2018年最新版《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件》解讀.doc

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2、利用、環(huán)境保護(hù)、節(jié)能管理等法律法規(guī)要求,符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策和相關(guān)產(chǎn)業(yè)規(guī)劃及布局要求,符合當(dāng)?shù)赝恋乩每傮w規(guī)劃、城市總體規(guī)劃、環(huán)境功能區(qū)劃和環(huán)境保護(hù)規(guī)劃等要求?! 。ǘ┰趪?guó)家法律法規(guī)、規(guī)章及規(guī)劃確定或省級(jí)以上人民政府批準(zhǔn)的永久基本農(nóng)田保護(hù)區(qū)、飲用水水源保護(hù)區(qū)、自然保護(hù)區(qū)、風(fēng)景名勝區(qū)、生態(tài)保護(hù)紅線和生態(tài)環(huán)境敏感區(qū)、脆弱區(qū)等法律、法規(guī)規(guī)定禁止建設(shè)工業(yè)企業(yè)的區(qū)域不得建設(shè)光伏制造項(xiàng)目。上述區(qū)域內(nèi)的現(xiàn)有企業(yè)應(yīng)嚴(yán)格控制規(guī)模,對(duì)生態(tài)環(huán)境造成影響的應(yīng)采取措施,逐步遷出。 ?。ㄈ﹪?yán)格控制新上單純擴(kuò)大產(chǎn)能的光伏制造項(xiàng)目,引導(dǎo)光伏企業(yè)加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新、提高產(chǎn)品質(zhì)量、降低生產(chǎn)成本。新建和

3、改擴(kuò)建多晶硅制造項(xiàng)目,最低資本金比例為30%,其他新建和改擴(kuò)建光伏制造項(xiàng)目,最低資本金比例為20%。二、生產(chǎn)規(guī)模和工藝技術(shù) ?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)應(yīng)采用工藝先進(jìn)、節(jié)能環(huán)保、產(chǎn)品質(zhì)量好、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備?! 。ǘ┕夥圃炱髽I(yè)應(yīng)具備以下條件:在中華人民共和國(guó)境內(nèi)依法注冊(cè)成立,具有獨(dú)立法人資格;具有太陽(yáng)能光伏產(chǎn)品獨(dú)立生產(chǎn)、供應(yīng)和售后服務(wù)能力;具有省級(jí)以上獨(dú)立研發(fā)機(jī)構(gòu)、技術(shù)中心或高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì),每年用于研發(fā)及工藝改進(jìn)的費(fèi)用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬(wàn)元人民幣;申報(bào)符合規(guī)范名單時(shí)上一年實(shí)際產(chǎn)量不低于上一年實(shí)際產(chǎn)能的50%?! 。ㄈ┕夥圃炱髽I(yè)按產(chǎn)

4、品類型應(yīng)分別滿足以下要求:  1.多晶硅項(xiàng)目每期規(guī)模不低于3000噸/年;  2.硅錠年產(chǎn)能不低于1000噸;  3.硅棒年產(chǎn)能不低于1000噸;  4.硅片年產(chǎn)能不低于5000萬(wàn)片;  5.晶硅電池年產(chǎn)能不低于200MWp;  6.晶硅電池組件年產(chǎn)能不低于200MWp;  7.薄膜電池組件年產(chǎn)能不低于50MWp;  8.逆變器年產(chǎn)能不低于200MWp(微型逆變器不低于10MWp)?! 。ㄋ模┈F(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求:  1.多晶硅滿足《太陽(yáng)能級(jí)多晶硅》(GB/T25074)1級(jí)品的要求?! ?.多晶硅片(含準(zhǔn)單晶硅片)少子壽命大于2μs,碳、

5、氧含量分別小于10和16PPMA;單晶硅片少子壽命大于10μs,碳、氧含量分別小于1和16PPMA?! ?.多晶硅電池和單晶硅電池的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于18%和19.5%。  4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于16%和16.8%。  5.硅基、銅銦鎵硒(CIGS)、碲化鎘(CdTe)及其他薄膜電池組件的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于8%、13%、12%、10%。  6.含變壓器型的光伏逆變器中國(guó)加權(quán)效率不得低于96%,不含變壓器型的光伏逆變器中國(guó)加權(quán)效率不得低于98%(單相二級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的光伏逆變器相關(guān)指標(biāo)分別不低于94.5%和96

6、.8%),微型逆變器相關(guān)指標(biāo)分別不低于94.3%和95.5%?! 。ㄎ澹┬陆ê透臄U(kuò)建企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求:  1.多晶硅滿足《硅多晶》(GB/T12963)2級(jí)品以上要求。  2.多晶硅片(含準(zhǔn)單晶硅片)少子壽命大于2.5μs,碳、氧含量分別小于8和6PPMA;單晶硅片少子壽命大于11μs,碳、氧含量分別小于1和16PPMA?! ?.多晶硅電池和單晶硅電池的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于19%和21%?! ?.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于17%和17.8%?! ?.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的最低光電轉(zhuǎn)換效率分

7、別不低于12%、14%、14%、12%?! 。┒嗑Ч桦姵亟M件和單晶硅電池組件衰減率首年分別不高于2.5%和3%,后續(xù)每年不高于0.7%,25年內(nèi)不高于20%;薄膜電池組件衰減率首年不高于5%,后續(xù)每年不高于0.4%,25年內(nèi)不高于15%。三、資源綜合利用及能耗 ?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)和項(xiàng)目用地應(yīng)符合國(guó)家已出臺(tái)的土地使用標(biāo)準(zhǔn),嚴(yán)格保護(hù)耕地,節(jié)約集約用地?! 。ǘ┕夥圃祉?xiàng)目電耗應(yīng)滿足以下要求:  1.現(xiàn)有多晶硅項(xiàng)目還原電耗小于60千瓦時(shí)/千克,綜合電耗小于100千瓦時(shí)/千克;新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目還原電耗小于50千瓦時(shí)/千克,綜合電耗小于80千瓦時(shí)/千克。  2.

8、現(xiàn)有硅錠項(xiàng)目平均綜合電耗小于8.5千瓦

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