DDR2操作時(shí)序規(guī)范(三星).pdf

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1、DeviceOperationsDDR2SDRAMDDR2SDRAM操作時(shí)序規(guī)范1DeviceOperationsDDR2SDRAM基本功能簡(jiǎn)單狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖：初始化CKELOCD校準(zhǔn)自我刷新SRFCKEHPR空閑設(shè)定(E)MRSREFMRS所有蔟已刷新EMRS預(yù)充電完成CKELACTCKELCKEH預(yù)充電斷電CKEL激活CKELCKEL主動(dòng)自動(dòng)默認(rèn)流程斷電CKEH外加命令流程CKEL簇激活ReadWriteWriteReadWRARDARead寫(xiě)數(shù)據(jù)讀數(shù)據(jù)WriteWRARDAWRARDA帶自動(dòng)預(yù)PR,PRA帶自動(dòng)充電的寫(xiě)預(yù)充電的讀PR,PRAPR,PR

2、A預(yù)充電CKEL=CKE低,進(jìn)入斷電狀態(tài)CKEH=CKE高，結(jié)束斷電狀態(tài)，結(jié)束自我刷新ACT=激活命令WR(A)=帶自動(dòng)預(yù)充電的寫(xiě)命令RD(A)=帶自動(dòng)預(yù)充電的讀命令PR(A)=所有簇自動(dòng)預(yù)充電命令(E)MRS=設(shè)定（擴(kuò)展）模式寄存器命令SRF=進(jìn)入自我刷新命令REF=刷新命注意:要謹(jǐn)慎使用此圖.此圖只是提供了所有可能的狀態(tài)和狀態(tài)見(jiàn)轉(zhuǎn)換的控制命令,而非全部細(xì)節(jié).實(shí)際使用過(guò)程中可能出現(xiàn)的包括不止一個(gè)簇，激活或禁止片內(nèi)終結(jié)電阻，進(jìn)入或結(jié)束斷電狀態(tài)等情況，這些情況的細(xì)節(jié)并沒(méi)有全部列入上面的狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖。2DeviceOperationsDDR2SDRAM基本功

3、能對(duì)DDR2SDRAM的訪(fǎng)問(wèn)是基于突發(fā)模式的;讀寫(xiě)時(shí)，選定一個(gè)起始地址，并按照事先編程設(shè)定的突發(fā)長(zhǎng)度（4或8）和突發(fā)順序來(lái)依次讀寫(xiě).訪(fǎng)問(wèn)操作開(kāi)始一個(gè)激活命令,后面緊跟的就是讀或者寫(xiě)命令。和激活命令同步送達(dá)的地址位包含了所要存取的簇和行(BA0,BA1選定簇;A0-A13選定行).和讀或?qū)懨钔剿瓦_(dá)的地址位包含了突發(fā)存取的起始列地址，并決定是否發(fā)布自動(dòng)預(yù)充電命令。在進(jìn)行常用的操作之前,要先對(duì)DDR2SDRAM進(jìn)行初始化.下面的幾小節(jié)介紹初始化的詳細(xì)信息，寄存器的定義，命令的描述和芯片的操作。上電和初始化DDR2SDRAM必須以預(yù)定義的時(shí)序進(jìn)行上電和初始

4、化.不按規(guī)定的操作將導(dǎo)致不可預(yù)期的情況出現(xiàn)。.上電和初始化時(shí)序1.對(duì)于上電和初始化來(lái)說(shuō)，下列時(shí)序是必須的。供電且保持CKE低于0.2*V，ODT*1要處于低電平狀態(tài)(所有的其余腳可以都沒(méi)有定義.)電源上升沿不可以有任何翻轉(zhuǎn),上升沿時(shí)間不能大于200mS;DDQ并且要求在電壓上升沿過(guò)程中滿(mǎn)足,VDD>VDDL>VDDQ且VDD-VDDQ<0.3volts.-V*2,V*2和V必須由同一個(gè)電源芯片供電,并且DDDDLDDQ-VTT最大只能到0.95V,并且-Vref要時(shí)刻等于VDDQ/2.，緊跟VDDQ變化?；蛘?在給V上電的同時(shí)或之前就給V*2.上電DD

5、LDD-在給V上電的同時(shí)或之前就給V*2上電DDQDDL-在給VTT&VREF上電的同時(shí)或之前就給VDDQ上電.上面的兩個(gè)條件至少要滿(mǎn)足一個(gè)。2.開(kāi)始時(shí)鐘信號(hào)并保持信號(hào)穩(wěn)定.3.在穩(wěn)定電源和時(shí)鐘(CK,/CK)之后至少200?s,然后發(fā)布NOP或者取消選定命令&拉高CKE.4.等待至少400ns然后發(fā)布預(yù)充電所有簇命令.在等待的400ns過(guò)程中要發(fā)布NOP或者取消選定命令.5.發(fā)布EMRS(2)命令.(EMRS(2)命令,需要將BA0拉低,將BA1拉高.)6.發(fā)布EMRS(3)命令.(為了發(fā)布EMRS(3)命令,將BA0和BA1拉高.)7.發(fā)布EMRS

6、命令以激活DLL.(為了發(fā)布"DLL激活"命令,將A0拉低,BA0拉高并且將BA1-2和A13-A15置低.)8.發(fā)布MRS命令實(shí)現(xiàn)“DLL復(fù)位”*2.(為了發(fā)布DLL復(fù)位命令,需要將A8拉高并使BA0-1為低)9.發(fā)布預(yù)充電所有簇命令。10.至少發(fā)布兩次自動(dòng)刷新命令.11.將A8拉低，發(fā)布模式寄存器設(shè)定命令（MRS）對(duì)芯片進(jìn)行初始化操作.(也就是不對(duì)DLL復(fù)位，編程芯片的操作參數(shù))12.在第8步之后至少過(guò)200個(gè)時(shí)鐘周期,執(zhí)行OCD校準(zhǔn)(片外驅(qū)動(dòng)電阻調(diào)校).如果不使用OCD校準(zhǔn),EMRSOCD校準(zhǔn)模式結(jié)束命令(A9=A8=A7=0)必須在EMRSOC

7、D默認(rèn)命令(A9=A8=A7=1)之后發(fā)布，用來(lái)設(shè)定EMRS的其它操作參數(shù)。13.現(xiàn)在，DDR2SDRAM就準(zhǔn)備好可以進(jìn)行普通的操作了。.*1)為了保證ODT關(guān)閉,VREF必須有效并且ODT腳必須拉低.*2)如果VDDL或VDD的電平值在正常操作過(guò)程中人為改變,(例如e,為了VDD相交測(cè)試,或者節(jié)省功率)則必須執(zhí)行“DLL復(fù)位”.3DeviceOperationsDDR2SDRAM上電后的初始化時(shí)序圖tCHtCLCK/CKtISCKEtISODTPREPREANYCommandNOPEMRSMRSREFREFMRSEMRSEMRSALLALLCMD40

8、0nstRPtMRDtMRDtRPtRFCtRFCtMRDFolowOCDtOITFlowch