澳洋試車方案

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1、試車方案淮安澳洋順昌光電技術(shù)有限公司，“LED外延片及芯片產(chǎn)業(yè)化”項目，在建設(shè)過程中，得到了淮安市清河區(qū)安全生產(chǎn)監(jiān)督管理局、及其它各單位的大力支持，謹在此表示衷心感謝。下面主要介紹我公司的試車方案：一、試車前準備試車前準備主要有以下幾點：公用工程主要包括氫氣、氮氣、蒸汽、電、水準備等；安全防護工程、通信、試車前培訓(xùn)、工藝操作規(guī)程培訓(xùn)；成立試車小組。1、公用工程序號燃料動力單位年耗用量備注1電力kW?h29686280市政供應(yīng)2自來水t324000市政供應(yīng)3氫氣Nm防護器具準備：洗眼器5臺，防腐手套20個、面罩20個、防毒面具5個、空氣呼吸器2個。消防器具的準備：消防的恒壓

2、泵放在自動檔上，準備兩個消防帶放于現(xiàn)場，以備急用。3、通信通信主要包括緊急事故的通告，和當天的氣象通告以便在發(fā)生緊急情況下有一個正確的撤離路線，通告方式主要有兩種：廠區(qū)的消防1080000當?shù)厥袌?氮氣Nm36800000當?shù)厥袌?蒸汽t8640集中供應(yīng)2、安全防護工程廣播，成立專門的通信小組（見附件試車小組名單）由咨詢組負責(zé)。4、培訓(xùn)試車前安全培訓(xùn)主要針對試車中的危險、有害因素進行分析和控制。內(nèi)容主要包括：物質(zhì)危險性分析、工藝危險因素分析、設(shè)備危險因素分析、儲存危險性分析、裝置設(shè)施的腐蝕危險性分析、粉塵危害分析、電氣系統(tǒng)危險性分析、空壓機危險性分析、其它危險有害因素分析

3、、試車應(yīng)急預(yù)案培訓(xùn)。5、成立試車小組小組人員名單見下表：序號姓名單位職務(wù)備注1崔恒平LED外延片、芯片Coo專家組2孫中磊LED外延片、芯片安全員安全組3王俊敏LED外延片、芯片廠務(wù)部長動力組4蘆嶺LED外延片、芯片外延部長操作組5張向飛LED外延片、芯片芯片經(jīng)理操作組6孫領(lǐng)軍LED外延片、芯片IT經(jīng)理通信組試生產(chǎn)小組組織圖AAAA現(xiàn)場操作組公用組二.生產(chǎn)工藝流程及儲存的?；菲贩N與設(shè)計能力說明:1?外延片①、藍綠光外延片工藝流程依據(jù)產(chǎn)業(yè)界普遍作法，MOCVD制程使用藍寶石襯底，其工序可分解為下列步驟：a、檢測：利用顯微鏡對襯底進行檢測，檢驗有無雜質(zhì)，檢測合格的襯底進入下

4、一工序。b、輸入混合氣體：首先將藍寶石襯底放入由石英管和石墨基座組成的反應(yīng)器中，再按照NH3和H2比(5:95)通入NH3和H2混合氣體。c、輸入有機金屬：將載氣H2(或N2)通入三甲基鐐、三甲基錮、三甲基鋁液體罐中，以三種有機金屬蒸汽夾帶進反應(yīng)器中，在密閉條件下進行金屬有機物化學(xué)沉積反應(yīng)。主要沉積反應(yīng)有：Ga(CH3)3+NH39GaN+3CH4,如果欲生長三元固溶體晶體，如Gal-xAlxN時，可在反應(yīng)系統(tǒng)中再通入三甲基鋁，反應(yīng)式為：xA1(CH3)3+(1-x)Ga(CH3)3+NH3=Gal-xAlxN+3CH4od、MOCVD進料方式如下圖，有機金屬與氣體借著濾

5、網(wǎng)而進入MOCVD反應(yīng)體，下方的圓盤以預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)，在高溫環(huán)境下，進行熱分解反應(yīng)，實現(xiàn)沉積過程。MOCVD進料方式示意圖e、反應(yīng)廢氣處理：MOCVD之熱分解反應(yīng)是不可逆，但還有部分尚未完全分解，因此氣體不能直接排放到大氣中，必須先進行處理,例如外延生長過程中過量的NH3,處理方法主要為把尾氣通入裝有水+H2SO4溶液的水洗式洗滌塔（Scrubber）中處理中，去除大部氨氣。f、快速檢測：用以在進入芯片制程之前的檢測手段，檢測方式如下圖3?5,作法為定電流20mA下，以電壓3?5V范圍，以電激發(fā)光的方式，測試LED外延片，主要測試在定電流的條件下，發(fā)光層所產(chǎn)生的光波長頻譜范

6、圍，及光波長頻譜的半高寬，來判斷發(fā)光層的井磊比是否合適，結(jié)的位置是否正確。外延片檢驗操作方式②、紅黃光外延片工藝流程工藝流程說明外延片生產(chǎn)工藝核心是采用金屬有機物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)工藝，將三甲基鋼、三甲基鐐、三甲基鋁、磷烷、碎烷等原材料，在專用設(shè)備反應(yīng)室中分解為錮、鐐、鋁、磷、礎(chǔ)等單質(zhì)，并沉積在摻硅(采用n型硅烷作為摻雜源)的碑化鐐單晶片上而牛長的。A、以不申化鐐單晶片作為襯底，檢驗確化鐐單晶片是否合格。合格的碑化鐐襯底才可以裝片進入外延爐生長。B、在進行生長之前，外延爐要進行抽真空，然后向外延爐反應(yīng)室通入氮氣和氫氣，然后開始加熱升溫。當爐溫升至750°C左右（外

7、延爐的工作程序由計算機程序系統(tǒng)控制），開始向外延爐反應(yīng)室同時通入一定量的碑烷和磷烷混合氣（置于氣柜中的氣瓶通過減壓控制等，以3-5kg的壓力經(jīng)管道傳輸?shù)介y門分布箱中，然后再輸入到外延爐中），于是碑化鐐緩沖層便在外延爐里生長。在碑化稼襯底生長的同時，沿著與襯底平行方向通入高流速的氫氣和氮氣的混合氣體，控制確化鐐生長時熱對流，從而獲得高遷移率的碑化稼單晶層。C、神化鐫緩沖層形成之后，同時通入氮氣和氫氣降低爐溫，用以生長量子阱層，然后將爐溫再次升至750°C左右，生長雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延層，最后再生長一層磷化稼層，用于保護表面。D、取出外