sdram接口的vhdl設(shè)計(jì)

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1、SDRAM接口的VHDL設(shè)計(jì)

2、第1lunicRAM，即動(dòng)態(tài)RAM)發(fā)展到SDRAM(SynchronousDynamicRAM，即同步動(dòng)態(tài)RAM)，RAM的容量越來越大、速度越來越高，可以說存儲器的容量和速度已經(jīng)成為半導(dǎo)體工業(yè)水平的標(biāo)志。１任務(wù)背景SDRAM具有大容量和高速的優(yōu)點(diǎn)，目前其存取速度可以達(dá)到100～133MHz，單片容量可以達(dá)到64Mbit或更高，因此在需要高速、大容量存儲器的系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用，如應(yīng)用在目前的計(jì)算機(jī)內(nèi)存中。但是SDRAM的控制比較復(fù)雜，其接口不能直接與目前廣泛應(yīng)用的普通微處理器例如MCS-51系列、Motorola68000系列連接，這樣就限制了S

3、DRAM在微處理器系統(tǒng)中的應(yīng)用。我們的任務(wù)是設(shè)計(jì)一個(gè)通用微處理器，它要具有語音、數(shù)據(jù)、圖像等多種處理功能，并具有RS232、USB等多種接口，另外由于多個(gè)通道的數(shù)據(jù)都需要進(jìn)行緩存和處理，因此高速大容量的緩存是此系統(tǒng)必須的，所以選用了SDRAM作為緩存器件。來自多個(gè)輸入通道的數(shù)據(jù)在采集后需要暫時(shí)存儲在SDRAM中，處理后的數(shù)據(jù)也需要存儲在SDRAM中，再輸出到輸出通道中。在SDRAM與多個(gè)輸入輸出通道之間，采用多個(gè)雙口RAM作為接口器件。輸入通道采集的數(shù)據(jù)首先存儲在雙口RAM中，采集滿后，通過若干條指令將RAM中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到SDRAM中的一定位置中，將SDRAM中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到RAM中

4、也只需要若干條指令來完成。這樣通過幾條指令來設(shè)置RAM起始地址、SDRAM起始地址、傳送數(shù)據(jù)長度、傳送數(shù)據(jù)方向之后，SDRAM與RAM之間數(shù)據(jù)傳送就完全可以通過硬件實(shí)現(xiàn)，不必占用微處理器的指令時(shí)間。２SDRAM簡介SDRAM具有多種工作模式，內(nèi)部操作是一個(gè)非常復(fù)雜的狀態(tài)機(jī)。SDRAM的管腳分為以下幾類：(1)控制信號：包括片選、時(shí)鐘、時(shí)鐘有效、行／列地址選擇、讀寫選擇、數(shù)據(jù)有效；(2)時(shí)分復(fù)用管腳，根據(jù)行／列地址選擇管腳控制輸入地址為行地址或列地址；(3)數(shù)據(jù)：雙向管腳，受數(shù)據(jù)有效控制；根據(jù)控制信號和地址輸入，SDRAM包括多種輸入命令：①模式寄存器設(shè)置命令；②激活命令

5、；③預(yù)充命令；④寫命令；⑤讀命令；⑥自動(dòng)刷新命令；⑦自我刷新命令；⑧突發(fā)停止命令；⑨空操作命令。根據(jù)輸入命令，SDRAM狀態(tài)在內(nèi)部狀態(tài)間轉(zhuǎn)移。內(nèi)部狀態(tài)包括：①模式寄存器設(shè)置狀態(tài)；②激活狀態(tài)；③預(yù)充狀態(tài)；④寫狀態(tài)；⑤讀狀態(tài)；⑥自動(dòng)刷新狀態(tài)；⑦自我刷新狀態(tài)；⑧節(jié)電狀態(tài)。３SDRAM接口狀態(tài)機(jī)設(shè)計(jì)根據(jù)系統(tǒng)的要求，采用固定型號SDRAM，我們對SDRAM的操作進(jìn)行了以下簡化：(1)不考慮隨機(jī)存取模式，只采用突發(fā)讀寫數(shù)據(jù)模式，固定突發(fā)數(shù)據(jù)長度為2；(2)固定SDRAM讀命令輸入到數(shù)據(jù)輸出延時(shí)時(shí)鐘周期為２；(3)刷新模式僅采用自我刷新模式，不采用自動(dòng)刷新模式；(4)SDRAM的

6、初始化、節(jié)電模式由微處理器控制；500)this.style.ouseg(this)">(5)SDRAM為16位數(shù)據(jù)總線，RAM為32位數(shù)據(jù)總線，SDRAM進(jìn)行一次突發(fā)操作，RAM進(jìn)行一次讀寫操作，以實(shí)現(xiàn)速度匹配；(6)SDRAM和RAM讀寫地址采用遞增模式，連續(xù)變化。簡化的SDRAM接口狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖如圖1所示。其中，初始化、自我刷新、電源關(guān)斷、讀操作、寫操作、預(yù)充等狀態(tài)又分別各由一組子狀態(tài)組成。為充分利用SDRAM的高速存取特性，讀、寫時(shí)序必須仔細(xì)設(shè)計(jì)，應(yīng)基本可以實(shí)現(xiàn)每個(gè)時(shí)鐘周期進(jìn)行一次數(shù)據(jù)存取。3.1SDRAM讀操作時(shí)序設(shè)計(jì)500)this.style.ouseg(thi

7、s)">當(dāng)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移方向?yàn)閺腟DRAM到雙口RAM時(shí)，如果SDRAM讀操作行地址未發(fā)生變化，可以滿足每時(shí)鐘周期輸出一次數(shù)據(jù)的高速操作。但是當(dāng)SDRAM行地址發(fā)生變化時(shí)，必須返回預(yù)充狀態(tài)，由于從SDRAM的讀命令輸入到SDRAM數(shù)據(jù)輸出之間有2個(gè)時(shí)鐘周期的延時(shí)，所以判斷下一讀操作的行地址是否發(fā)生變化必須提前兩個(gè)周期判斷。讀操作部分的狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖如圖２所示。3.2SDRAM寫操作時(shí)序設(shè)計(jì)當(dāng)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移方向?yàn)閺碾p口RAM到SDRAM時(shí)，如果SDRAM寫操作行地址未發(fā)生變化，可以滿足每時(shí)鐘周期寫入一次數(shù)據(jù)的高速操作。但是當(dāng)SDRAM行地址發(fā)生變化時(shí)，必須返回預(yù)充狀態(tài)，由于從SDRAM的寫命令輸入到

8、SDRAM數(shù)據(jù)輸入之間沒有延時(shí)，所以判斷下一寫操作的行地址是否發(fā)生變化無需提前判斷，因此寫操作狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖比讀操作部分簡單。寫操作部分的狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖如圖３所示。在所設(shè)計(jì)的讀、寫操作時(shí)序中，SDRAM地址、數(shù)據(jù)、控制信號和RAM部分的地址、數(shù)據(jù)、讀寫控制信號均由有限狀態(tài)機(jī)產(chǎn)生，因此在狀態(tài)轉(zhuǎn)移過程中還必須仔細(xì)考慮RAM部分輸出控制信號的時(shí)序關(guān)系。４VHDL實(shí)現(xiàn)硬件描述語言VHDL(Very=highSpeedICHard狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖后，可以直接產(chǎn)生VHDL程序，在功能仿真正確后