超臨界水氧化技術(shù)研究與應(yīng)用進展

超臨界水氧化技術(shù)研究與應(yīng)用進展

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1、超臨界水氧化技術(shù)研究與應(yīng)用進展摘要:超臨界水氧化(SCWO)水處理技術(shù)因其技術(shù)與經(jīng)濟優(yōu)勢而成為國內(nèi)外研宄的熱點,就其技術(shù)特點、氧化機理、影響因素及在國內(nèi)外的研究與應(yīng)用進展進行了綜述。關(guān)鍵詞:超臨界水氧化SCWO氧化機理超臨界水氧化技術(shù)是以水為介質(zhì),利用在超臨界條件(溫度〉374°C,P〉MPa)下不存在氣液界面?zhèn)髻|(zhì)阻力來提高反應(yīng)速率并實現(xiàn)完全氧化。同焚燒、濕式催化氧化相比,超臨界水氧化具有污染物完全氧化、二次污染小、設(shè)備與運行費用相對較低等優(yōu)勢。該技術(shù)在20世紀80年代中期由美國學者Model1提出,成為繼

2、光催化、濕式催化氧化技術(shù)之后國內(nèi)外專家的研宄熱點。處于超臨界狀態(tài)下的水兼具液態(tài)和氣態(tài)水的性質(zhì),其可連續(xù)變化的密度、低靜電介質(zhì)常數(shù)、低粘滯度等特性使超臨界水成為一■種具有局擴散能力、局溶解性的理想反應(yīng)介質(zhì),可以利用溫度與壓力的變化來控制反應(yīng)環(huán)境、協(xié)調(diào)反應(yīng)速率與化學平衡、調(diào)節(jié)催化劑的選擇活性等,也可以通過不同物質(zhì)溶解度對超臨界流體的依賴性,實現(xiàn)反應(yīng)與分離在同一反應(yīng)器內(nèi)完成。1超臨界水氧化技術(shù)SCWO是指在超臨界狀態(tài)下以水為反應(yīng)介質(zhì),在有氧的條件下進行氧化反應(yīng)。特點a.超臨界水氧化中進行的氧化反應(yīng)是均相反應(yīng),反應(yīng)

3、速率快、反應(yīng)時間(停留時間)短(<lmin)。b.有機組分(包括難降解有機物)在適當?shù)臏囟取毫鸵欢ǖ耐A魰r間條件下能被完全氧化為C02、H20、N2、S02-4、P03-4等無機組分,分解率〉99%,不產(chǎn)生中間產(chǎn)物,分解產(chǎn)物對環(huán)境無害。c.無機組分與鹽類在超臨界水中的溶解度低,使反應(yīng)過程中的分離步驟變得容易。d.反應(yīng)系統(tǒng)完全封閉,二次污染小。e.反應(yīng)為放熱反應(yīng),在一定的有機物濃度(〉2%)下可實現(xiàn)自熱反應(yīng),節(jié)約能源,適于有毒、有害廢物和高濃度難降解有機廢水的處理。機理超臨界水氧化反應(yīng)是基于自由基反應(yīng)機理

4、[1],該理論認為*H02是反應(yīng)過程中重要的自由基,在沒有引發(fā)物的情況下,自由基由氧氣攻擊最弱的C一H而產(chǎn)生,有機自由基與氧氣生成過氧自由基,進一步反應(yīng)生成的過氧化物相當不穩(wěn)定,有機物則進一步斷裂生成甲酸或乙酸。在超臨界水中,大分子有機污染物首先斷裂為比較小的小分子,其中含有一個碳的有機物經(jīng)自由基氧化過程一般生成CO中間產(chǎn)物,在超臨界水中CO被氧化為C02,其途徑主要為:2C0+02-2C02(1)C0+H20-*H2+C02(2)在溫度<430°C時,式(2)起主要作用,產(chǎn)生大量的氫經(jīng)氧化后成為H20[2

5、]。Killilea等人[3]研宄了超臨界水氧化中N的歸宿,發(fā)現(xiàn)NH3-N、N02-N、N03-N、有機氮等各種形態(tài)的N在適當?shù)某R界水中可轉(zhuǎn)化為N2或N20而不生成NOx,其中N20可通過加入催化劑或提高反應(yīng)溫度使之進一步去除而生成N2,其反應(yīng)途徑如下:4NH3+302—2N2+6H20(3)4N03-一2N2+2H20+502(4)4N02—*2N2+2H20+302(5)S2-在超臨界水中則直接氧化為S042-[4]。氧化劑一切富含且較易釋放氧的物質(zhì)均可作為氧化劑,研宄中應(yīng)用較多的是純氧和空氣,近來H

6、202與KMnO4也被用作SCWO過程的氧化劑,并且在研究中發(fā)現(xiàn)H202作為氧化劑比純氧效率高且更經(jīng)濟。日本研究者在利用超臨界水氧化技術(shù)處理二口惡英的研究中,以純氧、H202為氧化劑的去除率分別為%、%[5]。反應(yīng)影響因素以配水為研宄對象,以苯酚、苯胺等為去除對象的研究表明[6、7]:a.溫度是影響去除率的主要因素,在一定范圍內(nèi),隨著反應(yīng)溫度的提高,TOC的去除率明顯提高;b.停留時間是影響去除率的重要因素,無論在何種反應(yīng)條件下,隨著停留時間的延長,TOC的去除率總是不斷提高,直到反應(yīng)完全;c.壓力對TOC

7、去除率的影響與溫度有關(guān),在較低溫度時壓力的提高對TOC去除率有一定的促進作用,而在較高的溫度條件下的壓力升高對TOC去除率影響較??;d.TOC去除率隨起始有機物濃度的增加而提高;e.高溫運行時過量氧對去除率的影響較小,國內(nèi)漆新華的研宄認為H202的供氧量與氧化需氧量的比例應(yīng)保證在:lo存在的問題由于超臨界水氧化需較高的溫度(〉374°C,實際反應(yīng)溫度彡500°C)和較高的壓力(〉22Mpa,實際反應(yīng)壓力彡25MPa),因而在反應(yīng)過程中對普通耐腐蝕金屬如不銹鋼及非金屬碳化硅、氮化硅等有很強的腐蝕性,造成對反應(yīng)

8、設(shè)備材質(zhì)要求過高;另外對于某些化學性質(zhì)較穩(wěn)定的物質(zhì),反應(yīng)需要時間較長。超臨界水氧化技術(shù)的運行費用也較高,如對處理能力為L/d的試驗裝置,運行費用為美元/L,而對于處理能力為11375?113750L/d的裝置,其處理費用可降至0.022?美元/L[8、9],但相對于焚燒與濕式催化氧化技術(shù),超臨界水氧化仍具有技術(shù)與經(jīng)濟上的優(yōu)勢[10]。以上原因,特別是反應(yīng)器防腐問題的存在限制了SCW0技術(shù)的大規(guī)模工業(yè)化。2國內(nèi)外研

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