2.5v+cmos基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)

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1、ClassifiedIndex:TN432U.D.C.:621.3.049.774DissertationfortheDoctoralDegreeinEngineering2.5VCMOSREFERENCEVOLTAGEDESIGNCandidate:Supervisor:AcademicDegreeAppliedfor:Specialty:Affiliation:DateofDefence:YinHouProf.XiaoyunTanMasterofEngineeringIntegratedcircuitProje

2、ctDept.ofMicroelectronicsScienceandTechnologyJune,2010Degree-Conferring-Institution:HarbinInstituteofTechnology哈爾濱工業(yè)大學(xué)工程碩士學(xué)位論文摘要基準(zhǔn)源是加速度計(jì)系統(tǒng)中的重要組成部分,隨著科技的發(fā)展,對(duì)加速度計(jì)的性能要求越來越高,而基準(zhǔn)源的精度直接影響著加速度計(jì)的性能。因此,基于傳統(tǒng)帶隙電壓源的原理基礎(chǔ)上提出了一種適用于高精度微加速度計(jì)的基準(zhǔn)電壓源是很有必要的。本文概述了基準(zhǔn)電壓源的發(fā)展歷史,現(xiàn)狀和趨勢(shì)。闡述

3、了CMOS集成基準(zhǔn)源的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn),指出了本課題的研究意義。通過對(duì)各種類型CMOS集成基準(zhǔn)電壓源的性能和特點(diǎn)的比較,確定選用理論最為成熟和性能最為穩(wěn)定的帶隙基準(zhǔn)源。通過對(duì)大量文獻(xiàn)中對(duì)溫度補(bǔ)償方法的分析,指出只有采用最簡單的補(bǔ)償方法,一階分段線性補(bǔ)償方法,才能大大提高輸出基準(zhǔn)電壓的精度。利用帶隙基準(zhǔn)原理設(shè)計(jì)獲得與絕對(duì)溫度成正比(PTAT)電流,進(jìn)而獲得與溫度成正比的電壓值,同時(shí)對(duì)傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電路進(jìn)行了改進(jìn)設(shè)計(jì),采用自偏置結(jié)構(gòu)和鏡像電流鏡結(jié)構(gòu),利用運(yùn)放的輸出電壓作為運(yùn)放的偏置電壓,節(jié)省了偏置電路,降低了功耗。實(shí)現(xiàn)了低功耗和

4、高電源抑制比的PTAT電流產(chǎn)生電路和CTAT電流產(chǎn)生電路。利用上面的PTAT電流和CTAT電流,合理設(shè)計(jì)電路獲得較小溫度系數(shù)。運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)采用兩級(jí)運(yùn)算放大器。在設(shè)計(jì)輸入級(jí)時(shí),采用傳統(tǒng)的差動(dòng)輸入結(jié)構(gòu)。在中間增益級(jí)設(shè)計(jì)中,采用共源共柵結(jié)構(gòu)。在輸出級(jí)設(shè)計(jì)時(shí),為了提高效率,采用了推挽共源級(jí)放大器作為輸出級(jí)。利用HSPICE仿真工具對(duì)整個(gè)電路進(jìn)行仿真,得到仿真結(jié)果:電源電壓是2.5V,溫度變化范圍:-20~85℃,基準(zhǔn)電壓源的溫度系數(shù)小于60ppm/℃,電源電壓抑制比大于60dB,隨電源電壓幅度的變化僅為1mV/V。關(guān)鍵詞

5、基準(zhǔn)電壓源;帶隙基準(zhǔn)源;電源電壓抑制比;溫度系數(shù)-I-哈爾濱工業(yè)大學(xué)工程碩士學(xué)位論文AbstractThevoltagereferenceisanimportantpartintheaccelerometersystem.Withthedevelopmentofscienceandtechnology,therequestoftheperformanceofaccelerometersisincreasinglyhigherandtheprecisionofreferencedirectlyaffectstheper

6、formanceofaccelerometers.Therefore,areferencevoltageapplicabletoaccelerometersisnecessarybasedontheanalysisofbasicprinciplesoftraditionalbandgapreference.Thedevelopinghistory,presentsituationandtrendsoftemperaturesensorandCMOSintegratedtemperaturesensorweresumm

7、arizedinthispaper.ThedominanceandpropertiesoftheCMOSintegratedreferencewerealsodescribed,andtheresearchmeaningwaspointed.AccordingtothecomparisonofthetypesoftheCMOSintegratedreference,bandgapreferencewaschoosedasthemostmatureintheoryandmoststeadyinperformance.T

8、hroughanalysisoftemperaturecompensationmethodsinlotsofliterature,itwaspointedthatone.Ordercompensationmethodoftemperaturecouldminishtemperaturecoefficient.Accordingtothetheo

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