析,編寫了環(huán)境影響報(bào)告書。通過(guò)環(huán)境影響評(píng)

7、價(jià),了解建設(shè)項(xiàng)目周圍的環(huán)境狀況,預(yù)測(cè)建成后對(duì)周圍水氣聲環(huán)境的影響程度和范圍,并提出防治污染措施,減緩建設(shè)項(xiàng)目對(duì)周圍環(huán)境的影響,為建成后的環(huán)境管理提供科學(xué)依據(jù)。45銀笛(揚(yáng)州)微電子有限公司建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書1主要環(huán)境保護(hù)目標(biāo)表2-1環(huán)境保護(hù)目標(biāo)環(huán)境要素環(huán)境保護(hù)對(duì)象方位距離(m)規(guī)模環(huán)境功能大氣環(huán)境蒲新村(待拆遷)南100100戶二類區(qū)水環(huán)境長(zhǎng)江南2000—Ⅲ類水體儀征與儀化水源取水口東1200050萬(wàn)噸/天揚(yáng)州水廠取水口西8000聲環(huán)境廠界周圍廠界3類區(qū)45銀笛(揚(yáng)州)微電子有限公司建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書1本項(xiàng)目概況1.1.1本項(xiàng)目名稱、建設(shè)地點(diǎn)、建設(shè)

8、性質(zhì)、投資總額、環(huán)保投資項(xiàng)目名稱:銀笛(揚(yáng)州)微電子有限公司年產(chǎn)3

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