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《磁流變拋光技術(shù)在sic晶片加工工藝中的應(yīng)用研究》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫。
1、為了確?！敖虒W(xué)點(diǎn)數(shù)字教育資源全覆蓋”項(xiàng)目設(shè)備正常使用，我校做到安裝、教師培訓(xùn)同步進(jìn)行。設(shè)備安裝到位后，中心校組織各學(xué)點(diǎn)管理人員統(tǒng)一到縣教師進(jìn)修學(xué)校進(jìn)行培訓(xùn)，熟悉系統(tǒng)的使用和維護(hù)。磁流變拋光技術(shù)在SiC晶片加工工藝中的應(yīng)用研究 摘要：碳化硅作為新興的一種第三代半導(dǎo)體材料，現(xiàn)已在電力電子行業(yè)得到非常廣泛的應(yīng)用。碳化硅應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展趨勢必然會對晶片表面狀況有著越來越高的要求，而這將是目前亟待解決的問題。本文簡單介紹機(jī)械拋光、機(jī)械化學(xué)拋光、重點(diǎn)分析磁流變拋光技術(shù)原理，并通過大量試驗(yàn)得到碳化硅晶片通過磁流變拋光技術(shù)無論是晶片表面狀
2、況還是工作效率均有了很大的提高，這對該技術(shù)應(yīng)用到實(shí)際生產(chǎn)中有很好的指導(dǎo)和參考意義。 Abstract：Asoneofthethirdgenerationsemiconductormaterials，siliconcarbidehasbeenwidelyusedinthepowerelectronicsindustry.Thedevelopmenttrendofsiliconcarbideapplicationtechnologyisboundtohavehigherandhigherrequirementsonthewa
3、fersurfacecondition，whichwillbeanurgentproblemtobesolved.Thispaperintroducesthemechanicalpolishing，chemicalmechanicalpolishing，focusesontheanalysisofprincipleofmagnetorheologicalpolishingtechnology，andthroughalotofexperimentsobtainedbysiliconcarbidewafermagnetorhe
4、ologicalpolishingtechnology為了充分發(fā)揮“教學(xué)點(diǎn)數(shù)字教育資源全覆蓋”項(xiàng)目設(shè)備的作用，我們不僅把資源運(yùn)用于課堂教學(xué)，還利用系統(tǒng)的特色欄目開展課外活動，對學(xué)生進(jìn)行安全教育、健康教育、反邪教教育等豐富學(xué)生的課余文化生活。為了確保“教學(xué)點(diǎn)數(shù)字教育資源全覆蓋”項(xiàng)目設(shè)備正常使用，我校做到安裝、教師培訓(xùn)同步進(jìn)行。設(shè)備安裝到位后，中心校組織各學(xué)點(diǎn)管理人員統(tǒng)一到縣教師進(jìn)修學(xué)校進(jìn)行培訓(xùn)，熟悉系統(tǒng)的使用和維護(hù)。regardlessofwafersurfaceconditionsortheworkingefficienc
5、yhasbeengreatlyimproved，itshouldbeusedintheactualproductionhasagoodguideandreferenceforthetechnology. ?P鍵詞：碳化硅；晶片表面；磁流變拋光 Keywords：SiC；wafersurface；magnetorheologicalfinishing 中圖分類號：O786文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A文章編號：1006--0222-02 0引言 碳化硅半導(dǎo)體材料作為繼第一代和第二代半導(dǎo)體材料后快速發(fā)展起來的第三代寬帶隙半導(dǎo)體核心材
6、料，具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速率大、擊穿電場強(qiáng)度高、相對介電常數(shù)低、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。碳化硅單晶材料屬典型的硬脆材料，化學(xué)穩(wěn)定性好，常溫下幾乎不與其他物質(zhì)反應(yīng)，因此較難獲得高精度無損傷的晶片表面。但是高性能的碳化硅電子器件必須要求碳化硅原始晶片表面粗糙度在納米級別、平面度好、表面不能存在明顯缺陷；否則會導(dǎo)致使晶體的結(jié)晶構(gòu)造發(fā)生變化，進(jìn)而對器件的電學(xué)性能造成很大的影響。因此，碳化硅單晶材料的加工工藝技術(shù)直接制約著碳化器件的發(fā)展，而如何獲得高質(zhì)量的SIC晶片表面也成為目前急于解決的問題。為了充分發(fā)揮“教學(xué)點(diǎn)數(shù)字
7、教育資源全覆蓋”項(xiàng)目設(shè)備的作用，我們不僅把資源運(yùn)用于課堂教學(xué)，還利用系統(tǒng)的特色欄目開展課外活動，對學(xué)生進(jìn)行安全教育、健康教育、反邪教教育等豐富學(xué)生的課余文化生活。為了確保“教學(xué)點(diǎn)數(shù)字教育資源全覆蓋”項(xiàng)目設(shè)備正常使用，我校做到安裝、教師培訓(xùn)同步進(jìn)行。設(shè)備安裝到位后，中心校組織各學(xué)點(diǎn)管理人員統(tǒng)一到縣教師進(jìn)修學(xué)校進(jìn)行培訓(xùn)，熟悉系統(tǒng)的使用和維護(hù)。 1常見的拋光技術(shù)簡單介紹 目前常見的碳化硅單晶材料表面處理方法主要分為機(jī)械拋光和化學(xué)機(jī)械拋光，而磁流變拋光現(xiàn)階段還很少應(yīng)用到碳化硅單晶材料表面處理。下面就幾種處理方法做簡單介紹：
8、機(jī)械拋光主要是指在拋光盤上粘貼較軟的拋光墊材料，晶片在一定的壓力下使得拋光液和晶片相互接觸磨切，通過機(jī)械作用將磨損層去除。械拋拋光效率較高、一致性好、表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?！ 』瘜W(xué)機(jī)械拋光是將拋光液的化學(xué)作用和磨粒與拋光盤之間的機(jī)械作用相結(jié)合，通過研磨液以及機(jī)械研磨的作用使得反應(yīng)物從晶
