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《TI專家為你解答電源設(shè)計相關(guān)問題（一）.doc》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫。
1、TI專家為你解答電源設(shè)計相關(guān)問題（一） 前言：這是德州儀器工程師RobertKollman寫的一系列關(guān)于電源設(shè)計的小貼士，現(xiàn)在我將其整合一下提供給電源行業(yè)的工程師以及有需要的人，希望各位讀者能夠從中得到幫助，能夠有利于自己往后的電源設(shè)計?！ ‰娫丛O(shè)計小貼士1：為您的電源選擇正確的工作頻率 歡迎來到電源設(shè)計小貼士！隨著現(xiàn)在對更高效、更低成本電源解決方案需求的強調(diào)，我們創(chuàng)建了該專欄，就各種電源管理課題提出一些對您有幫助的小技巧。該專欄面向各級設(shè)計工程師。無論您是從事電源業(yè)務(wù)多年還是剛剛步入電源領(lǐng)域，您都可以
2、在這里找到一些極其有用的信息，以幫助您迎接下一個設(shè)計挑戰(zhàn)?！ 槟碾娫催x擇最佳的工作頻率是一個復(fù)雜的權(quán)衡過程，其中包括尺寸、效率以及成本。通常來說，低頻率設(shè)計往往是最為高效的，但是其尺寸最大且成本也最高。雖然調(diào)高頻率可以縮小尺寸并降低成本，但會增加電路損耗。接下來，我們使用一款簡單的降壓電源來描述這些權(quán)衡過程?！ ∥覀円詾V波器組件作為開始。這些組件占據(jù)了電源體積的大部分，同時濾波器的尺寸同工作頻率成反比關(guān)系。另一方面，每一次開關(guān)轉(zhuǎn)換都會伴有能量損耗；工作頻率越高，開關(guān)損耗就越高，同時效率也就越低。其次，較
3、高的頻率運行通常意味著可以使用較小的組件值。因此，更高頻率運行能夠帶來極大的成本節(jié)約。 圖1顯示的是降壓電源頻率與體積的關(guān)系。頻率為100kHz時，電感占據(jù)了電源體積的大部分（深藍(lán)色區(qū)域）。如果我們假設(shè)電感體積與其能量相關(guān)，那么其體積縮小將與頻率成正比例關(guān)系。由于某種頻率下電感的磁芯損耗會極大增高并限制尺寸的進(jìn)一步縮小，因此在此情況下上述假設(shè)就不容樂觀了。如果該設(shè)計使用陶瓷電容，那么輸出電容體積（褐色區(qū)域）便會隨頻率縮小，即所需電容降低。另一方面，之所以通常會選用輸入電容，是因為其具有紋波電流額定值。該額
4、定值不會隨頻率而明顯變化，因此其體積（黃色區(qū)域）往往可以保持恒定。另外，電源的半導(dǎo)體部分不會隨頻率而變化。這樣，由于低頻開關(guān)，無源器件會占據(jù)電源體積的大部分。當(dāng)我們轉(zhuǎn)到高工作頻率時，半導(dǎo)體（即半導(dǎo)體體積，淡藍(lán)色區(qū)域）開始占據(jù)較大的空間比例?！ D1電源組件體積主要由半導(dǎo)體占據(jù) 該曲線圖顯示半導(dǎo)體體積本質(zhì)上并未隨頻率而變化，而這一關(guān)系可能過于簡單化。與半導(dǎo)體相關(guān)的損耗主要有兩類：傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。同步降壓轉(zhuǎn)換器中的傳導(dǎo)損耗與MOSFET的裸片面積成反比關(guān)系。MOSFET面積越大，其電阻和傳導(dǎo)損耗就越低
5、?！ ￠_關(guān)損耗與MOSFET開關(guān)的速度以及MOSFET具有多少輸入和輸出電容有關(guān)。這些都與器件尺寸的大小相關(guān)。大體積器件具有較慢的開關(guān)速度以及更多的電容。圖2顯示了兩種不同工作頻率（F）的關(guān)系。傳導(dǎo)損耗（Pcon）與工作頻率無關(guān)，而開關(guān)損耗（PswF1和PswF2）與工作頻率成正比例關(guān)系。因此更高的工作頻率（PswF2）會產(chǎn)生更高的開關(guān)損耗。當(dāng)開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗相等時，每種工作頻率的總損耗最低。另外，隨著工作頻率提高，總損耗將更高。 但是，在更高的工作頻率下，最佳裸片面積較小，從而帶來成本節(jié)約。實際上，在
6、低頻率下，通過調(diào)整裸片面積來最小化損耗會帶來極高成本的設(shè)計。但是，轉(zhuǎn)到更高工作頻率后，我們就可以優(yōu)化裸片面積來降低損耗，從而縮小電源的半導(dǎo)體體積。這樣做的缺點是，如果我們不改進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)，那么電源效率將會降低?！ D2提高工作頻率會導(dǎo)致更高的總體損耗 如前所述，更高的工作頻率可縮小電感體積；所需的內(nèi)層芯板會減少。更高頻率還可降低對于輸出電容的要求。有了陶瓷電容，我們就可以使用更低的電容值或更少的電容。這有助于縮小半導(dǎo)體裸片面積，進(jìn)而降低成本。
